用于微胶接的pL级点胶方法

为了获得与微米级零件尺寸相匹配的pL级胶滴,分析了注射式、喷射式和转移式3种常用的微小液滴生成机制。基于注射式原理设计了一种时间压力型pL级点胶方案,通过视觉在线检测胶斑直径,控制点胶针尖内径、作用压力和时间,得到pL级胶斑。实验研究了针尖内径、压力、时间对胶斑直径的影响,并将此方法应用于激光惯性约束核聚变实验中冷冻靶装配时靶丸零件与充气管零件之间的微胶接。实验结果表明:胶斑直径与点胶针尖内径、压力和时间三者成正比例关系,当使用端部1.2μm内径的点胶针,设置压力为0psi(1psi≈6.895kPa),时间为8～10s时,可以满足胶斑体积小于3pL,直径小于40μm的指标要求。该方法可实现微米级零件微胶接时的pL级点胶,而且工艺简单,易于实现。

转印式pL级液体分配方法的性能分析与实验

高黏度液体的pL级微量分配和狭小空间内的点样是微量液体分配的难点,针对这个问题,文中从机理上分析了影响转印式pL级点样性能的因素,通过实验研究了液体黏度、移液针的移动速度、停留时间、液窝对点样性能的影响,实现了高黏度(5、30Pa·s)的pL级液体分配和窄缝内(0.5mm×20mm)的微量点样.研究结果表明:低速点样时,液体分配量随着液体黏度的增加呈增加趋势,且受移液针停留时间的影响较小;高速点样时,液体黏度对液体分配量的影响较小,但移液针的停留时间对点样量有较大的影响;通过合理匹配参数,转印式液滴分配方法可以有效地抑制液窝的生成,减小随机因素的影响,实现高黏度液体的高准确性、高一致性pL级超微量点样和狭小空间内的封装点样.

pL级超微量点胶笔的开发及其在封孔中的应用

狭小空间内pL级超微量点胶是胶接技术的难点,针对这个问题,开发了pL级超微量自动点胶笔。基于转印式点胶分液原理,通过移液针穿过装有胶液的玻璃微管,获取胶滴,利用胶滴在点胶面上的转移分离,实现超微量点胶。开发的点胶笔全长仅为65 mm,最小分辨率0.24μm/step,最大行程7 mm,点胶笔通过USB接口连接到上位机上,可以实现对点胶过程的控制。通过大量实验,研究了点胶笔的性能,并将其应用到直径170 mm,长度350 mm小空间密封腔内,直径5~20μm的微孔胶封上。实验结果表明开发的点胶笔,装夹方便,重复精度高,即适用于覆盖式封孔,也适用于插入式封孔。通过调整点胶笔移液针的种类、尺寸、移动速度和封胶方式,可以在密闭小空间内,压力环境变化的工况下,实现微孔的pL级密封,最小封胶量为4.4 pL,满足工程需要,为小空间内的封胶提供了有效技术途径。

BDSBAS完好性保护级分析与研究

选取中国地壳观测网(CMONOC)的参考站中的25个站点,作为基于北斗系统的星基增强系统(BDSBAS)地面参考站;对用户差分距离误差(UDRE)和格网点电离层垂直延迟改正数误差(GIVE)的算法进行研究;利用接收机接收的北斗数据,分析与研究了中国及邻近区域的完好性保护级及完好性可用性覆盖范围。结果表明:利用所提出的方法,至少95%时间可用时,整个中国区域100%满足LPV进近对完好性保护级的要求,部分区域满足LPV-200进近对完好性保护级的要求。由此验证BDSBAS在中国建设的可行性,对在民航中的应用提供了参考。

材料表面润湿性对超微量胶液分配及封装效果的影响

为了在微纳元件的封装中实现pL级超微量胶液的分配,根据不同材料表面具有不同表面润湿性的性质,提出了一种微纳量级的点胶方法。首先,使用自主搭建的超微量点胶系统进行pL级胶液分配实验,该系统点样的平均体积误差≤±1.1%,转移液滴的最小体积约为19.6 pL;然后,通过改变表面润湿性的单因素实验分析接触角对胶液转移量的影响,实验结果表明,接触角可以直观反映材料表面的润湿程度,即接触角越小,表面润湿性越好,转移液滴体积越大;最后,根据接触角与转移液滴体积的实验数据进行非线性曲线拟合,推导出了转移液滴体积预测公式,利用该公式预测的转移液滴体积与实测体积之间的平均差异率为2.32%。

大修工程桥梁护栏防护性能提升改造方案研究

PL3级组合式桥梁护栏是我国早期应用的桥梁护栏之一,其中绝大部分仍在使用。随着我国道路交通条件发生显著变化,该护栏已难以满足安全防护需求,多次发生车辆碰撞护栏后坠桥的严重事故,亟需改造升级。依托G60沪昆高速潭邵段大修工程,重点针对大修应用场景下PL3级桥梁护栏的提升改造方案进行了深入研究,提出了梁柱式双横梁加高改造方案,经实车足尺碰撞试验验证,改造护栏可满足SS级防护要求。目前,该方案已在湖南省多条高速公路得到推广应用。

Photoluminescence investigation on highly p^+ -doped GaAs_(1-y)Sb_y(y<0.3)

Photoluminescence properties of highly p＋-doped GaASl_ySby are investigated. Band gap narrowing （BGN） effect is considered for heavily doped GaAs1_ySby epilayers. Band-gap Eg（GaAsl_ySby）=l.25y2-1.95y＋1.519 is obtained through fitting band-gap energy obtained by PL spectra from 35 to 300 K. Fermi level （El） and full width at half maximum （FWHM） of photolumines- cence increase with antimony mole fraction. The increase of Fermi level is attributed to hole mass of GaAsl_ySby decrease which is resulted from antimony composition increase. The increase of Fermi level means that more electrons participate in in- direct transition to result in FWHM increases.