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Low-temperature ferromagnetism in tensile-strained LaCoO_(2.5)thin film
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作者 范洋洋 王晶 +8 位作者 胡凤霞 李宝河 耿爱丛 殷卓 张丞 周厚博 王梦琴 尉紫冰 沈保根 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第8期439-445,共7页
The origin of ferromagnetism in epitaxial strained LaCoO_(3-x)films has long been controversial.Here,we investigated the magnetic behavior of a series of oxygen vacancy-ordered LaCoO_(3-x)films on different substrates... The origin of ferromagnetism in epitaxial strained LaCoO_(3-x)films has long been controversial.Here,we investigated the magnetic behavior of a series of oxygen vacancy-ordered LaCoO_(3-x)films on different substrates.Obvious ferromagnetism was observed in perovskite LaCoO_(3)/LSAT(LSAT=(LaAlO_(3))0.3(SrAlTaO_(6))_(0.7))and LaCoO_(3)/SrTiO_(3) films,while LaCoO_(3)/LaAlO_(3)films showed weak ferromagnetic behavior.Meanwhile,LaCoO_(2.67) films exhibited antiferromagnetic behavior.An unexpected low-temperature ferromagnetic phenomenon with a Curie temperature of~83 K and a saturation magnetization of~1.2μB/Co was discovered in 15 nm thick LaCoO_(2.5)/LSAT thin films,which is probably related to the change in the interface CoO_(6) octahedron rotation pattern.Meanwhile,the observed ferromagnetism gradually disappeared as the thickness of the film increased,indicating a relaxation of tensile strain.Analysis suggests that the rotation and rhombohedral distortion of the CoO_(6) octahedron weakened the crystal field splitting and promoted the generation of the ordered high-spin state of Co^(2+).Thus the super-exchange effect between Co^(2+)(high spin state),Co^(2+)(low spin state)and Co^(2+)(high spin state)produced a low-temperature ferromagnetic behavior.However,compressive-strained LaCoO_(2.5)film on a LaAlO_(3)substrate showed normal anti-ferromagnetic behavior.These results demonstrate that both oxygen vacancies and tensile strain are correlated with the emergent magnetic properties in epitaxial LaCoO_(3-x)films and provide a new perspective to regulate the magnetic properties of transition oxide thin films. 展开更多
关键词 transition metal oxides films oxygen vacancy topological phase transitions MAGNETISM
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VO_(2)薄膜材料的变温光学性质及1550 nm激光防护性能研究
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作者 段嘉欣 江林 +6 位作者 郑国彬 丁长春 黄敬国 刘奕 高艳卿 周炜 黄志明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期150-157,共8页
具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材... 具有半导体-金属态相变性质的二氧化钒材料可用于光电探测器的激光致盲防护。本文报道了基于磁控溅射法制备二氧化钒薄膜材料的结构、形貌特性,以及在不同温度下的光学性质。使用椭偏光谱法测量了20~100℃下可见-近红外波段二氧化钒材料的椭偏参数,利用Gaussian、Lorentz模型获取了薄膜在相变前的光学性质,结合Drude模型拟合获取了材料在相变后的光学特性,获取了材料在300~1700 nm之间的变温折射率和消光系数等参数。变功率下1550 nm红外激光透射率的实验测试研究表明,VO_(2)薄膜样品的相变阈值功率为12 W/cm^(2),相变前后透射率由51%减小到15%~17%,开关率为69%。 展开更多
关键词 激光防护 二氧化钒薄膜 半导体-金属态相变 红外光学性质
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外场对拓扑相变氧化物薄膜物性的调控研究进展
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作者 孙雨婷 李明明 +3 位作者 王玲瑞 樊贞 郭尔佳 郭海中 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期2-11,共10页
钙钛矿型过渡金属氧化物在外场激励下可以通过得失氧离子发生显著的结构拓扑相变,同时伴随着输运、磁性、光学等物性的巨大变化,是近年来被重点关注的研究体系,在固态氧化物燃料电池、氧气传感器、催化活性、智能光学窗口以及神经形态... 钙钛矿型过渡金属氧化物在外场激励下可以通过得失氧离子发生显著的结构拓扑相变,同时伴随着输运、磁性、光学等物性的巨大变化,是近年来被重点关注的研究体系,在固态氧化物燃料电池、氧气传感器、催化活性、智能光学窗口以及神经形态计算器件中具有巨大的应用前景.本工作回顾了近年来国内外研究小组在拓扑相变氧化物薄膜及其物性调控方面的工作进展,详细介绍了这类典型薄膜材料在应力场、电场、光场、温度场等外场激励下呈现出的新奇物性,并讨论了其基本物理机制.本综述旨在进一步认识此类材料中的电荷、晶格、轨道等量子序之间的微观耦合机制及其与宏观物性的关联,相关研究有望为基于功能氧化物的高灵敏度、弱场响应的电子器件提供新材料、新途径和新思路. 展开更多
关键词 拓扑结构相变 氧化物薄膜 氧空位 外场调控
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Nanostructure and thermal-optical properties of vanadium dioxide thin films 被引量:7
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作者 李毅 易新建 张天序 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第12期719-721,共3页
A novel nanopolycrystalline structure of vanadium dioxide thin films is deposited on silicon or fused silica substrates by reactive ion sputtering and followed by an annealing. The characteristic analysis'shows that ... A novel nanopolycrystalline structure of vanadium dioxide thin films is deposited on silicon or fused silica substrates by reactive ion sputtering and followed by an annealing. The characteristic analysis'shows that the films have a columnar nanostructure with an average grain of 8 nm. The resistivities as a function of ambient temperatures tested by four-point probes for as-deposited films present that the transition temperature for nanostructure of vanadium dioxide films is near 35 ℃ which lowers about 33 ℃ in comparison with the transition temperature at 68 ℃ in its microstructure. 展开更多
关键词 Annealing Film preparation Fused silica Morphology Nanostructured materials Optical properties oxides Scanning electron microscopy Substrates Superconducting transition temperature Thermocouples thin films vanadium compounds X ray photoelectron spectroscopy
原文传递
二氧化钒金属-绝缘相变的回线宽度及其调控研究进展
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作者 张化福 周爱萍 +1 位作者 吴志明 蒋亚东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期173-182,共10页
优异的金属-绝缘相变性能使得二氧化钒(VO_(2))具有广阔的应用前景。回线宽度是影响VO_(2)实际应用的一个重要指标,不同类型的器件对回线宽度的要求不同。传感类器件要求VO_(2)的回线宽度要尽量小,而存储类器件则要求VO_(2)具有较大的... 优异的金属-绝缘相变性能使得二氧化钒(VO_(2))具有广阔的应用前景。回线宽度是影响VO_(2)实际应用的一个重要指标,不同类型的器件对回线宽度的要求不同。传感类器件要求VO_(2)的回线宽度要尽量小,而存储类器件则要求VO_(2)具有较大的回线宽度。为了满足不同器件的应用要求,研究人员已通过磁控溅射法、溶胶-凝胶法、聚合物辅助沉积法和脉冲激光沉积法等方法制备了VO_(2),并对其回线宽度进行了研究。本文先从形貌(颗粒大小、颗粒形状和晶界)、元素掺杂和择优取向三个方面对回线宽度的研究进行了总结;然后,对二氧化钒回线宽度的调控机理进行了讨论;最后,指出当前研究中的不足,并对将来的工作进行了展望。 展开更多
关键词 回线宽度 二氧化钒 金属-绝缘相变 薄膜 智能窗 光电开关 光存储器 表面形貌
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掺杂VO_2相变薄膜的电阻突变特性研究 被引量:11
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作者 徐时清 赵康 +2 位作者 谷臣清 马红萍 方吉祥 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期637-640,共4页
以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2... 以V2 O5和MoO3粉为原料 ,采用无机溶胶 -凝胶法制备了掺Mo6 + 的VO2 相变薄膜。对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试 ,结果发现 :所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2 ,所掺入的MoO3与VO2 完全互溶 ,但其中MoO3的价态未发生改变。掺杂薄膜随MoO3含量的增加其电阻突变温度明显下降 ,然而电阻突变量级也随之降低 ,当MoO3的质量分数为 5 %时 ,薄膜电阻突变温度降至 3 0℃左右 ,电阻突变量级仍可保持 2个数量级左右 。 展开更多
关键词 掺杂 VO2 相变薄膜 电阻突变特性 研究 氧化钒 无机溶胶-凝胶法
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氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性 被引量:18
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作者 袁宁一 李金华 林成鲁 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期572-575,共4页
氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的应用已成为国际上新颖功能材料研究的热点之一。本文综述了V2 O5和VO2 薄膜电学性能与薄膜组分和结构的相关性 。
关键词 氧化钒薄膜 相变 热电阻温度系数 功能材料
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磁控溅射氧化钒薄膜的相成分及电阻-温度特性 被引量:24
8
作者 王银玲 李美成 赵连城 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1077-1080,共4页
采用磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了VOx薄膜。利用X射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)及四探针测试方法,研究了制备工艺条件对薄膜的相成分和电阻-温度特性的影响,并测试分析了薄膜的电学热稳定性。结果表明:通过这种方法制备... 采用磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了VOx薄膜。利用X射线衍射(XRD)分析、原子力显微镜(AFM)及四探针测试方法,研究了制备工艺条件对薄膜的相成分和电阻-温度特性的影响,并测试分析了薄膜的电学热稳定性。结果表明:通过这种方法制备的氧化钒薄膜具有较高的电阻温度系数及良好的电学热稳定性,可作为微测辐射热计的热敏材料。 展开更多
关键词 氧化钒 电阻-温度特性 热稳定性 相变
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晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响 被引量:6
9
作者 梁继然 胡明 +3 位作者 阚强 陈涛 梁秀琴 陈弘达 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期58-62,74,共6页
采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究。结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子... 采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究。结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;经360℃热处理后,氧化钒薄膜表面变得致密,晶粒之间出现了联并;电学和光学相变特性的表征结果表明,电学与光学相变温度随晶粒尺寸的增加而减小;电学相变持续的温度宽度为30℃,而光学相变持续的温度宽度仅为8℃,相变持续的温度宽度保持不变。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 晶粒尺寸 光学相变
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云母衬底掺钼二氧化钒薄膜热致相变性能研究 被引量:8
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作者 张月 颜家振 +2 位作者 黄婉霞 刘小杰 涂铭旌 《钢铁钒钛》 CAS 2008年第2期5-8,共4页
采用溶胶凝胶法在云母衬底上制备出掺杂Mo的VO2薄膜,并采用XRD、AFM、XPS、FTIR等检测手段,对掺杂薄膜的物相组成、微观形貌、相变温度进行分析。结果表明:在云母片表面制备出的掺杂的VO2薄膜呈(011)晶面取向生长,并且每增加1%的Mo掺杂... 采用溶胶凝胶法在云母衬底上制备出掺杂Mo的VO2薄膜,并采用XRD、AFM、XPS、FTIR等检测手段,对掺杂薄膜的物相组成、微观形貌、相变温度进行分析。结果表明:在云母片表面制备出的掺杂的VO2薄膜呈(011)晶面取向生长,并且每增加1%的Mo掺杂量,其相变温度下降7.82℃,掺杂后降低了样品的滞回温宽,而且薄膜相变前后红外透过率的变化量仍保持较高。 展开更多
关键词 二氧化钒 薄膜 钼掺杂 相变温度
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磁控溅射结合快速热处理制备相变氧化钒薄膜 被引量:5
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作者 吕志军 胡明 +3 位作者 陈涛 后顺保 梁继然 栗力 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第1期27-32,55,共7页
采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特... 采用直流对靶磁控溅射结合快速热处理工艺制备了具有金属-半导体相变特性的氧化钒(VOx)薄膜。利用XRD,XPS和SEM对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,利用四探针测试法及太赫兹时域频谱系统对薄膜的电学和光学特性进行测量。结果表明:新制备VOx薄膜以非晶态V2O5为主;350℃,30 s快速热处理后,薄膜中V的整体价态降低,表面颗粒分布更加致密;500℃,30 s快速热处理后,薄膜中VO2(002)向单斜结构的VO2(011)转变,VO2(011)占主要成分,薄膜显示出明显的金属-半导体相变特性,方块电阻下降达到3个数量级,太赫兹透过率下降接近70%,热致相变性能良好。 展开更多
关键词 溅射 氧化钒薄膜 相变 快速热处理 光电性能
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工业VO_2薄膜的电阻突变及其稳定性 被引量:3
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作者 杨绍利 徐楚韶 +1 位作者 陈厚生 胡再勇 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期925-930,共6页
以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0~ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温... 以工业V2 O5为原料 ,采用热分解法和还原法制备工业VO2 薄膜。研究了制备工艺参数对电阻突变的影响及其在自然放置条件下的稳定性。结果表明 :1)VO2 薄膜的电阻突变达到了 2 .0~ 3.4个数量级 ,突变温度约为 35℃ ,比纯VO2 薄膜突变温度约低 33℃ ;2 )石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级比普通玻璃上的大 ;3)H2 还原法制备的VO2 薄膜电阻突变数量级比N2 热分解法制备的大 ;4)在自然放置条件下短时间内VO2 薄膜可承受连续、反复多次的电阻突变 ,其突变数量级降低不多 ,突变温度滞后几乎没有变化 ;5 )同等条件下石英玻璃上的VO2 薄膜的电阻突变数量级降低较小。 展开更多
关键词 V2O5 VO2 薄膜 M-S相变 电阻突变 稳定性 热分解法 还原法 二氧化钒 金属—半导体相变
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纳秒激光作用下二氧化钒薄膜相变特性 被引量:6
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作者 李宏哲 盛传祥 +5 位作者 厉申博 顾国华 任侃 陈钱 何伟基 袁国亮 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期290-294,共5页
采用脉冲激光沉积法制备了VO2薄膜,应用X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明样品为多晶薄膜。采用泵浦-探针方法研究了二氧化钒薄膜的相变特性,实验结果表明当激光重复频率为160 Hz时,样品最小相变响应为12ns,相变恢复时间与激光能量按... 采用脉冲激光沉积法制备了VO2薄膜,应用X射线衍射和X射线光电子能谱分析表明样品为多晶薄膜。采用泵浦-探针方法研究了二氧化钒薄膜的相变特性,实验结果表明当激光重复频率为160 Hz时,样品最小相变响应为12ns,相变恢复时间与激光能量按照自然指数关系变化。仿真结果表明当激光能量一定时,二氧化钒薄膜相变恢复时间与衬底材料的热导率、热扩散系数有关。 展开更多
关键词 二氧化钒 脉冲激光沉积 光开关 相变响应
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二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性 被引量:6
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作者 谢太斌 李金华 +3 位作者 谢建生 但迪迪 范利宁 袁宁一 《红外技术》 CSCD 北大核心 2005年第5期393-398,共6页
掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性... 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 掺杂改性 相变
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掺杂与热处理温度对VO_2薄膜性能的影响 被引量:16
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作者 吴卫和 王德平 +1 位作者 黄文 秦建中 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第5期548-554,共7页
应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,450℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜,其相变温度大约都在65℃,其中400℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜表... 应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,450℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜,其相变温度大约都在65℃,其中400℃真空热处理温度下得到的VO2薄膜表现出明显的电阻突变现象;在VO2薄膜中掺入W6+,Mo6+,Cu2+(原子比均为2%),VO2薄膜的相变温度得到有效降低,但是掺杂会使VO2薄膜的光学透过性降低. 展开更多
关键词 无机溶胶—凝胶法 二氧化钒薄膜 掺杂 相变
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射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响 被引量:3
16
作者 梁继然 胡明 +3 位作者 梁秀琴 阚强 陈涛 陈弘达 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期847-851,共5页
采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验... 采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明,在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下,氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降;经450,℃热处理后,氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性,相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降;在溅射功率为150,W时,获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜. 展开更多
关键词 二氧化钒 溅射功率 相变 磁控溅射 薄膜
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氧化钒薄膜的成分及相转变的研究 被引量:9
17
作者 陆松伟 侯立松 干福熹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期142-146,共5页
采用溶胶-凝胶浸渍法制备了V_2O_3凝胶薄膜,利用XPS及AES分析了不同条件下热处理得到的薄膜的表面成分。实验证明在真空6.67Pa下400℃至500℃热处理2h,得到了具有热诱导可逆相转变效应的VO_2薄膜,相转变后近红外区域内薄膜的透过率明显... 采用溶胶-凝胶浸渍法制备了V_2O_3凝胶薄膜,利用XPS及AES分析了不同条件下热处理得到的薄膜的表面成分。实验证明在真空6.67Pa下400℃至500℃热处理2h,得到了具有热诱导可逆相转变效应的VO_2薄膜,相转变后近红外区域内薄膜的透过率明显降低,分析了热处理制度与相转变之间的关系。 展开更多
关键词 氧化钒 凝胶薄膜 薄膜 相转变
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相变光透射特性具有窗口结构的VO_2薄膜 被引量:3
18
作者 卢勇 林理彬 +1 位作者 廖志君 何捷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期107-109,共3页
利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的VO2薄膜,通过改变制备过程中的条件,发现在一定的制备参数下,可得到光透射特性具有窗口形状的热致相变薄膜,该类薄膜相变前后在600~850nm范围出现显著透光度窗口状... 利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的VO2薄膜,通过改变制备过程中的条件,发现在一定的制备参数下,可得到光透射特性具有窗口形状的热致相变薄膜,该类薄膜相变前后在600~850nm范围出现显著透光度窗口状变化现象。利用XRD、XPS对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析,结果显示利用无机溶胶-凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现,衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论,得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于V3+和衬底扩散离子Na+的共同作用。 展开更多
关键词 热致相变 光学性质 光学材料 二氧化钒薄膜
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热氧化法制备二氧化钒薄膜及其相变温度研究 被引量:7
19
作者 曾富强 叶勤 +2 位作者 张俊双 王权康 李仕萍 《真空》 CAS 北大核心 2011年第2期22-24,共3页
采用直流磁控溅射在普通玻璃衬底上沉积金属V膜,然后在空气中热氧化制备VO2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和X射线衍射光电子能谱仪(XPS)分析氧化温度对薄膜的微观结构、光学透过率、相变... 采用直流磁控溅射在普通玻璃衬底上沉积金属V膜,然后在空气中热氧化制备VO2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和X射线衍射光电子能谱仪(XPS)分析氧化温度对薄膜的微观结构、光学透过率、相变温度及其组分的影响。结果表明:金属V膜在空气中400℃热氧化1 h得到相变温度约为50℃和热滞宽度约10℃的二氧化钒薄膜。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 热氧化 磁控溅射 相变温度
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VO_2薄膜相变及其温度滞后 被引量:3
20
作者 胡再勇 徐楚韶 +1 位作者 杨绍利 陈光碧 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期421-424,共4页
以攀钢产V2O5为原料,采用无机胶体法制备电阻突变VO2薄膜,研究了VO2薄膜的电阻突变温度、突变数量级及其突变温度滞后. 结果表明,VO2薄膜相变温度为35oC,制备方法和衬底材质对VO2薄膜的电阻突变数量级有较大影响. 以普通玻璃和石英玻璃... 以攀钢产V2O5为原料,采用无机胶体法制备电阻突变VO2薄膜,研究了VO2薄膜的电阻突变温度、突变数量级及其突变温度滞后. 结果表明,VO2薄膜相变温度为35oC,制备方法和衬底材质对VO2薄膜的电阻突变数量级有较大影响. 以普通玻璃和石英玻璃作衬底、用H2还原法,可使VO2薄膜的电阻突变达到2-3个数量级,用N2热分解法仅能达到1.5~2个数量级;普通玻璃衬底上VO2薄膜的电阻突变数量级小于石英玻璃衬底上的VO2薄膜的电阻突变数量级. VO2薄膜的电阻突变温度滞后为1~6oC,电阻突变数量级、衬底材质和制备方法对其有较大影响. 展开更多
关键词 无机胶体法 M-S相变 温度滞后 二氧化钒薄膜 电阻突变
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