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螺纹钢筋(棒材类)的精确计数方法
被引量:
12
1
作者
朱常青
冯筱林
杨建国
《上海大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1998年第5期559-564,共6页
本文提出了用数学形态学的腐蚀、膨胀操作、边界循环扫描收缩和消除伪象素点等算法对螺纹钢筋(棒材类)进行计数。
关键词
伪象素
螺纹钢筋
自动计数
计数
精确计数
棒材
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职称材料
一种干法刻蚀形成高深宽比CIS Deep-P Well IMP掩模的工艺方法的探究
2
作者
乔夫龙
耿金鹏
许鹏凯
《集成电路应用》
2018年第7期37-41,共5页
为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity),需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区,相比较单一的光刻胶,引入TRL(TriLayer:PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比,...
为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity),需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区,相比较单一的光刻胶,引入TRL(TriLayer:PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比,>20)的图案掩模。其中,DPW IMP阻挡掩模可以做到更厚,约4.2μm,DPW pattern的space可以做到更小,约0.2μm。该工艺革新为后续deeper DPW IMP,pixel shrinking,同时提升CIS器件的FWC光素性能提供了可能,针对引入TRL的干刻工艺的主要建立过程予以技术说明。
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关键词
集成电路制造
干刻刻蚀
CMOS图像传感器
full
WELL
capacity
光素性能
HIGH-ASPECT-RATIO
Deep
P-WELL
IMP图案掩模
高深宽比
Tri-Layer
PR/SiHM/SOC
像素压缩
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职称材料
题名
螺纹钢筋(棒材类)的精确计数方法
被引量:
12
1
作者
朱常青
冯筱林
杨建国
机构
上海第二工业大学
上海大学
出处
《上海大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1998年第5期559-564,共6页
文摘
本文提出了用数学形态学的腐蚀、膨胀操作、边界循环扫描收缩和消除伪象素点等算法对螺纹钢筋(棒材类)进行计数。
关键词
伪象素
螺纹钢筋
自动计数
计数
精确计数
棒材
Keywords
erosion
dilation
cyclic scanning
shrink
ing edges
pseudo
pixel
分类号
TG335.64 [金属学及工艺—金属压力加工]
TG335.62 [金属学及工艺—金属压力加工]
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职称材料
题名
一种干法刻蚀形成高深宽比CIS Deep-P Well IMP掩模的工艺方法的探究
2
作者
乔夫龙
耿金鹏
许鹏凯
机构
上海华力微电子有限公司
出处
《集成电路应用》
2018年第7期37-41,共5页
基金
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150204)
文摘
为有效提升CIS(CMOS Image Sensor)器件的FWC(Full Well Capacity),需要将更高能量的DWP IMP注入到更小的space pattern区,相比较单一的光刻胶,引入TRL(TriLayer:PR/Si HM/SOC)并使用干刻方法能有效地形成了high-aspect-ratio(高深宽比,>20)的图案掩模。其中,DPW IMP阻挡掩模可以做到更厚,约4.2μm,DPW pattern的space可以做到更小,约0.2μm。该工艺革新为后续deeper DPW IMP,pixel shrinking,同时提升CIS器件的FWC光素性能提供了可能,针对引入TRL的干刻工艺的主要建立过程予以技术说明。
关键词
集成电路制造
干刻刻蚀
CMOS图像传感器
full
WELL
capacity
光素性能
HIGH-ASPECT-RATIO
Deep
P-WELL
IMP图案掩模
高深宽比
Tri-Layer
PR/SiHM/SOC
像素压缩
Keywords
IC manufacturing
dry etching
CMOS image sensor
full well capacity
opticalproperties
high-aspect-ratio
deep P-well IMP mask
high-aspect-ratio
Tri-Layer PR/SiHM/SOC
pixel shrink
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
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1
螺纹钢筋(棒材类)的精确计数方法
朱常青
冯筱林
杨建国
《上海大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1998
12
下载PDF
职称材料
2
一种干法刻蚀形成高深宽比CIS Deep-P Well IMP掩模的工艺方法的探究
乔夫龙
耿金鹏
许鹏凯
《集成电路应用》
2018
0
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职称材料
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参考文献
引证文献
统计分析
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