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Oxidation of Fe-Cr-Ni Alloys in a Low Oxygen Partial Pressure Atmosphere to Mitigate Coke Formation
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作者 Wang Hongxia Wang Guoqing +3 位作者 Zhang Lijun Wang Shenxiang Jia Jingsheng Cui Lishan 《China Petroleum Processing & Petrochemical Technology》 SCIE CAS CSCD 2023年第3期49-59,共11页
Anti-coking oxide films were prepared on a 25Cr35Ni and 35Cr45Ni alloy surface under the low oxygen partialpressure atmosphere of a H2-H2O mixture. The composition and phase structure of the oxide films were analyzed ... Anti-coking oxide films were prepared on a 25Cr35Ni and 35Cr45Ni alloy surface under the low oxygen partialpressure atmosphere of a H2-H2O mixture. The composition and phase structure of the oxide films were analyzed by energydispersive spectroscopy (EDS), X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The anti-cokingperformance of a mini tube made of a HP40 (25Cr35Ni) alloy was evaluated on a bench scale pyrolysis and coking test unit.The results showed that the surface Fe and Ni content decreased after the oxidation of the two alloys in a low oxygen partialpressure atmosphere. The oxide films were mainly composed of MnCr_(2)O_(4) and Cr_(2)O_(3). The average mass of coke in the minitube with oxide film decreased by 87% relative to that of a tube without an oxide film when the cracking temperature was 900℃. The ethylene, propylene, and butadiene yields in the pyrolysis tests were almost the same for the mini tubes withand without an oxide film. The oxide film on the alloy surface effectively inhibited catalytic filamentous coke formation.An industrial test showed that the run length of the cracking furnace with the in-situ coating technology was significantlyextended. 展开更多
关键词 Fe-Cr-Ni alloy low oxygen partial pressure oxide film ANTI-COKING ethylene cracking furnace in-situ coating
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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量:23
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作者 马全宝 叶志镇 +3 位作者 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1113-1116,共4页
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%. 展开更多
关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性
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用低氧分压法在35Cr45Ni合金表面制备防结焦氧化膜 被引量:5
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作者 邵明增 崔立山 +3 位作者 郑雁军 李梅 张小洁 邢琳琳 《中国石油大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期127-130,135,共5页
在H2-H2O所形成的低氧分压气氛下氧化35Cr45N i合金,在合金表面形成具有抑制催化结焦能力的氧化膜;用能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、划痕仪分析氧化膜的成分、物相组成以及氧化膜与基体的结合状况,用结焦试验评价氧化膜的抗结焦性能,并... 在H2-H2O所形成的低氧分压气氛下氧化35Cr45N i合金,在合金表面形成具有抑制催化结焦能力的氧化膜;用能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、划痕仪分析氧化膜的成分、物相组成以及氧化膜与基体的结合状况,用结焦试验评价氧化膜的抗结焦性能,并用扫描电镜(SEM)分析氧化处理和未经氧化处理试样结焦后的表面形貌。结果表明:经低氧分压处理的合金表面铁、镍含量降低,在金属表面形成了以Cr2O3、MnCr2O4为主要成分的氧化膜,氧化温度为800,900,1 000℃时氧化膜的临界载荷分别为9.75,15.55,11.6 N,结焦抑制率分别达到了81%,93%,56%;氧化膜可有效抑制丝状催化焦炭的产生。 展开更多
关键词 氧化膜 低氧分压 划痕 防结焦
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电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究 被引量:9
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作者 史济群 周京英 +1 位作者 马稚尧 马洪磊 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期10-12,共3页
论述了ITO膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响.在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约4×10-4Ω·... 论述了ITO膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响.在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约4×10-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率高于90%. 展开更多
关键词 ITO 薄膜 氧空位 蒸汽分压 电子束沉积 导电膜
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低氧分压法在服役炉管内表面制备防结焦膜 被引量:3
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作者 王华良 高万夫 +2 位作者 邵明增 王一雄 崔立山 《石油化工高等学校学报》 CAS 2012年第4期57-61,共5页
利用低氧分压法在已服役炉管的内表面制备防结焦氧化膜。用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDAX)、X射线衍射仪(XRD)及划痕仪等实验手段,研究已服役炉管及氧化膜的形貌、组织结构、氧化膜与基体结合状况及氧化膜的抗结焦性能。结果表明,... 利用低氧分压法在已服役炉管的内表面制备防结焦氧化膜。用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDAX)、X射线衍射仪(XRD)及划痕仪等实验手段,研究已服役炉管及氧化膜的形貌、组织结构、氧化膜与基体结合状况及氧化膜的抗结焦性能。结果表明,经过低氧分压处理后,已服役炉管试样表面的Fe,Ni元素含量降低,表面形成了以MnCr2O4和Cr2O3为主的氧化膜,氧化膜的临界载荷为9.25N,结焦抑制率达到69.92%,具有明显的防催化结焦效果。 展开更多
关键词 已服役炉管 低氧分压 氧化膜 防结焦
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氧分压对直流磁控溅射氧化钨薄膜结构和组成的影响 被引量:3
6
作者 王美涵 温佳星 +1 位作者 龙海波 侯朝霞 《沈阳大学学报(自然科学版)》 CAS 2015年第2期93-97,共5页
采用直流反应磁控溅射,在不同氧分压条件下制备了氧化钨薄膜,并对薄膜进行了热处理.通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-VIS)等手段表征了氧化钨薄膜的晶体结构、... 采用直流反应磁控溅射,在不同氧分压条件下制备了氧化钨薄膜,并对薄膜进行了热处理.通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见光谱(UV-VIS)等手段表征了氧化钨薄膜的晶体结构、表面形貌、化学组成以及透射率.结果表明:沉积所得氧化钨薄膜均为无定形结构,经400℃热处理后转变为单斜晶体结构;薄膜表面形貌受氧分压和热处理影响较大;沉积所得氧化钨薄膜的化学分子式应为WO3-x形式,热处理使得薄膜的成分趋近于WO3;薄膜颜色随着氧分压的增加逐渐变浅,当氧分压达到0.2Pa以上时,薄膜呈现完全透明. 展开更多
关键词 氧化钨薄膜 磁控溅射 氧分压 结构 组成
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HP40合金抗结焦氧化膜的性能 被引量:1
7
作者 袁霞光 《化学反应工程与工艺》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期166-171,共6页
在低氧分压气氛下氧化HP40合金,在合金表面形成具有抑制催化结焦能力的氧化膜,并采用X射线能量色散谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析氧化膜的元素成分、物相结构、表面和截面形貌,用热重天平分... 在低氧分压气氛下氧化HP40合金,在合金表面形成具有抑制催化结焦能力的氧化膜,并采用X射线能量色散谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析氧化膜的元素成分、物相结构、表面和截面形貌,用热重天平分析氧化膜的增重规律,用结焦实验评价氧化膜的抗结焦性能。结果表明:经低氧分压处理后,在金属表面形成的氧化膜由表及里分为3层,分别为MnCr_2O_4尖晶石层、Cr_2O_3层和SiO_2层,氧化膜的厚度约为2μm,氧化温度为900℃时氧化膜的结焦抑制率可达到90%,氧化膜可有效抑制丝状催化焦炭的产生。 展开更多
关键词 合金 低氧分压 氧化膜 结焦
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高度(002)择优取向Li^+掺杂ZnO薄膜的制备和性能
8
作者 陈祝 张树人 杨成韬 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期371-376,共6页
制备了不同摩尔浓度Li^+掺杂ZnO-Li_(0.022)陶瓷靶、并用RF射频磁控溅射工艺在Si(100)基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射温度、氧分压和溅射功率等对ZnO薄膜微结构、表面形貌和择优取向的影响.结果表明:Li^+的最佳掺杂量(摩尔分数)为2.2%,R... 制备了不同摩尔浓度Li^+掺杂ZnO-Li_(0.022)陶瓷靶、并用RF射频磁控溅射工艺在Si(100)基片上制备ZnO薄膜,研究了溅射温度、氧分压和溅射功率等对ZnO薄膜微结构、表面形貌和择优取向的影响.结果表明:Li^+的最佳掺杂量(摩尔分数)为2.2%,RF溅射的最佳基片温度T_s小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar:O_2=20:5,溅射功率50~60W;制备出的ZnO薄膜高度c轴(002)择优取向、均匀、致密,其绝缘电阻率ρ为4.12×10~8Ω·cm,满足研制声表面波器件(SAW)的要求. 展开更多
关键词 无机非金属材料 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 择优取向 氧分压
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低氧分压预处理对镍基合金028耐蚀性的影响
9
作者 陈立强 韩昱琼 +1 位作者 郑树启 陈长风 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2013年第1期22-25,29,共5页
对镍基合金Alloy028在900℃进行低氧分压预处理10h,金相观察和硬度测试结果表明,预处理后析出物减少,组织得到细化,硬度明显提高。SEM、EDS及XRD分析比较试样表面微观形貌与结构特征表明,预处理后钝化膜形成元素Cr在表面发生富集,且部... 对镍基合金Alloy028在900℃进行低氧分压预处理10h,金相观察和硬度测试结果表明,预处理后析出物减少,组织得到细化,硬度明显提高。SEM、EDS及XRD分析比较试样表面微观形貌与结构特征表明,预处理后钝化膜形成元素Cr在表面发生富集,且部分形成由Cr2O3和NiCr2O4组成的氧化膜。极化曲线测试表明,预处理后合金的自腐蚀电位从-0.37V正移至-0.25V(SCE),腐蚀电流密度比空白试样显著降低。电化学阻抗测试表明,预处理试样的电荷转移电阻比空白试样提高一个数量级,膜电阻提高2倍多。 展开更多
关键词 镍基合金 表面预处理 低氧分压 氧化膜 极化曲线 电化学阻抗谱
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氧分压对直流磁控溅射铟锡氧化物(ITO)导电薄膜结构和性能的影响
10
作者 吴茵 廖红卫 +1 位作者 陈曙光 陈建兵 《湖南有色金属》 CAS 2007年第2期40-42,共3页
通过直流磁控溅射热等静压铟锡氧化物(ITO)靶材制备ITO导电薄膜,并且针对O2-Ar混合气氛中氧的分压对ITO膜的结构、表面形貌、透光率以及导电率的影响进行了研究。结果表明,在低氧分压的条件下溅射,膜的(400)面非常显著地择优取向平行于... 通过直流磁控溅射热等静压铟锡氧化物(ITO)靶材制备ITO导电薄膜,并且针对O2-Ar混合气氛中氧的分压对ITO膜的结构、表面形貌、透光率以及导电率的影响进行了研究。结果表明,在低氧分压的条件下溅射,膜的(400)面非常显著地择优取向平行于玻璃表面,而随着氧分压的升高却表现为膜的(222)面择优取向平行于玻璃表面。同时,随着氧分压的升高,膜的表面粗糙度变小,膜的结构变得更细腻。膜的可见光透过率在氧分压增大的情形下有少许增大,但是膜的导电率却略有下降。 展开更多
关键词 锢锡氧化物 薄膜 氧分压
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部分反硝化耦合厌氧氨氧化IFAS系统脱氮性能 被引量:6
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作者 余浩涛 于莉芳 +5 位作者 李韧 高宇 张琼 乔冰闯 郑兰香 彭党聪 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期4107-4114,共8页
采用部分反硝化活性污泥耦合厌氧氨氧化生物膜处理低碳氮比废水(C/TN=1.63),考察生物膜-活性污泥复合系统(IFAS)进行部分反硝化耦合厌氧氨氧化(PD/A)处理低碳氮比废水的可行性及其耦合后两相中功能菌活性与菌群分布变化规律.结果显示,... 采用部分反硝化活性污泥耦合厌氧氨氧化生物膜处理低碳氮比废水(C/TN=1.63),考察生物膜-活性污泥复合系统(IFAS)进行部分反硝化耦合厌氧氨氧化(PD/A)处理低碳氮比废水的可行性及其耦合后两相中功能菌活性与菌群分布变化规律.结果显示,系统耦合运行期间,出水TN为(5.07±0.2)mg/L,去除率为(90.7±0.1)%,厌氧氨氧化途径对TN去除的贡献率高达(86.61±3.4)%;固着相对厌氧氨氧化活性的贡献率为100%,悬浮相上,μ(NO_(3)^(-)-N)占比为99.32%,μ(NO_(2)--N)占比为99.22%;与耦合前相比,悬浮相中硝酸盐还原酶(Nar)活性由(0.43±0.05)μmol/(mg protein·min)增加至(0.49±0.09)μmol/(mg protein·min),亚硝酸盐转化率明显升高[(70±2.2)%~(90.01±2.3)%];Illumina MiSeq结果显示,固着相上的优势菌属为Candidatus_Brocadia,且耦合前后丰度无明显变化(33.61%~33.43%),悬浮相上反硝化菌属Prosthecobacter,Ferruginibacter,OLB8丰度增加.以上结果表明,在IFAS系统中可以实现稳定的PD/A协同脱氮,耦合后部分反硝化由悬浮相主导,厌氧氨氧化由固着相主导,厌氧氨氧化菌(AnAOB)与反硝化菌对NO2--N的竞争强化了悬浮相部分反硝化能力. 展开更多
关键词 生物膜-活性污泥复合工艺 低碳氮比 部分反硝化 厌氧氨氧化 群落结构 高通量测序
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氧分压对磁控溅射制备IGZO薄膜光电特性的影响 被引量:2
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作者 吴海波 董承远 +1 位作者 林世宏 吴娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期132-136,共5页
通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.015,0.06和0.24Pa下制备了不同样品。样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪... 通过磁控溅射技术在玻璃基板上制备氧化铟镓锌(IGZO)薄膜,为了研究不同氧分压对IGZO薄膜结构及光电特性的影响,在不同的氧分压0,0.015,0.06和0.24Pa下制备了不同样品。样品的沉积速率、成分结构、面电阻及光电性质分别用椭偏仪、X射线光电子能谱(XPS)和四点探针等方法进行了测量。实验结果表明,随着氧分压的增大,IGZO薄膜的沉积速率呈下降趋势,不同氧分压的IGZO薄膜的元素比例(In:Ga:Zn)差异不大,在可见光的范围内其氧分压为0Pa以上时,IGZO薄膜平均透过率均超过80%,阻值随氧分压的增加而增大。制作了不同氧分压以IGZO为沟道层的薄膜晶体管,其迁移率为5.93~9.42cm^2·V^-1·s^-1,阈值电压为3.8~9.2V。 展开更多
关键词 氧化铟镓锌(IGZO)薄膜 薄膜晶体管(TFT) 磁控溅射 氧分压 光电特性
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Effects of oxygen partial pressure on optical absorption edge and UV emission energy of ZnO films 被引量:8
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作者 洪瑞金 邵建达 +1 位作者 贺洪波 范正修 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第7期428-431,共4页
The optical absorption edge and ultraviolet (UV) emission energy of ZnO films deposited by direct current (DC) reactive magnetron sputtering at room temperature have been investigated. With the oxygen ratio increasing... The optical absorption edge and ultraviolet (UV) emission energy of ZnO films deposited by direct current (DC) reactive magnetron sputtering at room temperature have been investigated. With the oxygen ratio increasing, the structure of films changes from zinc and zinc oxide coexisting phase to single-phase ZnO and finally to the highly (002) orientation. Both the grain size and the stress of ZnO film vary with the oxygen partial pressure. Upon increasing the oxygen partial pressure in the growing ambient, the visible emission in the room-temperature photoluminescence spectra was suppressed without sacrificing the band- edge emission intensity in the ultraviolet region. The peaks of photoluminescence spectra were located at 3.06—3.15 eV. Prom optical transmittance spectra of ZnO films, the optical band gap edge was observed to shift towards shorter wavelength with the increase of oxygen partial pressure. 展开更多
关键词 film preparation Grain size and shape Light absorption Magnetron sputtering OXYGEN partial pressure PHOTOLUMINESCENCE Ultraviolet spectroscopy Zinc oxide
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氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响
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作者 孙建明 周婷婷 +6 位作者 任庆荣 胡合合 陈宁 宁策 王路 刘文渠 李东升 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期558-562,共5页
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压... 采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5V增加到2.2V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30V偏压3 600s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1V增加到9V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。 展开更多
关键词 铟镓锌氧薄膜晶体管 氧分压 阈值电压漂移 电子积累层
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铟镓锌氧化物薄膜晶体管制备及性能研究 被引量:2
15
作者 王海宏 焦峰 +5 位作者 马群刚 杨旭 毛荷英 姚礼 李广录 黄雪峰 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期397-401,共5页
为了实现高质量刻蚀阻挡型InGaZnO薄膜晶体管(IGZOTFT)器件,研究了IGZO TFT关键制备工艺,其中重点探讨了IGZO成膜氧分压、退火工艺、IGZO成膜均一性对于IGZO TFT电学特性的影响。通过优化成膜和退火工艺在G6玻璃基板上制作的IGZOTFT器件... 为了实现高质量刻蚀阻挡型InGaZnO薄膜晶体管(IGZOTFT)器件,研究了IGZO TFT关键制备工艺,其中重点探讨了IGZO成膜氧分压、退火工艺、IGZO成膜均一性对于IGZO TFT电学特性的影响。通过优化成膜和退火工艺在G6玻璃基板上制作的IGZOTFT器件,阈值电压0.72 V,亚阈值摆幅0.2 V/dec,迁移率9.57 cm^2/V·s,Ion/Ioff>10~8,IGZO TFT大基板阈值电压均一性最大偏差小于2 V。最后进行了IGZO TFT长期稳定性测试以及正负偏压应力测试,结果表明IGZO TFT器件经过长时间空气暴露会导致特性劣化,负向偏压应力劣化较为明显。所制备的刻蚀阻挡型IGZO TFT器件可以满足高质量液晶显示的要求。 展开更多
关键词 铟镓锌氧化物半导体 氧分压 退火 膜厚均一性
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结构复杂件表面功能性工艺技术研究
16
作者 李俊英 葛歆 《电光系统》 2010年第4期59-61,43,共4页
为了解决结构复杂件腔体内表面局部导电、局部硫酸阳极氧化发黑工艺技术难题,文章设计实验方案,确定遮蔽层的涂覆工艺、固化曲线、剥离工艺。通过遮蔽层对导电表面与硫酸阳极氧化溶液的有效隔离,实现了对设备需要导电表面保护的状态... 为了解决结构复杂件腔体内表面局部导电、局部硫酸阳极氧化发黑工艺技术难题,文章设计实验方案,确定遮蔽层的涂覆工艺、固化曲线、剥离工艺。通过遮蔽层对导电表面与硫酸阳极氧化溶液的有效隔离,实现了对设备需要导电表面保护的状态。结果表明此设计方案能满足结构复杂件功能性工艺设计要求。 展开更多
关键词 遮蔽层 结构复杂 硫酸阳极氧化 局部导电
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可钢化双银低辐射镀膜玻璃生产改进 被引量:1
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作者 赵岩 《江苏建材》 2021年第3期4-5,共2页
通过对低辐射镀膜玻璃现有技术进行分析,运用磁溅射镀膜技术解决现有膜系的小角度反射发红问题,降低钢化后的颜色变化。
关键词 可钢化 双银低辐射镀膜玻璃 膜系设计 镍镉膜的部分氧化
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氧分压对射频溅射制备ZTO沟道层的薄膜晶体管器件性能的影响
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作者 施苏恒 岳兰 +2 位作者 孟繁新 陈家荣 任达森 《半导体光电》 CAS 北大核心 2023年第1期92-97,共6页
以锌锡氧化物(ZTO)薄膜作为沟道层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为介质层低温(100℃)制备了顶栅共面结构的薄膜晶体管(TFT),并研究了ZTO沟道层成膜过程中氧分压对器件性能的影响。结果表明,ZTO沟道层具有稳定的非晶结构、较高的可见光... 以锌锡氧化物(ZTO)薄膜作为沟道层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为介质层低温(100℃)制备了顶栅共面结构的薄膜晶体管(TFT),并研究了ZTO沟道层成膜过程中氧分压对器件性能的影响。结果表明,ZTO沟道层具有稳定的非晶结构、较高的可见光透明性(在400~700 nm范围内平均透过率大于等于89.61%),且增大氧分压有利于其可见光透明性的提升。霍尔测试结果表明,增大氧分压(由3.5×10^(-2)Pa增大到7.5×10^(-2)Pa)会降低ZTO电子载流子浓度(由4.73×10^(15)cm^(-3)降低到6.11×10^(12)cm^(-3)),致使基于ZTO沟道层TFT器件的能耗降低(表现为关态电流的降低和耗尽型器件阈值电压的正向移动)。此外,增大氧分压还有益于沟道层/介质层界面状态的优化,即亚阈值摆幅减小。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 锌锡氧化物 氧分压 顶栅结构 低温
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氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响(英文)
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作者 彭光怀 李金琼 +2 位作者 温和瑞 廖金生 洪瑞金 《电池工业》 CAS 2018年第1期39-44,共6页
通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,... 通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400℃和5∶100(O_2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(<80Ω/sq)和较高的平均透过率(>80%)。 展开更多
关键词 铝掺杂氧化锌薄膜 磁控溅射 氧分压 沉积温度 透明导电薄膜
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浅析磁控溅射部分氧化镍铬膜工艺
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作者 郭明 张珮珮 《玻璃》 2011年第9期29-36,共8页
通过对磁控溅射部分氧化镍铬膜工艺的研究,指出在不同工艺气体流量下,在不同溅射功率下,如何稳定控制部分氧化镍铬膜的生产。
关键词 磁控溅射 镍铬膜 部分氧化 气体流量 阴极电压
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