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Influence of time-periodic potentials on electronic transport in double-well structure
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作者 李春雷 徐燕 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第5期488-493,共6页
Within the framework of the Floquet theorem, we have investigated single-electron photon-assisted tunneling in a double-well system using the transfer matrix technique. The transmission probability displays satellite ... Within the framework of the Floquet theorem, we have investigated single-electron photon-assisted tunneling in a double-well system using the transfer matrix technique. The transmission probability displays satellite peaks on both sides of the main resonance peaks and these satellite peaks originate from emission or absorption photons. The single-electron resonance tunneling can be controlled through changing the applied harmonically potential positions, such as driven potential in wells, in barriers, or in whole double-well systems. This advantage should be useful in the optimization of the parameters of a transmission device. 展开更多
关键词 photon-assisted tunneling transmission probability quantum well
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由薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构
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作者 董振铭 《科技创新与应用》 2020年第5期50-52,共3页
介绍一个通过薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构的方法。给薄层金属加一个垂直表面的电场,由于量子隧穿效应,电子可以越过金属的逸出势垒发射出,称为金属电子的冷发射[1]。根据金属电子的冷发射电流可以确定隧穿电子数目,... 介绍一个通过薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构的方法。给薄层金属加一个垂直表面的电场,由于量子隧穿效应,电子可以越过金属的逸出势垒发射出,称为金属电子的冷发射[1]。根据金属电子的冷发射电流可以确定隧穿电子数目,得出隧穿概率和透射系数,由透射系数和逸出势垒的关系,可得金属表面逸出功。由逸出势垒、势垒宽度和金属电子能级的关系可以研究金属的表面结构。 展开更多
关键词 量子隧穿 势垒 逸出功 冷发射 隧穿概率 透射系数 金属电子能级
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双量子阱中光子辅助电子自旋隧穿
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作者 李春雷 徐燕 +1 位作者 张燕翔 叶宝生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期374-379,共6页
采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电... 采用单电子有效质量近似理论,Floquet理论和传递矩阵方法,对包含时间周期场的双量子阱中单电子的自旋隧穿特性进行了研究,对InP/InAs半导体材料进行了数值计算.重点研究了Rashba型和Dresselhaus型自旋轨道耦合、量子阱结构以及偏压对电子隧穿的影响.这些结果可以为设计和调控半导体自旋电子器件提供一定的理论依据. 展开更多
关键词 光子辅助隧穿 隧穿概率 量子阱
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