pSemi宣布推出UltraCMOS13工艺实现更高射频性能

在2019年国际微波研讨会期间,pSemi宣布推出UltraCMOS13,这是其在GlobalFoundries的300毫米晶圆厂上开发的下一代专有RFSOI工艺。UltraCMOS 13专为改善低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)性能而量身定制,可提高集成前端组件的性能。