期刊文献+
共找到118篇文章
< 1 2 6 >
每页显示 20 50 100
Effects of Implant Copper Layer on Diamond Film Deposition on Cemented Carbides
1
作者 马志斌 汪建华 +1 位作者 邬钦崇 王传新 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第1期647-651,共5页
The deposition of high-quality diamond films and their adhesion on cemented carbides are strongly influenced by the catalytic effect of cobalt under typical deposition conditions. Decreasing Co content on the surface... The deposition of high-quality diamond films and their adhesion on cemented carbides are strongly influenced by the catalytic effect of cobalt under typical deposition conditions. Decreasing Co content on the surface of the cemented carbide is often used for the diamond film deposition. But the leaching of Co from the WC-Co substrate leading to a mechanical weak surface often causes a poor adhesion. In this paper we adopted an implant copper layer prepared by vaporization to improve the mechanical properties of the Co-leached substrate. The diamond films were grown by microwave plasma chemical vapor deposition from CH4:H2 gas mixture. The cross section and the morphology of the diamond film were characterized by scanning electron microscopy (SEM). The non-diamond content in the film was analyzed by Raman spectroscopy. The effects of pretreatment on the concentrations of Co and Cu near the interfacial region were examined by energy dispersive spectrum (EDS) equipped with SEM. The adhesion of the diamond on the substrate was evaluated with a Rockwell-type hardness tester. The results indicate that the diamond films prepared with implant copper layer have a good adhesion to the cemented carbide substrate due to the recovery of the mechanical properties of the Co-depleted substrate after the copper implantation and the formation of less amorphous carbon between the substrate and the diamond film. 展开更多
关键词 Effects of Implant Copper Layer on diamond film Deposition on cemented carbides Co
下载PDF
Effect of Plasma Boronitriding on Diamond Nucleation and Growth onto Cemented Carbide Substrates 被引量:4
2
作者 满卫东 汪建华 +1 位作者 马志斌 王传新 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第6期1559-1564,共6页
Plasma boronitriding has been successfully employed to overcome the difficulty in diamond growth on ferrous-based substrates. Commercial cobalt-sintered, tungsten-cemented carbides (WC(Co)) were pretreated by a plasma... Plasma boronitriding has been successfully employed to overcome the difficulty in diamond growth on ferrous-based substrates. Commercial cobalt-sintered, tungsten-cemented carbides (WC(Co)) were pretreated by a plasma boronitriding method, diamond was then deposited by microwave-enhanced chemical vapor deposition (MPCVD). The deposited films were characterized by scanning electron microscopy and Raman spectroscopy. Continuous diamond films with a sharp characteristic Raman peak of 1334 cm-1 were grown and adhered well on the boronitrided region of the cemented carbide substrates. On the other hand, a mixture of diamond crystallites, amorphous carbon and graphitic carbon was loosely deposited on the unboronitrided region. A cobalt inert thin layer formed after plasma boronitriding pretreatment enabled the subsequent nucleation and growth of a high-quality CVD diamond. 展开更多
关键词 diamond coatings plasma boronitriding cemented carbide
下载PDF
Plasma-Etching Enhanced Mechanical Polishing for CVD Diamond Films
3
作者 郊先锋 马志斌 +3 位作者 吴振辉 何艾华 江建华 袁松柳 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第3期336-339,共4页
Chemically vapor deposited diamond films were etched at different parameters using oxygen plasma produced by a DC (direct current) glow discharge and then polished by a modified mechanical polishing device. Scanning... Chemically vapor deposited diamond films were etched at different parameters using oxygen plasma produced by a DC (direct current) glow discharge and then polished by a modified mechanical polishing device. Scanning electron microscope, atomic force microscope and Raman spectrometer were used to evaluate the surface states of diamond films before and after polishing. It was found that a moderate plasma etching would produce a lot of etch pits and amorphous carbon on the top surface of diamond film. As a result, the quality and the efficiency of mechanical polishing have been enhanced remarkably. 展开更多
关键词 diamond film plasma etching POLISHING oxygen plasma
下载PDF
Mechanism and prediction of failure of diamond films deposited on various substrates by HFCVD 被引量:3
4
作者 ZHOU Ling-ping SUN Xin-yuan LI Shao-lu LI De-yi CHEN Xiao-hua 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2004年第z1期229-233,共5页
Diamond films were deposited on the WC-Co cemented carbide and Si3N4 ceramic cutting tool substrates by hot-filament-assisted chemical vapour deposition. The adherence property of diamond films was estimated using the... Diamond films were deposited on the WC-Co cemented carbide and Si3N4 ceramic cutting tool substrates by hot-filament-assisted chemical vapour deposition. The adherence property of diamond films was estimated using the critical load (Pcr) in the indentation test. The adhesive strength of diamond films is related to the intermediate layer between the film and the substrate. Poor adhesion of diamond films to polished cemented carbide substrate is owing to the formation of graphite phase in the interface. The adhesion of diamond films deposited on acid etched cemented carbide substrate is improved, and the peeling-off of the films often happens in the loosen layer of WC particles where the cobalt element is nearly removed. The diamond films' adhesion to cemented carbide substrate whose surface layer is decarbonizated is strengthened dramatically because WC phase forms by reaction between the deposited carbon and tungsten in the surface layer of substrates during the deposition of diamond, which results in chemical combination in the film-substrate interface. The adhesion of diamond films to silicon nitride substrate is the firmest due to the formation of chemical combination of the SiC intermediate layer in the interfaces. In the piston-turning application, the diamond-coated Si3N4 ceramic and the cemented carbide cutting tools usually fail in the form of collapsing of edge and cracking or flaking respectively. They have no built-up edge(BUE) as long as coating is intact.As it wears through, BUE develops and the cutting force on it increases 1 - 3 times than that prior to failure. This can predict the failure of diamond-coated cutting tools. 展开更多
关键词 diamond film cutting tool adhesion FAILURE PREDICTION cemented carbide
下载PDF
Microstructure and mechanical properties of titanium nitride coatings for cemented carbide cutting tools by pulsed high energy density plasma 被引量:5
5
作者 PENGZhijian MIAOHezhuo +3 位作者 QILonghao GONGJianghong YANGSize LIUChizi 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2003年第13期1316-1320,共5页
Hard, wear-resistant and well-adhesive titanium nitride coatings on cemented carbide cutting tools were prepared by the pulsed high energy density plasma technique at ambient temperature. The results of Auger spectra ... Hard, wear-resistant and well-adhesive titanium nitride coatings on cemented carbide cutting tools were prepared by the pulsed high energy density plasma technique at ambient temperature. The results of Auger spectra analysis indicated that the interface between the coating and substrate was more than 250 nm. Under optimized deposition conditions, the highest critical load measured by nanoscratch tester was more than 90 mN, which meant that the TiN film was well adhesive to the substrate; the highest nanohardness and Young抯 modulus according to nanoindentation tests were near to 27 and 450 GPa. The results of cutting tests evaluated by turning hardened CrWMn steel in industrial conditions indicated that the wear resistance and edge life of the cemented carbide tools were enhanced dramatically because of the deposition of titanium nitride coatings. These improvements were attributed to the three combined effects: the deposition and ion implantation of the pulsed plasma and the becoming finer of the grain sizes. 展开更多
关键词 微观结构 机械性能 氮化钛薄膜 等离子体 硬质合金 切削工具
原文传递
Study on Morphologies and Structures of Dia m ond Films Synthesized on Cemented Carbide Substrates
6
作者 匡同春 成晓玲 +4 位作者 白晓军 刘正义 代明江 周克崧 王德政 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第3期167-174,共8页
Morphologies and structures of diamond films synthesized on cobalt cemented tungsten carbide substrates using DC plasma jet CVD (direct current plasma jet chemical vapor deposition) method were investigated by means o... Morphologies and structures of diamond films synthesized on cobalt cemented tungsten carbide substrates using DC plasma jet CVD (direct current plasma jet chemical vapor deposition) method were investigated by means of SEM, XRD, TEM and Raman spectroscopy. The results show that the high thermal gradient and the high concentration gradient of chemical species within plasma jet have a larger influence on morphologies and quality of diamond films deposited. There are residual compressive stresses with GPa order of magnitude in diamond films, and micro-stresses are quite small. mosaic block sizes, being nanometer order of magnitude, decrease with the increasing of methane concentrations. Average values of dislocation density within diamond films, estimated from the magnitude of mosaic block sizes, are at least 10(10) cm(-2) order of magnitude. This result is also confirmed by calculated value from TEM observation of diamond films. It is shown that both the lattice distortion tested by XRD and FWHM value of diamond Raman peak measured from Raman spectrum have a similar trend of change with methane concentration comparing the results of XRD and Raman spectra. 展开更多
关键词 diamond films morphology defects cemented carbide residual stress
下载PDF
等离子体渗硼对硬质合金表面金刚石涂层的影响
7
作者 丁晟 王海龙 +1 位作者 马莉 魏秋平 《粉末冶金材料科学与工程》 2024年第3期181-190,共10页
采用热丝化学气相沉积法在等离子体渗硼预处理后的硬质合金表面沉积金刚石涂层,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪及洛氏硬度计探究预处理过程对金刚石涂层生长质量和结合性能的影响。结果表明:随等离子体渗硼温度升高,基体... 采用热丝化学气相沉积法在等离子体渗硼预处理后的硬质合金表面沉积金刚石涂层,利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪及洛氏硬度计探究预处理过程对金刚石涂层生长质量和结合性能的影响。结果表明:随等离子体渗硼温度升高,基体表面生成的CoWB含量增加,且WC脱碳还原为W。等离子体轰击使基体表面缺陷密度增大,能提高金刚石的形核速率,CoWB钝化层和W过渡层可抑制Co原子扩散,提高金刚石的生长质量。相较于酸碱两步法处理,经过等离子体渗硼处理的硬质合金表面金刚石涂层中石墨相含量明显减少,残余应力随等离子体渗硼温度升高而降低。石墨相含量的减少和残余应力的降低提高了金刚石涂层与硬质合金基体之间的结合性能,1000℃预处理的硬质合金表面金刚石涂层的结合力等级可达HF1水平。 展开更多
关键词 硬质合金 等离子体刻蚀 气体渗硼 化学气相沉积 金刚石涂层 结合性能
下载PDF
非连续金刚石/Ta基碳化物复合涂层结构及性能
8
作者 曹锋 高洁 +4 位作者 刘红军 王永胜 黑鸿君 于盛旺 刘克昌 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期839-849,共11页
为提升硬质合金的硬度和耐磨性,改善其与金刚石涂层的结合强度,先用双辉等离子表面合金化技术在其表面制备Ta金属层,再用化学气相沉积法对Ta金属层进行碳化-沉积复合处理,制备出非连续金刚石/Ta基碳化物复合涂层。研究了源极与工件极电... 为提升硬质合金的硬度和耐磨性,改善其与金刚石涂层的结合强度,先用双辉等离子表面合金化技术在其表面制备Ta金属层,再用化学气相沉积法对Ta金属层进行碳化-沉积复合处理,制备出非连续金刚石/Ta基碳化物复合涂层。研究了源极与工件极电位差对金属层的影响以及复合涂层的结构与性能。结果表明:制备的金属层均由连续致密的胞状α-Ta组成;随电位差的增大,Ta金属层的显微硬度和结合强度均先升高后降低;电位差为240 V时,Ta金属层的显微硬度和结合力最高,分别达1151HV0.2和117 N;碳化-沉积后,涂层由表面离散分布的非连续金刚石颗粒和TaxC(TaC、Ta2C)组成,其显微硬度提高至基体的1.8倍,磨损率仅为基体的45%。非连续金刚石/Ta基碳化物复合涂层具有良好的结合性能,能有效提升硬质合金的硬度和耐磨性能。 展开更多
关键词 硬质合金 双辉等离子表面合金化 非连续金刚石/Ta基碳化物复合涂层 碳化-沉积 耐磨性能 结合性能
下载PDF
以Cr/CrSiN膜为过渡层在高钴硬质合金表面沉积金刚石薄膜
9
作者 潘秋丽 张荣良 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2023年第6期698-703,共6页
为了解决在高钴硬质合金表面难以生长高结合力金刚石薄膜的问题,采用Cr/CrSiN膜为过渡层,用热丝化学气相沉积法在硬质合金上沉积纳米金刚石薄膜(NCD)、亚微晶金刚石薄膜(SMCD)和微晶金刚石薄膜(MCD),并对其结合力进行研究。结果表明:采... 为了解决在高钴硬质合金表面难以生长高结合力金刚石薄膜的问题,采用Cr/CrSiN膜为过渡层,用热丝化学气相沉积法在硬质合金上沉积纳米金刚石薄膜(NCD)、亚微晶金刚石薄膜(SMCD)和微晶金刚石薄膜(MCD),并对其结合力进行研究。结果表明:采用Cr/CrSiN过渡层可在高钴硬质合金表面沉积出结合力优异的金刚石薄膜,NCD的结合力最优,SMCD的结合力次之,MCD的结合力最差;当金刚石薄膜晶粒变大时,因金刚石薄膜韧性变差且过渡层碳化严重,金刚石薄膜的结合力变弱。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 硬质合金 结合力 应力
下载PDF
硼掺杂金刚石涂层拉丝模具的制备与应用
10
作者 马骏 曾祥才 姚毅 《山西冶金》 CAS 2023年第1期18-21,共4页
采用热丝化学气相沉积法制备出硼掺杂金刚石薄膜,激发出了金刚石薄膜的电学性能,结合金刚石薄膜在工具方向的应用,成功制备出硼掺杂金刚石涂层拉丝模具,在硼掺杂金刚石薄膜制备过程中使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和显微拉曼光谱仪... 采用热丝化学气相沉积法制备出硼掺杂金刚石薄膜,激发出了金刚石薄膜的电学性能,结合金刚石薄膜在工具方向的应用,成功制备出硼掺杂金刚石涂层拉丝模具,在硼掺杂金刚石薄膜制备过程中使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和显微拉曼光谱仪进行物相分析。利用硼掺杂金刚石薄膜的电学性能,探讨硼掺杂金刚石拉丝模芯与慢走丝切割之间的应用,结果表明:慢走丝切割硼掺杂金刚石拉丝模芯后,模芯抛光余量大幅减小,模芯制备效率和成品率大幅提高,在实际拉拔测试时硼掺杂金刚石拉丝模具表现出优异的性能,模具寿命和拉拔质量远高于未掺杂的金刚石涂层拉丝模具。 展开更多
关键词 硼掺杂金刚石薄膜 拉丝模具 慢走丝切割 硬质合金 热丝化学气相沉积
下载PDF
硬质合金基体腐蚀工艺对金刚石薄膜的影响 被引量:12
11
作者 杨莉 余志明 +4 位作者 殷磊 刘昕 苏伟涛 李泳侠 邹丹 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期429-434,共6页
采用不同的预处理方式浸蚀YG6硬质合金基体表面,随后在热丝化学气相沉积装置上沉积了金刚石薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及洛氏硬度计对样品进行了分析检测。结果表明:一步或两步浸蚀法都能抑制沉积过程中基体表面钴的不利影... 采用不同的预处理方式浸蚀YG6硬质合金基体表面,随后在热丝化学气相沉积装置上沉积了金刚石薄膜。用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及洛氏硬度计对样品进行了分析检测。结果表明:一步或两步浸蚀法都能抑制沉积过程中基体表面钴的不利影响。采用两步法,即Murakami剂30min腐蚀碳化钨相,再用H2SO4∶H2O2=3∶7(体积比)混合酸腐蚀30s去除钴相,基体表面粗糙,金刚石薄膜形核密度高,结晶质量较好,金刚石涂层与硬质合金基体结合良好。 展开更多
关键词 金剐石薄膜 硬质合金 表面预处理 浸蚀 热丝化学气相沉积 扫描电子显微镜 X射线衍射仪
下载PDF
化学脱钴对硬质合金沉积金刚石薄膜的影响 被引量:18
12
作者 魏秋平 余志明 +3 位作者 马莉 杨莉 刘王平 肖和 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1070-1081,共12页
采用HFCVD系统,以CH4和H2为反应气体,分别在YG3、YG6、YG10、YG13硬质合金上沉积了金刚石薄膜,研究了化学脱钴处理对不同钴含量硬质合金沉积金刚石薄膜的影响。通过对105个样品的实验结果进行统计分析发现,YG3所得金刚石薄膜样品具有足... 采用HFCVD系统,以CH4和H2为反应气体,分别在YG3、YG6、YG10、YG13硬质合金上沉积了金刚石薄膜,研究了化学脱钴处理对不同钴含量硬质合金沉积金刚石薄膜的影响。通过对105个样品的实验结果进行统计分析发现,YG3所得金刚石薄膜样品具有足够结合强度的比例为89%;而YG6、YG10和YG13所得样品的相应值分别为24%、7%和0%。相反,YG3、YG6、YG10和YG13所得金刚石薄膜严重破坏的比例分别为0%、64%、72%和79%。研究表明,化学腐蚀脱钴处理能够解决金刚石涂层形核率低的问题,但难以解决高钴硬质合金的附着性差的问题。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 硬质合金 预处理 附着力
下载PDF
氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究 被引量:9
13
作者 吕宪义 金曾孙 +2 位作者 郝世强 彭鸿雁 曹庆忠 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第3期191-195,共5页
 用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚...  用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀,说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相。并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长,(111)面的生长是岛状生长。 展开更多
关键词 氧等离子体 金刚石膜 刻蚀 结构特性 微波放电法
下载PDF
YG13硼化处理后沉积气压对金刚石薄膜的影响 被引量:9
14
作者 魏秋平 余志明 +4 位作者 马莉 游小龙 丰杰 吴晓斌 刘王平 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期775-782,共8页
采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在YG13(WC-13%Co)硬质合金基体上沉积金刚石薄膜。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析,研究YG13经950℃、3h硼化预处理后沉积... 采用超高真空热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,以甲烷和氢气为反应气体,在YG13(WC-13%Co)硬质合金基体上沉积金刚石薄膜。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对金刚石薄膜进行检测分析,研究YG13经950℃、3h硼化预处理后沉积气压对金刚石薄膜形貌和生长织构的影响;通过压痕法比较硼化与二步法两种预处理方法对金刚石薄膜附着性能的影响。结果表明,基体经硼化预处理后表面形成CoB、CoW2B2、CoW3B3相;当沉积温度为750~800℃,碳源浓度为3.3%时,薄膜表面形貌和生长织构随着沉积气压改变有明显的变化;硼化预处理后所得样品在1500N载荷下压痕表现出良好的附着性能,较二步法预处理更加有效地改善了膜-基附着性能。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 硬质合金 硼化预处理 附着性能
下载PDF
微波等离子体刻蚀对WC-Co硬质合金基体金刚石薄膜附着力的影响 被引量:12
15
作者 刘学深 孙方宏 +1 位作者 陈明 张志明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2001年第5期5-8,共4页
金刚石薄膜的附着力是影响CVD金刚石涂层刀具切削性能的关键因素。本文采用EACVD法在硬质合金 (YG6 )基体上沉积金刚石涂层 ;用Ar -H2 微波等离子对WC -Co衬底进行刻蚀处理 ,以改变基体表面与金刚石涂层间的界面结构 ,提高金刚石涂层的... 金刚石薄膜的附着力是影响CVD金刚石涂层刀具切削性能的关键因素。本文采用EACVD法在硬质合金 (YG6 )基体上沉积金刚石涂层 ;用Ar -H2 微波等离子对WC -Co衬底进行刻蚀处理 ,以改变基体表面与金刚石涂层间的界面结构 ,提高金刚石涂层的附着力 ;采用压痕法评估涂层附着力 ;借助SEM等观察刻蚀预处理方法对膜基界面的影响 ,并对此进行分析和讨论。 展开更多
关键词 CVD 金刚石涂层 微波等离子刻蚀 硬质合金 金刚石薄膜 附着力 涂层刀具
下载PDF
金刚石涂层用高钴硬质合金基体表面二步浸蚀法的研究 被引量:10
16
作者 刘沙 余志明 +2 位作者 易丹青 卢斌 王建华 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期365-368,共4页
研究了先用Murakami剂浸蚀WC相、再用 (H2 O2 +H2 SO4 )酸混合液除去Co相的二步法浸蚀YG15硬质合金基体表面预处理的过程 ;并在浸蚀过的硬质合金基体上 ,用热丝法沉积了金刚石薄膜。结果表明 ,二步浸蚀法可在基体表面深度为 6~ 12 μm... 研究了先用Murakami剂浸蚀WC相、再用 (H2 O2 +H2 SO4 )酸混合液除去Co相的二步法浸蚀YG15硬质合金基体表面预处理的过程 ;并在浸蚀过的硬质合金基体上 ,用热丝法沉积了金刚石薄膜。结果表明 ,二步浸蚀法可在基体表面深度为 6~ 12 μm的范围内 ,使Co含量从 15 %降低到 0 .85~ 5 .42 % ,并使硬质合金基体的表面粗糙度增加到Ra=1.0 μm ,但会导致硬质合金基体表面的硬度从 85 .5HRA降低至 83 .3HRA ;在该硬质合金基体沉积金刚石薄膜之后 ,发现样品的金刚石薄膜组织结构具有 { 110 }和 { 111}面取向 。 展开更多
关键词 二步侵蚀法 表面预处理 硬质合金 金刚石涂层
下载PDF
硬质合金上沉积金刚石膜的基体预处理方法进展 被引量:12
17
作者 朱红梅 匡同春 +5 位作者 向雄志 成晓玲 雷淑梅 尹诗衡 曾小平 王雄华 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2007年第1期78-82,共5页
本文重点对近年硬质合金基体表面预处理方法及其对CVD金刚石膜沉积的影响进行了综述。按其原理来分,预处理方法可分为物理预处理法、化学预处理法以及中间层法。大量实验结果表明通过适当的预处理能有效消除或抑制基体中钴黏结相的负面... 本文重点对近年硬质合金基体表面预处理方法及其对CVD金刚石膜沉积的影响进行了综述。按其原理来分,预处理方法可分为物理预处理法、化学预处理法以及中间层法。大量实验结果表明通过适当的预处理能有效消除或抑制基体中钴黏结相的负面影响,提高金刚石的形核密度以及膜基结合力,从而获得理想的薄膜质量。 展开更多
关键词 硬质合金 CVD金刚石膜 预处理 形核密度 结合力
下载PDF
纳米金刚石薄膜的制备与应用 被引量:16
18
作者 孙方宏 张志明 +2 位作者 沈荷生 陈明 郭松寿 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期118-122,共5页
采用偏压辅助增强热丝化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD),以WC-Co硬质合金为衬底,采用控制沉积参数和添加惰性气体Ar等CVD新工艺,制备性能优良的纳米金刚石薄膜。进一步采用扫描电镜(Scanning electron microscopy,SEM)、... 采用偏压辅助增强热丝化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD),以WC-Co硬质合金为衬底,采用控制沉积参数和添加惰性气体Ar等CVD新工艺,制备性能优良的纳米金刚石薄膜。进一步采用扫描电镜(Scanning electron microscopy,SEM)、原子力显微镜(Atomic force microscopy,AFM)、拉曼光谱(Raman spectros- copy)、X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)和高分辨率透射电镜(High-resolution transmission electron microscopy, HR-TEM)分析了薄膜的纳米效应。研究结果表明:纳米涂层仍然是以金刚石结构为主的多晶体,它晶体颗粒较小(20~80 nm),含有较多的晶界和sp^2结构,涂层表面粗糙度R_a≤50 nm,表面平整光滑,有利于研磨抛光。在此基础上,提出纳米金刚石复合涂层制备新技术,开发研制出各种涂层拉拔模具,在实际生产线上进行了应用,取得了显著的效果。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 硬质合金 表面粗糙度 复合涂层
下载PDF
采用WC过渡层增加金刚石薄膜附着力的研究 被引量:10
19
作者 王传新 汪建华 +3 位作者 满卫东 马志斌 王升高 康志成 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2003年第3期46-48,共3页
在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,以WC -8%Co为基体 ,采用氢等离子体脱碳、磁控溅射镀W、碳化等方法 ,制备了微晶WC过渡层。研究了金刚石薄膜与基体的附着力。结果表明 ,表面脱碳后再镀W膜 ,W填充了氢等离子体脱碳时刀具表面因钴蒸... 在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,以WC -8%Co为基体 ,采用氢等离子体脱碳、磁控溅射镀W、碳化等方法 ,制备了微晶WC过渡层。研究了金刚石薄膜与基体的附着力。结果表明 ,表面脱碳后再镀W膜 ,W填充了氢等离子体脱碳时刀具表面因钴蒸发而留下的空洞 ,形成过渡层 ,在随后的碳化中和基体WC连接较为紧密 ,能增加金刚石薄膜与基体附着力 ,克服单纯的氢等离子体脱碳还原法降低刀具基体硬度。 展开更多
关键词 硬质合金 微波等离子体化学气相沉积 金刚石薄膜 附着力 刀具
下载PDF
金刚石厚膜与硬质合金的连接 被引量:5
20
作者 孙凤莲 陈捷 +2 位作者 张杰 冯吉才 吴培莲 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期43-47,共5页
采用扩散焊与钎焊相结合的方法,用Ti箔和Ag-Cu箔共同做中间层材料,在一定的温度、压力和保温时间下,实现了气相沉积金刚石厚膜与硬质合金间的牢固连接。经扫描电镜和电子探针分析发现,在金刚石与中间层界面近区有C、Ti元... 采用扩散焊与钎焊相结合的方法,用Ti箔和Ag-Cu箔共同做中间层材料,在一定的温度、压力和保温时间下,实现了气相沉积金刚石厚膜与硬质合金间的牢固连接。经扫描电镜和电子探针分析发现,在金刚石与中间层界面近区有C、Ti元素的相互扩散,并且观察断口发现:断裂大部分发生在中间层上,只有局部区域金刚石的表面暴露出来。这可以说明金刚石与钎料之间已形成了牢固的冶金连接。 展开更多
关键词 金刚石厚膜 硬质合金 连接 钎焊 扩散焊
下载PDF
上一页 1 2 6 下一页 到第
使用帮助 返回顶部