光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后 ,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路 ,描述了光电双基区晶体管 (PDUBAT)

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。

基于双基区晶体管结构的光控振荡器

采用 DUBAT(双基区晶体管 )和光电二极管构成新型无电感光控振荡器 ,并对其等效电路进行了模拟 ,分析了工作原理 .实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比 ,可实现光的模数转化 .由于 DU BAT结构简单 ,与集成电路工艺兼容 ,成本低廉 。

一种OLED双稳态驱动电路的设计方案

以光电双基区晶体管为驱动器,设计了一种有机电致发光显示器(OLED)双稳态驱动电路的方案,通过实验得出了输入光功率和输出光功率的光学双稳态的特性曲线,并对该双稳态电路在OLED驱动的应用上进行了分析。

双二极管静电放电保护电路中衬底三极管开启电压的研究

双二极管静电放电(ESD)保护电路是常用的ESD保护网络之一。双二极管静电放电保护电路中的高端二极管和P衬底间存在一个寄生衬底三极管。寄生衬底三极管的误触发会影响电路的正常工作甚至触发闩锁。介绍了双二极管ESD保护电路衬底三极管,并研究了寄生衬底三极管的开启电压(Vt1)。TCAD仿真结果表明,通过增大寄生衬底三极管N阱和P阱间的距离,或在N阱和P阱间跨接一个N+或P+区域可有效地改变寄生衬底三极管的开启电压。