期刊文献+
共找到34篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
Design and fabrication of a planar patch-clamp substrate using a silicon-on-insulator wafer
1
作者 张振龙 刘向阳 毛艳丽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期135-138,共4页
The planar patch-clamp technique has been applied to high throughput screening in drug discovery. The key feature of this technique is the fabrication of a planar patch-clamp substrate using appropriate materials. In ... The planar patch-clamp technique has been applied to high throughput screening in drug discovery. The key feature of this technique is the fabrication of a planar patch-clamp substrate using appropriate materials. In this study, a planar patch-clamp substrate was designed and fabricated using a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The access resistance and capacitance of SOl-based planar patch-clamp substrates are smaller than those of bulk silicon-based planar substrates, which will reduce the distributed RC noise. 展开更多
关键词 planar patch-clamp substrate SILICON-ON-INSULATOR access resistance CAPACITANCE
原文传递
Analysis of substrate eddy effects and distribution effects in silicon-based inductor model
2
作者 武锐 廖小平 +1 位作者 张志强 杨乐 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2009年第1期57-62,共6页
The concepts of substrate eddy influence factor and distribution-effects-occurring frequency are presented. The effects of substrate resistivity and inductor spiral length on the substrate eddy and distribution effect... The concepts of substrate eddy influence factor and distribution-effects-occurring frequency are presented. The effects of substrate resistivity and inductor spiral length on the substrate eddy and distribution effects are captured. The substrate eddy influence factors of an inductor (6 turn, 3 060 μm in length) fabricated on low ( 1 Ω. cm) and high resistivity( 1 000 Ω.cm) silicon substrates are 0. 3 and 0. 04, and the distribution-effects- occurring frequencies are 1.8 GHz and 14. 5 GHz, respectively. The measurement results show that the equivalent circuit model of the inductor on low resistivity silicon must take into consideration substrate eddy effects and distribution effects. However, the circuit model of the inductor on high resistivity silicon cannot take into account the substrate eddy effects and the distribution effects at the frequencies of interest. Its simple model shows agreement with the measurements, and the contrast is within 7%. 展开更多
关键词 planar spiral inductors substrate eddy effects distribution effects equivalent circuit model
下载PDF
Effect of substrate curvature on thickness distribution of polydimethylsiloxane thin film in spin coating process
3
作者 Ying Yan Ping Zhou +2 位作者 Shang-Xiong Zhang Xiao-Guang Guo Dong-Ming Guo 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第6期479-487,共9页
The polymer spin coating is critical in flexible electronic manufaction and micro-electro-mechanical system(MEMS)devices due to its simple operation, and uniformly coated layers. Some researchers focus on the effect... The polymer spin coating is critical in flexible electronic manufaction and micro-electro-mechanical system(MEMS)devices due to its simple operation, and uniformly coated layers. Some researchers focus on the effects of spin coating parameters such as wafer rotating speed, the viscosity of the coating liquid and solvent evaporation on final film thickness.In this work, the influence of substrate curvature on film thickness distribution is considered. A new parameter which represents the edge bead effect ratio(re) is proposed to investigate the influence factor of edge bead effect. Several operation parameters including the curvature of the substrate and the wafer-spin speed are taken into account to study the effects on the film thickness uniformity and edge-bead ratio. The morphologies and film thickness values of the spin-coated PDMS films under various substrate curvatures and coating speeds are measured with laser confocal microscopy. According to the results, both the convex and concave substrate will help to reduce the edge-bead effect significantly and thin film with better surface morphology can be obtained at high spin speed. Additionally, the relationship between the edge-bead ratio and the thin film thickness is like parabolic curve instead of linear dependence. This work may contribute to the mass production of flexible electronic devices. 展开更多
关键词 spin coating non-planar substrate film thickness distribution edge-bead effect
下载PDF
超高铜厚超细间距平面线圈基板技术研究
4
作者 吴允栋 林仁宁 孙清云 《印制电路信息》 2024年第S02期181-186,共6页
超高铜厚超细间距平面线圈基板的开发,可以在产品固有尺寸内,增加线圈匝数,实现更薄型化、更小型化的优点,同时还可以降低功耗,提升性能。本公司经过研究,通过半加成法工艺,在一次电镀形成一定较细间距的半成品,然后再通过二次电镀方式... 超高铜厚超细间距平面线圈基板的开发,可以在产品固有尺寸内,增加线圈匝数,实现更薄型化、更小型化的优点,同时还可以降低功耗,提升性能。本公司经过研究,通过半加成法工艺,在一次电镀形成一定较细间距的半成品,然后再通过二次电镀方式达到所需的铜厚,同时使得一次制作的线路间距变得更窄,从而实现更小间距的目的。另外在生产过程中增加特殊工艺流程,防止二次电镀铜厚增加时造成线间短路的风险,实现可量产的超高铜厚超细间距平面线圈基板。 展开更多
关键词 平面线圈基板 音圈马达 光学防抖 减层法 半加层法 解析度
下载PDF
钛基片的化学机械抛光技术研究 被引量:5
5
作者 戴媛静 裴惠芳 +1 位作者 潘国顺 刘岩 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期131-136,共6页
采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面... 采用化学机械抛光(CMP)方法对钛基片进行纳米级平坦化处理,通过系列抛光试验优化抛光液组成和抛光工艺条件后,得到AFM-Ra为0.159 nm的纳米级抛光表面和156.5 nm/min的抛光速率.抛光液的电化学分析结果表明:二氧化硅颗粒和乳酸在钛表面有不同程度的吸附缓蚀作用,氨水和F-的络合、扩散作用能破坏缓蚀膜层,两者的中间平衡状态才能得到最佳抛光效果.抛光后钛表层XPS测试结果显示钛表层经过化学氧化形成疏松氧化层后,再通过磨粒和抛光垫的机械作用去除. 展开更多
关键词 钛基片 化学机械抛光 纳米级粗糙度 抛光机理
下载PDF
基片集成波导带通滤波器的设计 被引量:4
6
作者 吴先良 丁让箭 吴琼 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期394-396,共3页
基片集成波导技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面的形式集成在标准印刷电路板上;论文首次将金属条带式波导平面电路带通滤波器的设计方法引入基片集成波导之中,发展了基片集成波导带通滤波器的设计;文中提... 基片集成波导技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面的形式集成在标准印刷电路板上;论文首次将金属条带式波导平面电路带通滤波器的设计方法引入基片集成波导之中,发展了基片集成波导带通滤波器的设计;文中提供了一个设计实例,Ansoft HFSS的数值仿真结果显示该途径是行之有效的。 展开更多
关键词 基片集成波导 带通滤波器 平面电路
下载PDF
纳米氧化硅在玻璃基片表面亚纳米级抛光中的应用 被引量:4
7
作者 雷红 张鹏珍 卢海参 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期31-34,共4页
为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达... 为满足先进电子产品对玻璃基片表面超光滑的要求,制备了一种纳米氧化硅抛光液,并研究了氧化硅粒子大小、抛光时间等参数对玻璃基片抛光后表面粗糙度、材料去除速率的影响。ZYGO形貌仪表明,采用纳米氧化硅抛光液,可以使玻璃表面粗糙度达到0.5 nm左右。AFM表明,抛光后的玻璃基片表面超光滑且无划痕等微观缺陷。 展开更多
关键词 纳米氧化硅抛光液 玻璃基片 亚纳米级粗糙度 平面化
下载PDF
蓝宝石衬底基片表面平整加工工艺研究 被引量:5
8
作者 徐晓明 周海 +1 位作者 黄传锦 王晨宇 《机械设计与制造》 北大核心 2018年第6期236-238,242,共4页
重点探讨了蓝宝石衬底基片表面平整加工工艺方案,并开展了表面平整加工工艺的实验研究。采用形状测量激光显微系统、接触式测厚仪等,对平整加工工艺各阶段的表面形貌、表面粗糙度Ra、翘曲度、平整度及加工去除量等进行测量和对比分析。... 重点探讨了蓝宝石衬底基片表面平整加工工艺方案,并开展了表面平整加工工艺的实验研究。采用形状测量激光显微系统、接触式测厚仪等,对平整加工工艺各阶段的表面形貌、表面粗糙度Ra、翘曲度、平整度及加工去除量等进行测量和对比分析。结果表明:随着本实验平整加工工艺方案的进行,蓝宝石衬底基片的表面质量不断提高,最终获得了超光滑无损伤镜面表面,化学机械抛光后的衬底表面粗糙度Ra达0.3nm,翘曲度为3.8μm,平整度为1.5μm,符合蓝宝石衬底基片超精密加工的表面质量要求。 展开更多
关键词 蓝宝石 衬底基片 平整加工 工艺方案 实验研究 表面质量
下载PDF
一种平面倒F纸基RFID标签天线 被引量:5
9
作者 赖晓铮 刘焕彬 +1 位作者 张瑞娜 赖声礼 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期376-379,共4页
设计和实现了基于平面倒F天线(PIFA)结构的双频段RFID标签天线.标签天线采用纸质材料作为标签基材,天线结构为PIFA结构.设计时在天线辐射面上开槽和小环,以实现天线双频段特性;采用了地面开缝隙技术,可获得比普通PIFA天线更宽的带宽.仿... 设计和实现了基于平面倒F天线(PIFA)结构的双频段RFID标签天线.标签天线采用纸质材料作为标签基材,天线结构为PIFA结构.设计时在天线辐射面上开槽和小环,以实现天线双频段特性;采用了地面开缝隙技术,可获得比普通PIFA天线更宽的带宽.仿真结果表明:该RFID标签天线有2个谐振频率(870和915MHz),带宽30MHz.测试结果表明:此RFID标签天线可以很好地工作在867和915MHz频率上. 展开更多
关键词 射频识别 标签天线 纸基 平面倒F
下载PDF
数字光盘玻璃基片的三步抛光技术 被引量:5
10
作者 雷红 雒建斌 路新春 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期98-102,107,共6页
为得到超光滑的数字光盘母盘玻璃基片表面,研究玻璃基片的亚纳米级抛光技术。分别采用2μm、0.3μm超细氧化铈抛光液以及纳米氧化硅抛光液进行三步化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP),抛光后最终表面粗糙度R_a达到0.44nm... 为得到超光滑的数字光盘母盘玻璃基片表面,研究玻璃基片的亚纳米级抛光技术。分别采用2μm、0.3μm超细氧化铈抛光液以及纳米氧化硅抛光液进行三步化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP),抛光后最终表面粗糙度R_a达到0.44nm,为目前报道的数字光盘母盘玻璃基片抛光的最低值。原子力显微镜分析表明,抛光后的表面超光滑且无微观缺陷。通过对玻璃基片CMP中机械作用及化学作用进行分析,对抛光机理进行了探讨。 展开更多
关键词 化学机械抛光 玻璃基片 抛光液 亚纳米级平整
下载PDF
Y对原位Mg_2Si/Al基复合材料初生相Mg_2Si的细化机制 被引量:5
11
作者 刘政 白光珠 罗浩林 《有色金属科学与工程》 CAS 2016年第1期28-33,共6页
选用稀土Y和采用普通重力铸造法制备原位自生Mg_2Si/Al基复合材料,研究不同含量的稀土Y对初生相Mg_2Si形貌、尺寸和力学性能的改变.结果表明:稀土Y对Mg_2Si/Al复合材料的凝固组织有影响;添加Y处理的Mg_2Si/Al基复合材料的Mg_2Si颗粒变... 选用稀土Y和采用普通重力铸造法制备原位自生Mg_2Si/Al基复合材料,研究不同含量的稀土Y对初生相Mg_2Si形貌、尺寸和力学性能的改变.结果表明:稀土Y对Mg_2Si/Al复合材料的凝固组织有影响;添加Y处理的Mg_2Si/Al基复合材料的Mg_2Si颗粒变得更加细小;通过计算二维错配度,发现Y可以作为初生相Mg_2Si的异质形核质点从而细化颗粒,同时Y与Al相互作用形成Al3Y相可阻止Mg_2Si相长大;此时铸态Mg_2Si/Al合金复合材料的力学性能得到改善,其最大抗拉强度和延伸率分别为144 MPa和4.19%. 展开更多
关键词 MG2SI 复合材料 稀土Y 二维错配度 形核基底
下载PDF
一种新型双频全向基片集成波导螺旋缝隙天线 被引量:1
12
作者 谭立容 杨梓艺 +2 位作者 聂佰玲 张照锋 朱昱颖 《电子器件》 CAS 北大核心 2017年第5期1088-1091,共4页
为了实现双频带全向天线,将基片集成波导SIW技术和平面螺旋天线技术结合,实现了一种新型双频基片集成波导螺旋缝隙天线。比较了当其他条件一样时有SIW结构和没采用该结构时的天线增益:在低频段1.7 GHz^1.87 GHz增益基本一样,在高频段2.4... 为了实现双频带全向天线,将基片集成波导SIW技术和平面螺旋天线技术结合,实现了一种新型双频基片集成波导螺旋缝隙天线。比较了当其他条件一样时有SIW结构和没采用该结构时的天线增益:在低频段1.7 GHz^1.87 GHz增益基本一样,在高频段2.4 GHz^2.9 GHz有SIW结构时增益提高了1.1 d B^3.5 d B。仿真和测试结果表明,经优化设计后的天线在S11小于-10 d B时的工作频带为1.705 GHz^1.865 GHz和2.321 GHz^2.646 GHz。该天线在垂直于天线基板的平面内具有全向特性,具有重量轻、低剖面、高增益、易于和平面电路集成等优点。 展开更多
关键词 全向天线 基片集成波导 平面螺旋天线 双频段
下载PDF
计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究 被引量:1
13
作者 雷红 司马能 +3 位作者 袁国兴 屠锡富 布乃敬 藏松涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期757-760,共4页
目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低。采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过... 目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低。采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过程中的化学作用、机械作用以及清洗剂、清洗方式等物理化学要素对CMP后清洗效果的影响。结果表明,CMP后清洗是一种机械作用、化学作用等综合作用的过程。采用优化的清洗工艺及清洗剂,得到了低腐蚀、高洁净、平整的硬盘基片表面。 展开更多
关键词 化学机械抛光 化学机械清洗 硬盘基片 原子级平整 腐蚀
下载PDF
面向大面积微结构批量化制造的复合压印光刻 被引量:4
14
作者 兰红波 刘明杨 +1 位作者 郭良乐 许权 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期1516-1527,共12页
为了解决在大尺寸非平整刚性衬底和易碎衬底上高效低成本批量化制造大面积微纳结构这一难题,提出一种面向大面积微结构批量化制造的复合微纳压印光刻工艺。阐述了复合压印光刻的基本原理和工艺流程,通过实验揭示了主要工艺参数(覆模速... 为了解决在大尺寸非平整刚性衬底和易碎衬底上高效低成本批量化制造大面积微纳结构这一难题,提出一种面向大面积微结构批量化制造的复合微纳压印光刻工艺。阐述了复合压印光刻的基本原理和工艺流程,通过实验揭示了主要工艺参数(覆模速度、压印力、压印速度、固化时间)对于压印结构的影响及规律。最后,利用课题组自主研发的复合压印光刻机,并结合优化的工艺参数,在3种不同的硬质基材(玻璃、PMMA、蓝宝石)上实现了微尺度柱状结构(最大图形区域为132mm×119mm)、微尺度光栅结构(最大直径为15.24cm的圆形区域)和纳尺度柱状结构(图形区域为47mm×47mm)的大面积微纳结构制造。研究结果表明,提出的复合微纳米压印工艺为大面积微纳结构宏量可控制备、以及大尺寸非平整刚性衬底/易碎衬底大面积图形化提供了一种全新的解决方案,具有广阔的工业化应用前景。 展开更多
关键词 复合微纳米压印光刻 大面积纳米压印 复合软模具 非平整衬底 大面积微结构
下载PDF
双转子平面微电机定子制作工艺研究 被引量:3
15
作者 梁静秋 郭占社 +3 位作者 吴一辉 王淑荣 张平 宣明 《微细加工技术》 2003年第1期73-75,80,共4页
为减小平面微电机轴向尺寸,解决轴向单边拉力问题,制作了双转子平面微电机。定子采用平面结构,双面各呈辐射状均布平面线圈,正、反面相对应的线圈由穿过基底的引线相连。采用以准LIGA技术为基础的制作方法。在双面线圈定子制作工艺中,... 为减小平面微电机轴向尺寸,解决轴向单边拉力问题,制作了双转子平面微电机。定子采用平面结构,双面各呈辐射状均布平面线圈,正、反面相对应的线圈由穿过基底的引线相连。采用以准LIGA技术为基础的制作方法。在双面线圈定子制作工艺中,通过设计适当的工艺步骤,并控制甩胶、前烘与曝光条件,在已腐蚀出引线通孔的衬底上完成双面光刻并电铸孔引线的工艺过程。定子直径为23mm,孔引线边长500μm,深约400μm,线圈线宽100μm,高度35μm。装配后的电机测试结果表明电机运行平稳,力矩波动小。 展开更多
关键词 双转子 平面微电机 定子 孔引线 准LIGA技术
下载PDF
微波等离子体CVD法在非平面基体上生长金刚石膜
16
作者 满卫东 孙蕾 +1 位作者 汪建华 谢鹏 《工具技术》 北大核心 2008年第2期12-14,共3页
介绍了在微波等离子体CVD装置中,用甲烷和氢气作为原料,在非平面基体(如钨丝、钻头、铣刀等)上生长金刚石薄膜的研究。在金刚石沉积过程中,由于"尖端效应",在基体的尖端很难沉积出金刚石膜。在采用金属丝屏蔽后,克服了"... 介绍了在微波等离子体CVD装置中,用甲烷和氢气作为原料,在非平面基体(如钨丝、钻头、铣刀等)上生长金刚石薄膜的研究。在金刚石沉积过程中,由于"尖端效应",在基体的尖端很难沉积出金刚石膜。在采用金属丝屏蔽后,克服了"尖端效应",成功地在非平面基体上沉积出了金刚石膜。用扫描电镜(SEM)和激光拉曼光谱(Raman)分析了金刚石膜的形貌和质量。结果表明:非平面基体不同位置金刚石的晶形不同,晶粒比较细小,膜的质量较高。 展开更多
关键词 非平面基体 金刚石薄膜 微波等离子体CVD法
下载PDF
用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工的研究
17
作者 田军 刘玉岭 +2 位作者 唐文栋 张国玲 王立发 《纳米科技》 2009年第1期3-5,78,共4页
采用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工,与酸性浆料对比,在平整度PV、均匀度rms和粗糙度RA均获得显著提高。
关键词 硬盘基板 CMP 碱性浆料 粗糙度 平整度
下载PDF
用MOCVD方法生长的GaAs/GaAsP量子线及其特性
18
作者 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期217-223,共7页
本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电... 本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术,将GaAs基片刻蚀成具有W形沟槽样的非平面结构,基片表面为(100)面,沟槽的侧斜面为(111)B面.在此基片上用低压MOCVD设备外延生长了GaAs/GaAsP多层膜,通过扫描电镜和微区拉曼光谱,研究它们的生长特性,发现GaAs和GaAsP的生长速率与基片的晶向及基片上的生长位置有关.根据这一生长特性,选择合适的W形沟道形状,用常规的量子阱外延方式,在W形沟道中央顶部突起的线条状平面上形成宝塔形生长,从而在尖端长出量子线.低温荧光光谱中观察到相应的能量峰,从而证实量子线的存在。 展开更多
关键词 量子线 MOCVD 砷化镓
下载PDF
扁波导馈电的平板缝隙天线阵的带宽扩展
19
作者 刘明罡 《微波学报》 CSCD 北大核心 2009年第4期1-10,共10页
扁波导馈电的平板缝隙天线阵,除了馈电波导内部耦合增强以外,带宽也受到限制。文章从谱域角度分析了缝隙天线的内外场分布,在此基础上,得到了周期波导和金属波导中各模式场的功率/储能谱。计算了波导缝隙天线的Q值并分析其变化规律,解... 扁波导馈电的平板缝隙天线阵,除了馈电波导内部耦合增强以外,带宽也受到限制。文章从谱域角度分析了缝隙天线的内外场分布,在此基础上,得到了周期波导和金属波导中各模式场的功率/储能谱。计算了波导缝隙天线的Q值并分析其变化规律,解释了扁波导馈电带宽受限的原因是辐射波导内的驻波储能场增强造成的。提出了在缝隙两侧增加扼流槽的改进方案,并同样从谱域的角度分析了该方案对带宽改善的影响。将该方案应用于一个实际的SIW平板波导缝隙天线阵设计中,获得了8.1%的带宽。 展开更多
关键词 平板缝隙天线阵 扁波导 基片集成波导 带宽
下载PDF
基片集成波导带通滤波器的设计与实现 被引量:2
20
作者 陈飞 袁学松 刘盛纲 《真空电子技术》 2008年第6期27-29,共3页
基片集成波导技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面形式集成在印刷电路板上;首先简要介绍基片集成波导这一新技术,然后把矩形波导带通滤波器的设计方法引入基片集成波导中,设计了一个中心频率为35 GHz,相对带... 基片集成波导技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面形式集成在印刷电路板上;首先简要介绍基片集成波导这一新技术,然后把矩形波导带通滤波器的设计方法引入基片集成波导中,设计了一个中心频率为35 GHz,相对带宽为2.7%的基片集成波导带通滤波器,CST的数值计算结果显示该途径是成功的。 展开更多
关键词 基片集成波导 带通滤波器 平面电路
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部