期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性
1
作者 刘国柱 洪根深 +4 位作者 于宗光 吴建伟 赵文彬 曹利超 李冰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期510-516,共7页
基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T_1)和信号传输管(T_2)组成,采用带带遂穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)遂穿擦除方... 基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T_1)和信号传输管(T_2)组成,采用带带遂穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)遂穿擦除方式实现了其"开/关"态功能,并对其"开/关"态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性。实验结果表明,该单元具有较优的"开/关"态特性和电参数一致性,T_1/T_2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2 V和2.4%;在工作电压为-1.5 V条件下,T_2管"关"态的漏电流均在1 p A/μm以下,T_2管"开"态的驱动电流均值为116.22μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次。同时,在25℃的"开/关"态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年。 展开更多
关键词 Sence-Switch型pflash单元 阈值窗口 耐久性 保持性 “开/关”态
下载PDF
Push-Pull型pFLASH开关单元结构设计及特性
2
作者 刘国柱 洪根深 +5 位作者 于宗光 赵文彬 曹利超 吴素贞 李燕妃 李冰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期652-658,663,共8页
基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管(T1/T2)和1个信号传输PMOS管(T3)组成,采用带带隧穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)擦除方式实现... 基于90 nm eFLASH工艺设计并制备了一种新型抗辐照Push-Pull型pFLASH开关单元,并对其特性进行了研究。该结构由2个2T-FLASH管(T1/T2)和1个信号传输PMOS管(T3)组成,采用带带隧穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)擦除方式实现其"开/关"态功能。同时,对其"开/关"态特性进行表征,研究其耐久性和电荷保持特性,最后,对其抗总剂量(TID)能力进行评估。实验结果表明:该器件的"T1编程-T2擦除"与"T1擦除-T2编程"态均可以实现信号传输管的"开/关"态功能,其阈值窗口的均值约为10.5 V;在工作电压为-1.2 V条件下,T3管的"开"态驱动电流均值约为0.92 mA,"关"态漏电流低于40 pA,且均表现出了良好的一致性。同时,该器件的循环擦/写次数可达10 000次,在25℃的"开/关"态应力条件下寿命大于10年,抗总剂量能力可达150 krad(Si)以上。 展开更多
关键词 Push-Pull型pflash开关单元 “开/关”态 阈值窗口 电荷保持性 总剂量(TID)
下载PDF
pFlash故障测试算法 被引量:4
3
作者 杨丽婷 王琴 +1 位作者 倪昊 赵子鉴 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第9期55-60,共6页
Flash存储器快速发展得益于便携式设备的进步,而pFlash存储器因编程电压低、功耗小并可以有效抑制带-带隧道效应而被广泛应用.由于可靠性和成本是衡量所有存储器设备性能的两个关键指标,本文提出了一种高效的pFlash故障测试算法来减小... Flash存储器快速发展得益于便携式设备的进步,而pFlash存储器因编程电压低、功耗小并可以有效抑制带-带隧道效应而被广泛应用.由于可靠性和成本是衡量所有存储器设备性能的两个关键指标,本文提出了一种高效的pFlash故障测试算法来减小存储器的测试成本并保证其故障覆盖率.通过改变写入的测试向量以及写入的方式来准确定位pFlash存储器的故障.测试效率较于March-like算法提高了33%,且故障覆盖率仍然为100%.此算法用于开发pFlash内建自测试电路(BIST,Built-in Self Test)可以适当减少其硬件开销,用于测试机台可以减少测试时间. 展开更多
关键词 pflash故障检测算法 棋盘格式向量 March-like算法 Flash故障模型
下载PDF
Design and verification of an FPGA programmable logic element based on Sense-Switch pFLASH
4
作者 Zhengzhou CAO Guozhu LIU +2 位作者 Yanfei ZHANG Yueer SHAN Yuting XU 《Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering》 SCIE EI CSCD 2024年第4期485-499,共15页
This paper proposes a kind of programmable logic element(PLE)based on Sense-Switch pFLASH technology.By programming Sense-Switch pFLASH,all three-bit look-up table(LUT3)functions,partial four-bit look-up table(LUT4)fu... This paper proposes a kind of programmable logic element(PLE)based on Sense-Switch pFLASH technology.By programming Sense-Switch pFLASH,all three-bit look-up table(LUT3)functions,partial four-bit look-up table(LUT4)functions,latch functions,and d flip flop(DFF)with enable and reset functions can be realized.Because PLE uses a choice of operational logic(COOL)approach for the operation of logic functions,it allows any logic circuit to be implemented at any ratio of combinatorial logic to register.This intrinsic property makes it close to the basic application specific integrated circuit(ASIC)cell in terms of fine granularity,thus allowing ASIC-like cell-based mappers to apply all their optimization potential.By measuring Sense-Switch pFLASH and PLE circuits,the results show that the“on”state driving current of the Sense-Switch pFLASH is about 245.52μA,and that the“off”state leakage current is about 0.1 pA.The programmable function of PLE works normally.The delay of the typical combinatorial logic operation AND3 is 0.69 ns,and the delay of the sequential logic operation DFF is 0.65 ns,both of which meet the requirements of the design technical index. 展开更多
关键词 Field programmable gate array(FPGA) Programmable logic element(PLE) Boolean logic operation Look-up table Sense-Switch pflash Threshold voltage
原文传递
多变量强指定验证者签名方案
5
作者 王尚平 白越 +1 位作者 刘丽华 陈娟娟 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第10期2331-2335,共5页
指定验证者签名在实际的网络信息中有着广泛的应用,验证者不能将签名任意地传播给第三方。强指定验证者签名方案更加强了签名者的隐私,除了指定验证者任何人都不能验证签名的有效性。该文提出一个基于多变量公钥密码体制(MPKCs)的一般... 指定验证者签名在实际的网络信息中有着广泛的应用,验证者不能将签名任意地传播给第三方。强指定验证者签名方案更加强了签名者的隐私,除了指定验证者任何人都不能验证签名的有效性。该文提出一个基于多变量公钥密码体制(MPKCs)的一般强指定验证者签名方案,将多变量公钥密码体制应用到指定验证者签名方案中,如果多变量公钥密码体制在已知攻击,包括代数攻击,线性化攻击,秩攻击和差分攻击等下是安全的,则新方案满足正确性、不可伪造性、不可传递性的安全性要求。并给出一个具体的基于pFLASH签名体制的强指定验证者签名方案,具有明显的效率优势,新方案在量子计算攻击下是安全的。 展开更多
关键词 密码学 强指定验证者签名 多变量公钥密码体制 数字签名 pflash
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部