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Tuning the Spatially Controlled Growth,Structural Self-Organizing and Cluster-Assembling of the Carbyne-Enriched Nano-Matrix during Ion-Assisted Pulse-Plasma Deposition
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作者 Alexander Lukin Oğuz Gülseren 《Fluid Dynamics & Materials Processing》 EI 2022年第6期1763-1779,共17页
Carbyne-enriched nanomaterials are of current interest in nanotechnology-related applications.The properties of these nanomaterials greatly depend on their production process.In particular,structural self-organization... Carbyne-enriched nanomaterials are of current interest in nanotechnology-related applications.The properties of these nanomaterials greatly depend on their production process.In particular,structural self-organization and auto-synchronization of nanostructures are typical phenomena observed during the growth and heteroatom-doping of carbyne-enriched nanostructured metamaterials by the ion-assisted pulse-plasma deposition method.Accordingly,fine tuning of these processes may be seen as the key step to the predictive designing of carbyneenriched nano-matrices with improved properties.In particular,we propose an innovative concept,connected with application of the vibrational-acoustic effects and based on universal Cymatics mechanisms.These effects are used to induce vibration-assisted self-organized wave patterns together with the simultaneous manipulation of their properties through an electric field.Interaction between the inhomogeneous electric field distribution generated on the vibrating layer and the plasma ions serves as the additional energizing factor controlling the local pattern formation and self-organization of the nano-structures. 展开更多
关键词 Carbyne-enriched nanomaterials ion assisted pulse plasma deposition carbon sp-chains stabilization of sp-hybridized carbon sp-encapsulating heteroatom-doping vibrational-acoustic activation vibrational patterns electromagnetic activation nanoscale self-organization standing surface acoustic waves nano-Cymatics predictive patterning
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Influence of APS bias voltage on properties of HfO_2 and SiO_2 single layer deposited by plasma ion-assisted deposition 被引量:1
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作者 朱美萍 易葵 +1 位作者 范正修 邵建达 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期76-78,共3页
HfO2 and SiO2 single layer is deposited on glass substrate with plasma ion assistance provided by Leybold advanced plasma source (APS). The deposition is performed with a bias voltage in the range of 70-130 V for Hf... HfO2 and SiO2 single layer is deposited on glass substrate with plasma ion assistance provided by Leybold advanced plasma source (APS). The deposition is performed with a bias voltage in the range of 70-130 V for HfO2, and 70-170 V for SiO2. Optical, structural, mechanical properties, as well as absorption and laser induced damage threshold at 1064 nm of HfO2 and SiO2 single layer deposited with the plasma ion assistance are systematically investigated. With the increase of APS bias voltage, coatings with higher refractive index, reduced surface roughness, and higher laser-induced damage threshold (LIDT) are obtained, and no significant change of the absorption at 1064 nm is observed. For HfO2, a bias voltage can be identified to achieve coatings without any stress. However, too-high bias voltage can cause the increase of surface roughness and stress, and decrease the LIDT. The bias voltage can be properly identified to achieve coatings with desired properties. 展开更多
关键词 Absorption Coatings Hafnium compounds ion beam assisted deposition ions Laser damage Mechanical properties plasma deposition plasmaS Refractive index Silicon compounds Substrates Surface properties Surface roughness
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电子束物理气相沉积技术研究进展 被引量:16
3
作者 张传鑫 宋广平 +2 位作者 孙跃 赵轶杰 赫晓东 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2012年第2期124-126,146,共4页
电子束物理气相沉积是真空蒸发技术的一种,具有蒸发速率高和无污染的特点,目前广泛应用于材料表面涂层的制备。将离子束辅助和等离子辅助与电子束物理气相沉积技术相结合,可以提高蒸发粒子入射能量和扩散能力,改善由于电子束物理气相沉... 电子束物理气相沉积是真空蒸发技术的一种,具有蒸发速率高和无污染的特点,目前广泛应用于材料表面涂层的制备。将离子束辅助和等离子辅助与电子束物理气相沉积技术相结合,可以提高蒸发粒子入射能量和扩散能力,改善由于电子束物理气相沉积工艺本身存在阴影效应和扩散能力低而引起的沉积材料的不致密等不足。介绍了电子束物理气相沉积技术的概况,并展望了该技术的未来应用及发展前景。 展开更多
关键词 电子束物理气相沉积 离子束辅助沉积 等离子辅助沉积
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热障涂层制备技术研究进展 被引量:26
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作者 牟仁德 何利民 +1 位作者 陆峰 陶春虎 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1-4,共4页
随着燃气涡轮发动机进口工作温度的提高,热障涂层技术受到了广泛的关注。综述了热障涂层研究及应用中的几种主要制备技术,包括等离子喷涂、电子束物理气相沉积、离子束辅助沉积、化学气相沉积等。介绍了上述几种制备技术的沉积原理,分... 随着燃气涡轮发动机进口工作温度的提高,热障涂层技术受到了广泛的关注。综述了热障涂层研究及应用中的几种主要制备技术,包括等离子喷涂、电子束物理气相沉积、离子束辅助沉积、化学气相沉积等。介绍了上述几种制备技术的沉积原理,分析了各自的特点,并从涂层显微结构、涂层寿命、应用范围等方面进行了对比,认为离子束辅助沉积和化学气相沉积技术在未来高性能新型热障涂层制备中具有较大的发展潜力。 展开更多
关键词 热障涂层 等离子喷涂 离子束辅助沉积 化学气相沉积
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离子束辅助薄膜沉积 被引量:13
5
作者 张宇峰 张溪文 +1 位作者 任兆杏 韩高荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第11期40-43,共4页
离子束辅助沉积(IBAD)是在气相沉积的同时辅以离子束轰击的薄膜制备方法,可在低温下合成致密、均匀的薄膜。介绍了IBAD技术的概况,列举了具体应用领域,描述了射频ICP离子源辅助电子束蒸发,最后对IBAD的前景加以评论。
关键词 离子束辅助薄膜沉积 IBAD 薄膜制备 等离子体 光学性能
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等离子辅助镀膜技术 被引量:6
6
作者 贾克辉 徐颖 +1 位作者 高劲松 曹健林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期623-626,共4页
传统的电子束蒸发工艺提供了高速率的沉积,但由于成膜分子的能量较低,使沉积的薄膜排列密度很低,其性能和块状材料区别很大,已有不少学者发现了很多金属和氧化物薄膜具有典型的柱状结构。薄膜的低排列密度造成了其光学常数和机械性能不... 传统的电子束蒸发工艺提供了高速率的沉积,但由于成膜分子的能量较低,使沉积的薄膜排列密度很低,其性能和块状材料区别很大,已有不少学者发现了很多金属和氧化物薄膜具有典型的柱状结构。薄膜的低排列密度造成了其光学常数和机械性能不如块状材料,近几年发展起来的高功率等离子体辅助镀膜技术解决了上述问题。本文报道了我国自己研制的等离子体源(GIS)的性能指标、用这个源所做的单层TiO2膜的成膜工艺与质量,以及用等离子辅助沉积的减反射膜的工艺。 展开更多
关键词 等离子辅助沉积技术 光学镀膜 成膜工艺 薄膜制备 减反射膜
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端部霍尔离子源工作特性及等离子体特性研究 被引量:14
7
作者 潘永强 朱昌 +1 位作者 陈智利 杭凌侠 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期57-60,共4页
研制了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的端部霍尔等离子体离子源 ,论述了该源的工作原理以及伏安特性。着重研究了用五栅网探针测试该源所发射的离子能量的原理和方法 ,并对测量结果进行了分析、比较。
关键词 离子束辅助沉积 光学薄膜 端部霍尔等离子体 离子源 工作原理 束流密度
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走向光学工业应用的辅助镀膜霍尔等离子体源 被引量:4
8
作者 尤大伟 李安杰 +2 位作者 江建国 武建军 黄小刚 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期679-683,共5页
论述了霍尔等离子体源的工作原理 ,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布。本设计采用永久磁铁并利用极靴产生发散磁场 ,及沿轴向有较大梯度的磁场 。
关键词 光学工业 霍尔等离子体源 光学镀膜 离子束辅助镀膜 工作原理 霍尔电流加速器
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霍尔源用于光学镀膜 被引量:5
9
作者 贾克辉 黄建兵 +3 位作者 徐颖 陈红 高劲松 曹建林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1228-1230,共3页
报道了用于辅助镀膜的无栅霍尔等离子体源的结构原理及性能指标 ,并从光学特性、显微特性和机械特性三方面着手 ,研究了使用霍尔源所做的单层TiO2 膜的成膜工艺与质量 研究表明 ,使用霍尔源辅助沉积的光学薄膜折射率明显提高 ,更加接... 报道了用于辅助镀膜的无栅霍尔等离子体源的结构原理及性能指标 ,并从光学特性、显微特性和机械特性三方面着手 ,研究了使用霍尔源所做的单层TiO2 膜的成膜工艺与质量 研究表明 ,使用霍尔源辅助沉积的光学薄膜折射率明显提高 ,更加接近于块状材料 ,膜层结构比传统沉积手段更加致密 ,附着力也很高 同时用此项技术沉积了金属增强反射镜 ,试验结果与理论设计结果相符 。 展开更多
关键词 无栅霍尔源 光学薄膜 等离子体辅助镀膜
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在玻璃上用强流脉冲离子束镀膜的工艺 被引量:5
10
作者 王承遇 刘永兴 +1 位作者 马腾才 夏元良 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期249-253,共5页
用强流脉冲离子束 (HIPIB)方法通过高强度脉冲离子束照射到锡掺杂氧化铟 (ITO)陶瓷靶材上产生的二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上制得ITO薄膜 .经计算得知 :二次等离子体的密度约 10 2 0 atoms/cm3,温度以实验的电子能量 (ET0 )... 用强流脉冲离子束 (HIPIB)方法通过高强度脉冲离子束照射到锡掺杂氧化铟 (ITO)陶瓷靶材上产生的二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上制得ITO薄膜 .经计算得知 :二次等离子体的密度约 10 2 0 atoms/cm3,温度以实验的电子能量 (ET0 )表示约为 1.4eV ,在玻璃表面瞬时沉积速率达 2cm/s,比其它传统镀膜方法大几个数量级 ;并且瞬间在玻璃表面产生约 2 2 0 0℃的高温 .经一次脉冲发射可制得 65nm厚的膜 .EDX数据表明薄膜与靶材的化学组成相近 .通过原子力显微镜 (AFM )图像分析膜的表面形貌 ,在 1μm× 1μm范围内 ,薄膜表面的均方根粗糙度为 1.3 85nm 。 展开更多
关键词 强流脉冲离子束 等离子体 锡掺杂氧化铟薄膜 原子力显微镜 离子束镀膜
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金属等离子体浸没离子注入技术合成NbN膜 被引量:4
11
作者 宋教花 张涛 +1 位作者 侯君达 邓志威 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期623-625,共3页
利用无大颗粒的金属等离子体浸没增强沉积技术 ,在Si基体上进行动态离子束增强沉积NbN ,在低温下制成了NbN薄膜 .薄膜表面细密光滑 ,退火前其硬度 >16 .8MN·mm- 2 ,退火后硬度 >16 .0MN·mm- 2 .
关键词 氮化铝 金属等离子体 离子注入 表面处理
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关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题 被引量:4
12
作者 尤大伟 任荆学 +1 位作者 黄小刚 武建军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期279-282,共4页
本文目的在于改进霍尔源的设计 ,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源。
关键词 光学镀膜 离子束辅助镀膜 等离子体加速器 霍尔离子源
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等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜 被引量:3
13
作者 付雄鹰 孔明东 +5 位作者 马平 邱服民 马道远 柴林 胡建平 李瑞洁 《光学技术》 CAS CSCD 1998年第3期91-93,共3页
本文报导了用等离子体辅助(Plasma-IAD)沉积技术沉积HfO2/SiO2减反及高反光学薄膜。在波长1064nm处,HfO2/SiO2减反膜透过率大于99.5%,HfO2/SiO2高反膜反射率大于99.5%。
关键词 减反膜 高反膜 光学 薄膜 IAD 氧化铪 氧化硅
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等离子体辅助镀膜 被引量:2
14
作者 范卫星 郝尧 +1 位作者 卢玉村 陈建国 《激光技术》 EI CAS CSCD 1994年第1期50-54,共5页
本文介绍了等离子体辅助镀膜技术以及相应的高真空等离子体源。这种新型等离子体源属于空心冷阴极结构,工作气压在1×10 ̄(-3)pa~10 ̄(-1)pa,它的最大优点在于能够直接电离氧化性气体而不烧毁阴极。采用探针法... 本文介绍了等离子体辅助镀膜技术以及相应的高真空等离子体源。这种新型等离子体源属于空心冷阴极结构,工作气压在1×10 ̄(-3)pa~10 ̄(-1)pa,它的最大优点在于能够直接电离氧化性气体而不烧毁阴极。采用探针法测定了氩等离子体中辅助离子的能量范围在50~80eV之间,并在氩气、氧气的等离子体中分别沉积了单层ZnS薄膜和SiO_2薄膜。实验结果表明,生成的薄膜具有良好的光学和机械性能。 展开更多
关键词 等离子体 辅助镀膜 光学薄膜
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中频磁控溅射沉积DLC/TiAlN复合薄膜的结构与性能研究 被引量:4
15
作者 张以忱 巴德纯 +1 位作者 于大洋 马胜歌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期424-428,共5页
采用中频非平衡磁控溅射沉积工艺,并施加霍尔离子源辅助沉积,在高速钢W18Cr4V及单晶硅基体上制备了梯度过渡的DLC/TiAlN复合薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、显微硬度计、摩擦磨损仪等分析检测仪器对DLC/TiAlN复合薄... 采用中频非平衡磁控溅射沉积工艺,并施加霍尔离子源辅助沉积,在高速钢W18Cr4V及单晶硅基体上制备了梯度过渡的DLC/TiAlN复合薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、显微硬度计、摩擦磨损仪等分析检测仪器对DLC/TiAlN复合薄膜的表面形貌、晶体结构、显微硬度、耐磨性等性能进行了检测分析。实验及分析结果表明:DLC/TiAlN薄膜平均膜厚为1.1μm,由于薄膜中的Al含量较多,使得复合薄膜的表面比DLC薄膜的表面要粗糙一些;通过对复合薄膜表层的XPS分析可知,ID/IG为2.63。由XPS深层剖析可知,DLC/TiAlN薄膜表层结构与DLC薄膜基本相同,里层则与TiAlN薄膜相似。在梯度过渡膜中,复合膜层之间的界面呈现为渐变过程,结合的非常好。DLC/TiAlN薄膜的显微硬度为2030 HV左右。与DLC薄膜显微硬度接近,低于TiAlN薄膜的显微硬度。但是DLC/TiAlN薄膜的耐磨性要好于TiAlN薄膜和DLC薄膜;DLC/TiAlN薄膜的耐腐蚀性能略好于DLC薄膜。 展开更多
关键词 TIALN薄膜 DLC薄膜 非平衡磁控溅射 中频溅射 等离子辅助沉积
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等离子辅助成膜技术 被引量:2
16
作者 林永昌 尤大纬 +2 位作者 李晓谦 沈立新 郑陪雨 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期490-492,共3页
等离子辅助沉积技术是一种能大规模高质量制造光学膜的技术 ,本文报道了等离子辅助源的性能指标 ,用这个源制造的Ti O2 膜工艺与成膜质量 ,以及用等离子辅助生产减反膜的工艺。
关键词 光学膜 离子辅助沉积 等离子辅助沉积
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线性阳极层离子源磁路设计与电磁场数值模拟 被引量:3
17
作者 汪礼胜 唐德礼 程昌明 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期54-58,共5页
介绍了一种广泛应用于离子刻蚀、预清洗和离子束辅助镀膜的阳极层离子源的工作原理,分析了磁场对其性能的影响。给出了线性阳极层离子源磁路的设计。采用ANSYS有限元分析软件对线性阳极层离子源的静态电磁场进行了模拟分析,并与实验结... 介绍了一种广泛应用于离子刻蚀、预清洗和离子束辅助镀膜的阳极层离子源的工作原理,分析了磁场对其性能的影响。给出了线性阳极层离子源磁路的设计。采用ANSYS有限元分析软件对线性阳极层离子源的静态电磁场进行了模拟分析,并与实验结果进行了比较,结果令人满意。通过ANSYS编码对电磁场模拟,可为具体的阳极层离子源的改进设计提供指导。 展开更多
关键词 阳极层离子源 等离子体预清洗 离子束辅助沉积 电磁场 数值模拟
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表面经喷砂和酸蚀及羟基磷灰石涂层的TA2纯钛种植体对富血小板血浆体外骨诱导能力的影响 被引量:3
18
作者 王程越 马红梅 +2 位作者 赵宝红 艾红军 崔福斋 《口腔医学》 CAS 2007年第7期343-346,共4页
目的以表面经喷砂和酸蚀(SLA)及羟基磷灰石(HA)涂层双重处理的TA2纯钛种植体(HA/SLA-TA2)为支架材料,探讨其对富血小板血浆(PRP)体外诱导骨髓基质细胞(BMSCs)向成骨细胞分化能力的影响。方法PRP分别作用于常规培养的BMSCs(对照组)和与HA... 目的以表面经喷砂和酸蚀(SLA)及羟基磷灰石(HA)涂层双重处理的TA2纯钛种植体(HA/SLA-TA2)为支架材料,探讨其对富血小板血浆(PRP)体外诱导骨髓基质细胞(BMSCs)向成骨细胞分化能力的影响。方法PRP分别作用于常规培养的BMSCs(对照组)和与HA/SLA-TA2联合培养的BMSCs(实验组),通过扫描电镜观察BMSCs在HA/SLA-TA2表面的生长情况,并对两组细胞的增殖指数、碱性磷酸酶活性、骨钙素含量进行比较。结果实验组细胞生长状态良好,具有成骨细胞特点,其细胞增殖指数于联合培养第5天起明显高于对照组(P<0.05),碱性磷酸酶活性以及骨钙素含量分别于联合培养第9、13天起明显高于对照组(P<0.01)。结论HA/SLA-TA2是种植体表面骨组织工程较理想的支架材料,BMSCs与HA/SLA-TA2联合培养后,可增强PRP诱导其向成骨细胞分化的能力。 展开更多
关键词 羟基磷灰石 喷砂和酸蚀 离子束辅助沉积 富血小板血浆 骨髓基质细胞
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基于氧化物的0.8~1.7μm和3.7~4.8μm硬质宽带红外增透膜研制 被引量:8
19
作者 王彤彤 《中国光学》 EI CAS 2014年第5期816-822,共7页
从实际应用出发,在0°入射的条件下,在ZnS基底上针对0.8~1.7μm和3.7~4.8μm两个红外波段,设计并制备了双波段红外增透膜。论述了材料选择、膜系设计和制备方法,最终使用等离子辅助沉积技术在ZnS窗口上制备出双波段红外增透... 从实际应用出发,在0°入射的条件下,在ZnS基底上针对0.8~1.7μm和3.7~4.8μm两个红外波段,设计并制备了双波段红外增透膜。论述了材料选择、膜系设计和制备方法,最终使用等离子辅助沉积技术在ZnS窗口上制备出双波段红外增透膜,透过率及环境测试结果表明:在0.8~1.7μm波段双面平均透过率大于95%,在3.7~4.8μm波段双面平均透过率大于96%。膜层结合牢固并有良好的耐摩擦性能。 展开更多
关键词 红外增透膜 硫化锌 等离子辅助 双波段增透膜
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用等离子体技术制备凹印版材耐磨层 被引量:1
20
作者 张跃飞 张广秋 +2 位作者 王正铎 葛袁静 陈强 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期54-56,共3页
用电镀法制备凹印版材存在环境污染严重、成本高等缺点,为此研究用等离子体表面镀膜层替代电镀法制备凹印版材的新工艺。利用等离子体磁控溅射、多弧离子镀和离子束辅助沉积技术在镍基表面制备了硬质铬薄膜。研究表明,本法制备的薄膜表... 用电镀法制备凹印版材存在环境污染严重、成本高等缺点,为此研究用等离子体表面镀膜层替代电镀法制备凹印版材的新工艺。利用等离子体磁控溅射、多弧离子镀和离子束辅助沉积技术在镍基表面制备了硬质铬薄膜。研究表明,本法制备的薄膜表面致密均匀,中间有过渡层的离子束辅助沉积层表面显微硬度为800~1100HV,磁控溅射的为300~400HV,多弧离子镀的为600~800HV,多弧离子镀和离子束辅助沉积层表面显微硬度接近于电镀法(700~1100HV)。划痕试验表明,制备的薄膜与基体结合力均在5N左右,凹版电子束辅助沉积铬后表面光滑,网点线条清晰,粗细均匀,可替代电镀法凹印版材。 展开更多
关键词 凹印版材 制备 等离子体 磁控溅射 多弧离子镀 离子束辅助沉积 耐磨层
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