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铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
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作者 陈亚波 张洋洋 +2 位作者 姜胜林 刘耀平 郭婷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期379-381,384,共4页
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困... 研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。 展开更多
关键词 大功率压电陶瓷 PZT 相结构 低损耗 体电阻率
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大尺寸高密度压电陶瓷的制备与研究
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作者 李洪平 米佳 +5 位作者 鲜晓军 赵雪梅 许东辉 朱勇 董加和 陈彦光 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期244-246,共3页
该文主要采用固相反应法制备了Pb(1-a-b)Ba_aSr_b(Zr_xTi_y)_(1-c-d)(Bi_(3/2)W_(1/2))_c(S_(b1/2)Nb_(3/2))dO_3四元系压电陶瓷材料,通过各组分的比例调整和适当的掺杂改性,材料横向压电应变常数可达-490pm/V,介电常数为4 500,介电损... 该文主要采用固相反应法制备了Pb(1-a-b)Ba_aSr_b(Zr_xTi_y)_(1-c-d)(Bi_(3/2)W_(1/2))_c(S_(b1/2)Nb_(3/2))dO_3四元系压电陶瓷材料,通过各组分的比例调整和适当的掺杂改性,材料横向压电应变常数可达-490pm/V,介电常数为4 500,介电损耗小于2%;采用干压加冷等静压成型,并优化烧结工艺,制备出该压电材料密度达到理论密度值的99%,尺寸为?170mm×15mm的大尺寸压电陶瓷块体,为大口径变形镜用玻璃基压电陶瓷薄膜的研制奠定了基础。 展开更多
关键词 压电陶瓷 横向压电应变常数 介电常数 介电损耗 大尺寸 高密度
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大功率铅基压电陶瓷材料的研究进展 被引量:1
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作者 晏伯武 《佛山陶瓷》 2007年第5期34-39,共6页
本文综述了大功率压电陶瓷材料的研究进展,介绍了其体系结构、应用和制备方法,最后指出掺杂改性、探索新的材料体系和制备工艺是改进其制备的有效途径。
关键词 压电陶瓷 大功率 低损耗
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一种高效率线性压电陶瓷驱动电源设计 被引量:4
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作者 王乐蓉 韩森 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第3期312-316,共5页
为改善压电陶瓷驱动电源的静态功耗和动态性能,提出了可变静态工作点和工作电压的高压放大器。首先使用恒流源结构的放大器构成典型的高压放大器,然后通过比例微分电路动态调整放大器的工作电流,最后利用多组抽头电源给高压放大器分段供... 为改善压电陶瓷驱动电源的静态功耗和动态性能,提出了可变静态工作点和工作电压的高压放大器。首先使用恒流源结构的放大器构成典型的高压放大器,然后通过比例微分电路动态调整放大器的工作电流,最后利用多组抽头电源给高压放大器分段供电,进一步降低系统功耗。实验结果表明,放大器在10 mA静态电流下,可以动态输出400 mA电流;放大器工作电压可以根据输出电压大小在50 V、100 V、150 V、210 V之间自动切换。放大器在很低的静态电流下可以获得很好的动态特性,满足设计要求。 展开更多
关键词 压电陶瓷 高压放大器 低功耗 微分电路 动态恒流源 分段供电
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大功率收发兼备压电陶瓷材料的制备与性能研究 被引量:1
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作者 鞠超 徐东宇 +1 位作者 孙兆海 黄世峰 《现代技术陶瓷》 CAS 2010年第3期8-12,共5页
采用传统固相烧结法制备Pb0.94Sr0.06(Zr0.53Ti0.47)O3+(Ni2O3+Cr2O3)0.1wt%+xwt%MnO2+ywt%CeO2(简称PCrNi-4)压电陶瓷,通过正交试验设计研究了MnO2掺杂、CeO2掺杂、烧结温度等因素对基体材料性能的影响。利用XRD和SEM,并结合常规电性... 采用传统固相烧结法制备Pb0.94Sr0.06(Zr0.53Ti0.47)O3+(Ni2O3+Cr2O3)0.1wt%+xwt%MnO2+ywt%CeO2(简称PCrNi-4)压电陶瓷,通过正交试验设计研究了MnO2掺杂、CeO2掺杂、烧结温度等因素对基体材料性能的影响。利用XRD和SEM,并结合常规电性能测试手段研究不同影响因素对材料相结构、微观结构以及压电介电性能的影响。结果表明,当w(MnO2)=0.1%,w(CeO2)=0.3%,烧结温度为1280℃时制备的陶瓷综合性能最佳,此条件下的试样各性能参数分别为:d33=304.8pC/N,Kp=0.6113,εT33=1520,tgδ=0.289%,d33×g33=61.12×10-12CVm/N,适合制备大功率收发兼备压电换能器。 展开更多
关键词 大功率收发兼备压电陶瓷 介电损耗 相结构 压电性能
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Bi2O3掺杂Sr0.92Ca0.08TiO3基陶瓷结构与介电性能的研究人工晶体中的“非主流”——有机晶体 被引量:2
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作者 刘杨琼 李红卫 +2 位作者 江俊俊 罗静 那文菊 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第3期555-559,共5页
通过固相反应法以Ca^2+、Bi^3+取代Sr2+制备出Sr0.92-1.5xBixCa0.08TiO3(0.155≤x≤0.195)固溶体,同时加入固定量的MnCO3和ZnO作为改性剂和助烧剂,并通过XRD衍射仪、SEM扫描电镜和LCR分析仪对样品的结构和介电性能进行分析。结果表明,当... 通过固相反应法以Ca^2+、Bi^3+取代Sr2+制备出Sr0.92-1.5xBixCa0.08TiO3(0.155≤x≤0.195)固溶体,同时加入固定量的MnCO3和ZnO作为改性剂和助烧剂,并通过XRD衍射仪、SEM扫描电镜和LCR分析仪对样品的结构和介电性能进行分析。结果表明,当x≥0.165时陶瓷样品中出现第二相;随着Bi^3+含量的增加,介电常数先增大,后减小,且介质损耗先减小后增大。当x=0.16时,得到介电常数ε=1153、介质损耗tgδ1KHz=3.5×10^-4、绝缘强度Eb=9.37 kV/mm的高介低损耗的高压电容器陶瓷介质材料。 展开更多
关键词 SRTIO3 介电性能 低损耗 高压电容器 陶瓷介电材料
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LOSS DETERMINATION METHODOLOGY FOR A PIEZOELECTRIC CERAMIC:NEW PHENOMENOLOGICAL THEORY AND EXPERIMENTAL PROPOSALS
7
作者 KENJI UCHINO YUAN ZHUANG SEYIT OURALy 《Journal of Advanced Dielectrics》 CAS 2011年第1期17-31,共15页
The key factor to the miniaturization of piezoelectric devices is power density,which is limited by the heat generation or loss mechanisms.There are three loss components in general in piezoelectric vibrators/resonato... The key factor to the miniaturization of piezoelectric devices is power density,which is limited by the heat generation or loss mechanisms.There are three loss components in general in piezoelectric vibrators/resonators,i.e.,dielectric,elastic and piezoelectric losses.The mechanical quality factor,determined by these three factors,is the Figure Of Merit(FOM)in the sense of loss or heat generation.In this paper,we introduce a new loss phenomenology and innovative measuring methods based on the theory.First,quality factors at resonance and antiresonance for the k31,k33,kt and k15 vibration modes are derived theoretically,and the methodology for determining loss factors in various orientations(i.e.,loss anisotropy)is provided.For simplicity,we focus on materials with 1mm(equivalent to 6 mm)crystal symmetry for deriving the loss factors of a polycrystalline ceramic,and 14 different loss factors among 20 in total can be obtained from the measurements.Second,we propose the experimental methods for measuring both mechanical quality factors QA and QB at the resonance and antiresonance modes:a continuous admittance/impedance spectrum measuring method(traditional with temperature rise)and a burst mode(to circumvent the temperature effect). 展开更多
关键词 piezoelectric loss factor quality factor high power piezoelectric loss dielectric loss elastic loss admittance/impedance spectrum burst mode
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低强场损耗PZT基压电陶瓷的制备及性能研究
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作者 邓俊涛 褚涛 +1 位作者 钟敏 张珍宣 《功能材料与器件学报》 CAS 2024年第4期213-218,共6页
本文系统的研究了Nb、Mg、Ce、Al、Yb元素掺杂对二元系大功率压电陶瓷材料Pb_(0.97)Sr_(0.03)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_(3)+0.5 mol%CaFeO_(5/2)相结构、压电性能、介电损耗、强场介电损耗、居里温度等的影响。XRD显示所有陶瓷为纯钙钛矿... 本文系统的研究了Nb、Mg、Ce、Al、Yb元素掺杂对二元系大功率压电陶瓷材料Pb_(0.97)Sr_(0.03)(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_(3)+0.5 mol%CaFeO_(5/2)相结构、压电性能、介电损耗、强场介电损耗、居里温度等的影响。XRD显示所有陶瓷为纯钙钛矿结构,不同掺杂元素晶胞参数略有变化,陶瓷的压电常数、晶粒尺寸、机械品质因数和强场介电损耗则随掺杂元素的不同有较大变化,在Mg元素掺杂时,制备的压电陶瓷综合性能最佳,具体参数如下:T_(c)=323℃,ε_(r)=1075,tanδ=0.21%,tanδ=0.33%@400V/mm,k_(p)=0.59,d_(33)=264 pC/N,Q_(m)=1263。 展开更多
关键词 压电常数 低强场损耗 大功率 机械品质因数
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不同SiO2含量对BaO-SrO-PbO-TiO2-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷介电性能的影响 被引量:2
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作者 陈均优 张庆猛 +1 位作者 谭飞虎 周敏 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期935-941,共7页
通过熔融-快冷-可控结晶技术,成功制备出同时含有铌酸盐和钛酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5纳米复合介电材料,并研究了不同SiO2含量对该玻璃陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:800℃晶化处理后,玻璃基体中析出了Pb2Nb2O7,(Ba,... 通过熔融-快冷-可控结晶技术,成功制备出同时含有铌酸盐和钛酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5纳米复合介电材料,并研究了不同SiO2含量对该玻璃陶瓷介电性能的影响。研究结果表明:800℃晶化处理后,玻璃基体中析出了Pb2Nb2O7,(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3 3种晶相;随着结晶温度升高,烧绿石结构的Pb2Nb2O7相消失,在900℃和1000℃结晶处理的样品中,只析出(Ba,Sr,Pb)Nb2O6和(Sr,Pb)TiO3两种晶相。另外, SiO2含量的调整没有改变不同结晶温度下的析出陶瓷相种类。微观结构分析结果显示随着晶化温度的增加,晶粒尺寸在不断长大, 1000℃晶化处理后的晶粒尺寸增加非常明显,最大达到500 nm左右。通过对SiO2玻璃相含量的调整获得了两种介电性能优异的玻璃陶瓷成分,在高介电常数方面, 2.5BaO-18.5SrO-8.5PbO-8TiO2-16SiO2-20Nb2O5玻璃陶瓷样品在1000℃结晶处理后得到1070的高介电常数,同时介电损耗维持在了0.0045的较低水平。在低介电损耗方面, 2.5BaO-18.5SrO-8.5PbO-8TiO2-20SiO2-20Nb2O5玻璃陶瓷样品在800℃晶化处理条件下实现了非常低的介电损耗,达到0.0008,介电常数保持在430,在脉冲功率技术领域展现出良好的应用前景。 展开更多
关键词 玻璃陶瓷 高介电常数 低介电损耗 介电性能
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一种新型高阻表面光子晶体微带天线的设计 被引量:1
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作者 王灵敏 《广西通信技术》 2016年第1期34-39,共6页
高阻表面光子晶体是一种周期性介质结构,具有抑制表面波的特性.借助Rsoft bandsolve设计了一种带隙中心频率位于11.75 GHz左右的正方形单元高阻表面结构,有效带隙区间为0.50989~0.57987,带隙率为12.5%.将其应用于E形微带天线上,利用... 高阻表面光子晶体是一种周期性介质结构,具有抑制表面波的特性.借助Rsoft bandsolve设计了一种带隙中心频率位于11.75 GHz左右的正方形单元高阻表面结构,有效带隙区间为0.50989~0.57987,带隙率为12.5%.将其应用于E形微带天线上,利用专业三维电磁仿真软件Ansoft HFSS对高阻表面微波光子晶体微带天线性能进行了整体仿真分析,采用热转印法完成了两种天线的制备,搭建测试系统测试了加载高阻表面光子晶体前后天线的回波损耗及功率,基于相关理论知识,计算出所设计天线的实际增益.结果表明,加载高阻表面光子晶体使得微带天线增益增加了1.56 dB,低背瓣辐射最大可以降低10 dB,改善了天线方向性,增强微带天线整体性能. 展开更多
关键词 微带天线 光子晶体 带隙 高阻表面
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不同TiO_(2)和Nb_(2)O_(5)含量对BaO-SrO-PbO-TiO_(2)-Nb_(2)O_(5)-SiO_(2)玻璃陶瓷介电性能的影响
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作者 陈均优 张庆猛 +1 位作者 周敏 赵艳芸 《稀有金属》 EI CAS 2024年第10期1502-1509,共8页
使用熔融-快冷-可控结晶技术,制备出了不同TiO_(2)和Nb_(2)O_(5)含量的Ba O-Sr O-Pb O-TiO_(2)-SiO_(2)-Nb_(2)O_(5)纳米复合介电材料,并对其介电性能进行了研究。结果表明:800℃结晶处理后的样品析出了烧绿石结构Pb_(2)Nb_(2)O_(7)相... 使用熔融-快冷-可控结晶技术,制备出了不同TiO_(2)和Nb_(2)O_(5)含量的Ba O-Sr O-Pb O-TiO_(2)-SiO_(2)-Nb_(2)O_(5)纳米复合介电材料,并对其介电性能进行了研究。结果表明:800℃结晶处理后的样品析出了烧绿石结构Pb_(2)Nb_(2)O_(7)相、钨青铜结构(Ba,Sr,Pb)Nb_(2)O_(6)相和钙钛矿结构(Sr,Pb)TiO_(3)相,其中Pb_(2)Nb_(2)O_(7)相衍射峰强度随TiO_(2)/Nb_(2)O_(5)比例的上升而增强;900和1000℃结晶处理后,TiO_(2)含量较多的样品中依然存在Pb_(2)Nb_(2)O_(7)相,且衍射峰强度随结晶处理温度的上升而下降。微观结构分析结果显示在1000℃结晶处理后,所有样品的晶体颗粒近似球形。通过对Ba O-Sr O-Pb O-TiO_(2)-SiO_(2)-Nb_(2)O_(5)体系中TiO_(2)与Nb_(2)O_(5)含量的调整,获得了介电性能突出的玻璃陶瓷样品,TiO_(2)含量为12%,Nb_(2)O_(5)含量为24%的玻璃陶瓷样品获得了最大介电常数(~1310),同时介电损耗维持在0.0093的较低水平,作为高压陶瓷电容器介质展现出了良好的应用前景。 展开更多
关键词 玻璃陶瓷 介电性能 高介电常数 低介电损耗
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