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无平面结敏感区硅光二极管
1
作者
尹长松
李晓军
+1 位作者
谷增云
王林
《武汉大学学报(自然科学版)》
CSCD
1997年第5期647-649,共3页
研制了在平面PN结内无敏感区的硅光探测器,测量了这种新结构器件的光电转换特性,说明在光照下,器件的光电流不为零值.
关键词
光敏二极管
面积
pn
结
平面结敏感区
硅光二极管
下载PDF
职称材料
通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
2
作者
谢自力
夏德谦
+1 位作者
陈宏毅
朱志明
《半导体杂志》
1997年第3期4-8,共5页
通过温度压力改变,使整个LECGaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SIGaAs单晶。单晶表面离解少,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LECSIGaAs单晶生长过程中As的挥发和生长环境压力...
通过温度压力改变,使整个LECGaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SIGaAs单晶。单晶表面离解少,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LECSIGaAs单晶生长过程中As的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。
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关键词
液封直拉法
化学配比
结构缺陷
砷化镓
单晶生长
下载PDF
职称材料
题名
无平面结敏感区硅光二极管
1
作者
尹长松
李晓军
谷增云
王林
机构
武汉大学物理学系
出处
《武汉大学学报(自然科学版)》
CSCD
1997年第5期647-649,共3页
文摘
研制了在平面PN结内无敏感区的硅光探测器,测量了这种新结构器件的光电转换特性,说明在光照下,器件的光电流不为零值.
关键词
光敏二极管
面积
pn
结
平面结敏感区
硅光二极管
Keywords
photodiode
,
small area pn junction
,
the photodetector without sensitive area in the planar junction
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
2
作者
谢自力
夏德谦
陈宏毅
朱志明
机构
南京电子器件研究所
出处
《半导体杂志》
1997年第3期4-8,共5页
文摘
通过温度压力改变,使整个LECGaAs单晶生长过程As损失最小。获得了化学配比较好的SIGaAs单晶。单晶表面离解少,特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了LECSIGaAs单晶生长过程中As的挥发和生长环境压力对生长的单晶位错密度的影响。
关键词
液封直拉法
化学配比
结构缺陷
砷化镓
单晶生长
Keywords
Optical communication
small area pn junction
the
photodetector
without
sensitive
area
in
the
planar
junction
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无平面结敏感区硅光二极管
尹长松
李晓军
谷增云
王林
《武汉大学学报(自然科学版)》
CSCD
1997
0
下载PDF
职称材料
2
通过温度压力控制LEC-GaAs单晶化学配比的实验研究
谢自力
夏德谦
陈宏毅
朱志明
《半导体杂志》
1997
0
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职称材料
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