石墨相氮化碳在玉米赤霉烯酮降解中的应用

采用传统的热裂解法合成了光催化材料——石墨相氮化碳(g-C3N4),研究了其对玉米赤霉烯酮(ZEN)的降解效率。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电镜(TEM)对g-C3N4结构进行了解析。光催化降解实验表明,在紫外光(254 nm,包括185 nm)下,g-C3N4可诱导光催化效应,释放活性氧自由基,降解ZEN。对ZEN光催化降解的实验条件进行了探索。结果表明,当光催化材料的质量为20mg,紫外灯的波长为254nm(功率为50W),初始浓度为0.5μg/mL,照射时间为60 min时,ZEN的降解率为96.0%。同时,对ZEN粉末样品的光催化降解实验条件进行了优化。结果表明,当光催化材料的质量为800mg、紫外灯的波长为254 nm(功率为50 W)、照射时间为50 min时,ZEN的降解率为80.0%。该结果为光催化降解ZEN提供了理论参考和实践依据。

[(ZnS)_(1.5)NH_2(CH_2)_2CH_3]配合物的制备及其光催化活性

报道一种用溶剂热合成技术制备的配位光催化剂 :[(ZnS) 1 .5NH2 (CH2 ) 2 CH3]2 。该化合物完全难溶于水、乙醇、丙酮、氯仿等有机溶剂 ,是一种多聚结构化合物。用该催化剂进行的活性紫X - 2R染料光降解实验表明 。

TiO_2纳米管光催化还原Cr(Ⅵ)的研究

以水热法制备TiO2纳米管,采用X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见漫反射光谱对其结构和性质进行了表征.研究了光催化还原溶液中Cr(Ⅵ)的反应活性,分别考察了煅烧温度、反应溶液的pH、助催化剂对TiO2纳米管光催化还原的影响.实验结果表明,TiO2-550光催化活性最优;酸性条件有利于Cr(Ⅵ)的还原;NiO和Co2O3复合的TiO2-550光催化活性明显提高.

TiO_2光催化氧化的研究进展

概述了TiO2光催化氧化降解水中有机污染物的原理.阐述了提高TiO2光催化氧化活性的一些途径.指出了TiO2光催化氧化的研究现状,如固定相光催化氧化的进展,纳米TiO2的制备、表征及应用,TiO2光催化氧化对处理有机污染物的作用以及TiO2光催化氧化的动力学研究,并指出了今后光催化氧化的研究方向与发展趋势.可以预见光催化氧化将成为新型有效的水处理手段.

铁离子掺杂高岭石基纳米TiO2光催化材料制备及应用研究

选择非金属矿物高岭石作为载体，制备TiO2复合光催化材料，并采用Fe^3＋化合掺杂制备铁掺杂高岭石基纳米TiO2光催化材料。并用其光催化降解含偶氮染料云母珠光颜料工业废水，应用结果表明：Fe^3＋化合掺杂提高了材料的光催化活性且在自然光下的催化效果也有很大的提高．该研究对矿物负载型光催化材料在自然光下降解有机物，抗菌、净化空气的工业应用具有重要意义。

掺杂改性TiO_2光催化剂研究及在建材领域应用

TiO2具有稳定性好、光效率高和不产生二次污染等特点,被认为是最有应用前景的光催化剂。通过金属或非金属掺杂改性的方法可以将只能紫外光激发的TiO2光催化反应红移到可见光区域进行。本文介绍了国内外在可见光激发下掺杂改性TiO2光催化剂的研究进展。并对其在建材领域的应用进行了评述。

铁钴镍氢氧化物的光催化性能研究

The hydroxide of Fe,Co and Ni were prepared by chemical coprecipitation,their themal stability and micorstructure were analyzed by TG-DTA and XRD.The effects of illumination and the dosage of photocatalyst on the efficiency of photo degradation of reaceive dyes were investigated.The relations of their structure and the photocatalytic activity were discussed.

Ni纳米粒子作为电子转移剂和NiS_x作为产氢界面活性位协同增强TiO_2光催化制氢性能（英文）

作为一种传统的半导体光催化材料, TiO_2因具有低价易得、无毒性及稳定性好等优势而一直受到研究者的关注.理论上, TiO_2的能带结构可满足分解水制氢的条件.然而,研究发现TiO_2本身的光催化制氢性能较低,主要是由于TiO_2被光激发后生成的电子和空穴尚未到达材料表面参与反应,就在其体相内发生复合,导致电子参与有效光催化制氢反应的几率较低.近年来,为提高TiO_2的制氢性能,研究者主要通过半导体耦合、元素掺杂、形貌调控和助剂修饰等方式对TiO_2进行改性.其中,助剂表面修饰由于用量少、条件温和并且对主体材料结构影响很小而成为一种常见和有效的改性手段.最常用的电子助剂是贵金属如Au, Ag, Pt和Pd.当TiO_2表面沉积微量的贵金属纳米粒子时,导带上的光生电子被贵金属捕获并迅速转移,将H^+在贵金属表面发生界面还原反应生成H_2,从而有效提高了制氢效率.除了贵金属电子助剂外,还有一些价格较低、产量丰富的非贵金属如Co, Cu, Ni和Bi等也可以作为电子助剂应用于光催化制氢,在提高制氢性能的同时也降低了光催化剂的成本.但在大多数情况下,这些金属材料(除贵金属Pt以外)本身都不能作为有效的界面催化活性位点,表现出较低的界面析氢速率,导致金属-半导体光催化材料的产氢活性低.因此,进一步对金属表面进行改性、增加界面催化活性位点、促进其界面产氢催化反应,对于提高金属-半导体光催化材料的制氢性能非常重要.在金属作为电子传输介质修饰半导体材料的制氢过程中,电子传输介质快速转移光生电子和有效捕获溶液中的H+直接进行界面催化还原反应生成H_2这两个步骤都十分关键.在制备金属-半导体光催化材料时,对于通常的金属材料本身都不能作为界面催化活性位点、缺乏有效的界面产氢活性位点的问题,可通过在金属表面进一步修饰作为界面催化活性位点的基团或离子来解决.本文采用先将Ni纳米粒子光沉积在TiO_2表面、再在水热条件下在Ni纳米粒子表面生成NiS_x的两步法合成了以Ni作为电子转移介质、以NiS_x作为界面催化活性位点共修饰的高效TiO_2光催化剂(称为TiO_2/Ni-NiS_x).研究结果表明,优化后的TiO_2/Ni-NiS_x光催化的最高制氢速率(223.74μmolh^(-1))分别是纯TiO_2, TiO_2/Ni和TiO_2/NiS_x样品的22.2, 8.0和2.2倍.性能增强的原因是Ni纳米粒子作为电子传输体、NiS_x作为界面催化活性位点同时提高了光生电子的转移速率和界面催化反应速率,即Ni和NiS_x两者协同作用增强了TiO_2光催化制氢性能.这种非贵金属助剂和界面活性位点协同作用的方法为设计高制氢性能催化剂提供了新的思路,并有望在光催化领域得到应用.

g-C3N4-W18O49复合光催化剂的制备及其光催化机理研究

通过简单的溶剂热法成功制备出了g-C_3N_4-W_(18)O_(49)复合光催化剂,采用XRD、SEM、TEM以及PL对所得催化剂的物相结构及形貌和光学性能进行了表征,通过降解甲基橙和光解水产氢实验研究所得催化剂的催化性能及其催化机理。由实验可知,W_(18)O_(49)的含量为50%时所得g-C_3N_4-W_(18)O_(49)复合光催化剂的降解性能最好,其降解率比纯g-C_3N_4纳米片提高48%;为进一步研究复合光催化剂的电子-空穴传输机理,我们又进行了光解水制氢实验。结果表明:单一的W_(18)O_(49)无产氢活性,它的复合明显降低了g-C_3N_4的产氢速率,说明复合结构中光生电子是从g-C_3N_4传递到了W_(18)O_(49),表现出明显的Ⅱ型异质结复合特征,而不是部分文献所提出的Z型方式。