余弦高斯光束在单轴晶体中垂直于光轴的传输

基于光束在各向异性单轴介质中的傍轴矢量传输理论,推导出余弦高斯光束在各向异性单轴晶体中垂直于光轴传输的解析公式,利用数值模拟计算方法,研究各向异性介质对余弦高斯光束偏振特性的影响.研究表明,由于晶体的各向异性,使得光束沿x方向偏振的场分布衍生出y分量.将余弦高斯光束在单轴晶体中垂直于光轴传输的特性与沿光轴传输的特性作了比较,二者位形基本相似,原来的偏振特性都不再保持.此外,余弦高斯光束在单轴晶体中垂直于光轴的传输,选择适当的参数后可在特定截面上获得类高斯、空心、近平顶等的场强分布.

单轴各向异性晶体中寻常光和非寻常光的关系

基于光束在单轴各向异性晶体传播的矢量理论,根据能量交换现象,对寻常光和非寻常光的关系进行了讨论,得出了两个方程,并对其可解性进行了讨论。基于该矢量理论,推导出了一个关于寻常光和非寻常光传播的一个可能的矛盾;注意到矛盾能否成立取决于满足相应波函数条件的方程组是否存在可行性解,即问题转化成了一个数学问题;模拟了高斯光束在单轴各向异性晶体传播的情况,证明了寻常光和非寻常光是独立传播的。

半导体激光器的M^2因子可以小于1

根据 Porras的非傍轴矢量矩理论 ,对双异质结半导体激光器的光束质量进行了研究 .结果表明 ,在有源层厚度 da远小于波长 λ的条件下 ,半导体激光器的 M2 因子可以小于 1 ,并且没有下限 .

非傍轴矢量高斯光束单缝衍射的严格理论

提出非傍轴矢量光束衍射严格的电磁场理论,并以非傍轴矢量高斯光束的单缝衍射为例加以说明.与基于矢量瑞利-索末菲衍射积分推出的解析结果做了数值计算比较,表明了二者的一致性.对理论的进一步推广做了简要讨论.