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基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器
被引量:
4
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作者
蔡道林
陈后鹏
+9 位作者
王倩
丁晟
富聪
陈一峰
宏潇
李喜
陈小刚
刘波
宋志棠
封松林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期601-605,共5页
采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的...
采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。
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关键词
相变存储器
互补型金属氧化物半导体电路
疲劳特性
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职称材料
题名
基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器
被引量:
4
1
作者
蔡道林
陈后鹏
王倩
丁晟
富聪
陈一峰
宏潇
李喜
陈小刚
刘波
宋志棠
封松林
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期601-605,共5页
基金
国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003)
国家重点基础研究发展计划资助项目(2007CB935400,2010CB934300,2011CB309602,2011CB932800)
+1 种基金
国家自然科学基金资助项目(60906004,60906003,61006087,61076121)
上海市科委资助项目(09QH1402600,1052nm07000)
文摘
采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。
关键词
相变存储器
互补型金属氧化物半导体电路
疲劳特性
Keywords
phase change random access memory cmos circuit endurance characteristics
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于0.13μm工艺的8Mb相变存储器
蔡道林
陈后鹏
王倩
丁晟
富聪
陈一峰
宏潇
李喜
陈小刚
刘波
宋志棠
封松林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
4
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职称材料
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