光学刻蚀分辨率的极限

<正> 近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2～3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的面积上包含有1.4×10~3 个元件.微细加工技术(特别是刻蚀技术)的日益进步是推动这种发展的强大动力.在各种刻蚀技术中,当前在微电子工业中发挥重要作用的仍是光学刻蚀方法.