Preparation of Ultra-fine Aluminum Nitride in Thermal Plasma

Ultra-fine aluminum nitride has been synthesized by the evaporation of aluminum powder at atmospheric-pressure nitrogen plasma in a hot-wall reactor. The average size of aluminum nitride particle is 0.11 μm measured by scanning electric mirror (SEM), and the purity is at least over 90% evaluated by X-Ray diffraction (XRD). The conversion of Al powder to aluminum nitride is strongly depended on the injection of NH3. Typical experimental parameters such as the feed rate of raw material, the flow rate of ammonia and the position of injecting aluminum powder into the reactor are given.

氮化铝纳米陶瓷粉末制备方法的研究进展

AlN具有优异的热性能、电性能及光学性能,在电子封装材料、光学材料、陶瓷基板材料、功能材料、结构材料等领域应用广泛。高品质纳米AlN粉体是相关新型材料获得高性能的基础,在当下具有应用前景及商业价值,其粉体制备工艺仍具备较大的发展潜力。本文梳理分析了多种纳米级AlN粉末的制备工艺,并讨论了其发展前景及优化方向。

等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究

以微米级铝粉为原料 ,用N2 热等离子体法制备了超细氮化铝粉体。在等离子体功率12kW ,运行N2 流量 2m3/h ,急冷NH3流量 0 6m3/h ,送粉N2 流量 0 8m3/h条件下 ,铝粉全部转化为纳米氮化铝。采用SEM技术和粒度分析仪对产品进行了分析 ,制得的氮化铝粉末平均粒径为10 0nm ,粒度分布为 4 0～ 14

高导热氮化铝陶瓷制备技术的研究现状及发展趋势

氮化铝陶瓷具有高导热率、高温绝缘性和优良介电性能、良好耐腐蚀性、与半导体Si相匹配的膨胀性能等优点,是理想的电子封装散热材料。本文对氮化铝陶瓷粉体制备、成型工艺、烧结等方面的关键技术做出了总结,其中着重总结了氮化铝陶瓷烧结方面的技术发展现状。最后对高导热氮化铝陶瓷制备技术进行了展望。

高导热AlN陶瓷基片制备技术研究现状及发展趋势

主要对高导热AlN陶瓷基片的粉体制备、成型工艺、烧结工艺等方面的关键技术进行了简单介绍,并指出在发展过程中遇到的一些问题,最后对高导热AlN陶瓷基片关键技术进行总结与展望。

氮化铝粉体制备的研究及展望

氮化铝陶瓷具有高的热导率、良好的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗,以及与硅相匹配的热膨胀系数,是现今最为理想的基板材料和电子器件封装材料。氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高质量,因此,高质量氮化铝粉体的制备是获得性能优良氮化铝陶瓷的关键。本文综述了氮化铝粉体制备技术的研究进展,并对其未来发展方向进行了展望。

氮化铝粉体制备技术的研究现状与展望

阐述了氮化铝粉体可作为新型高热导率基板材料原料的理由。对国内外AlN粉体制备技术的特点和研究进展进行了综述,对氮化铝粉体的制备技术进行了展望。

直流电弧热等离子体法制备超细粉体氮化铝的研究

采用直流电弧热等离子体法,以微米级铝粉为原料,制备了超细氮化铝粉体。在等离子体功率12kw,运行N_2流量2m^3/h,急冷NH_3流量0.6m^3/h,送粉N_2流量0.8m^3/h时,制备得到的氮化铝粉末纯度可达98％;分散性良好,几乎无团聚现象;平均粒径为100nm,粒度分布为40～140nm。采用X射线衍射分析了产品的纯度,SEM扫描电镜分析了产品的形貌,粒度分析仪分析了产品的粒径。研究发现,采用直流电弧热等离子体法粉末纯度高、粒度较细,连续性好,易于工业化。

氮化铝陶瓷粉末的制备方法及展望

论述了国内外氮化铝陶瓷粉末的主要制备方法,铝粉直接氮化法、Al2O3碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、自蔓延高温合成法和等离子化学合成法,分析了这几种制备方法的特点和研究进展及发展方向。

铝源孔容和焙烧升温过程对碳热还原法制备氮化铝粉体的影响

碳热还原氮化法是大规模制备高纯度氮化铝(AlN)粉体的主要方法,通过微反应器制备不同孔容的铝源,系统探究了前体孔容和微观形貌对AlN粉体产物的影响,并通过动力学模拟验证了筛选出的前体的活性。同时对氮化反应升温过程的影响也做了探究,最终通过对前体和焙烧升温过程的优化,得到纯度99%以上的AlN粉体,其平均粒径约为150 nm,O元素含量为0.55%。

微波消解-电感耦合等离子体质谱法测定高纯氮化铝粉中15种杂质元素的含量

建立了微波消解-电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯氮化铝粉中15种杂质元素含量的方法。在样品0.10 g中加入3 mL硝酸,按微波消解程序消解样品,冷却后,用水定容至100 mL。通过氢气模式,以铯内标法校正基体效应,采用ICP-MS测定其中硼、镁、钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、镍、铜、锌、锆、钼、钨等15种杂质元素的含量。结果表明,各元素标准曲线的线性范围均为1.0~100.0μg·L^(-1),相关系数均不小于0.9990,检出限(3s)为0.02~0.07μg·g^(-1)。用建立的方法分析氮化铝样品,测定值的相对标准偏差(n=7)均小于5.0%,按标准加入法进行回收试验,回收率为88.0%~114%。与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)进行方法比对,两种方法所得结果基本一致。