有机平面pn异质结发光二极管材料与器件

有机发光二极管(OLED)在新型显示和固态照明等领域有着广泛的应用潜力,在可穿戴设备、手机、电视等显示产品上已经实现了较大规模的商业化应用,未来预计在柔性显示领域将具有更为突出的应用前景.为进一步降低OLED材料与器件的制备成本,近些年来,大量的研究聚焦于开发不含有稀有金属、兼具低成本和高性能优势的OLED材料与器件.本文综述了基于纯有机半导体材料、利用层间电荷转移来构筑OLED的研究进展,着重讨论了有机平面pn异质结发光二极管(pn-OLED)概念的提出,以及相应的有机半导体材料与器件等方面的进展,并对该类型器件目前发展中遇到的问题,以及将来在发光晶体管、电泵浦激光器等领域潜在的应用进行了讨论.

氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响

利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/(Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。

SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性研究

对SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性从理论和实验上进行了研究,建立了SiGe/Si异质pn结的反向C-V特性灰色系统GM(1,1)模型,模型与实验数据符合良好,精确度较高.

衬底温度对NiO：Cu/ZnO异质pn结的光电性能影响

利用磁控溅射方法改变衬底温度,制备了一系列NiO:Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,当衬底温度从室温升高到300℃时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善;与此同时,NiO:Cu/ZnO异质pn结的光学透过率也从40%增大到80%。这可能是由于NiO:Cu薄膜结晶质量改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加衬底温度至400℃,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于生长在异质结下层的NiO:Cu薄膜影响了其上ZnO薄膜的生长,进而影响到异质结的整流特性。这一结论,得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外(UV)谱测试结果的支持。

pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度

利用应变SiGe Si异质pn结电容 电压 (C V)特性确定SiGe禁带宽度的技术 .该技术根据SiGe Si异质pn结C V实验曲线 ,计算出pn结接触电势差 ,并得到SiGe Si的价带偏移量和导带偏移量 ,进而求得SiGe禁带宽度 .该技术测试方法简便 ,其过程物理意义清晰 ,既适用于分立的SiGe Si异质pn结 ,也可直接分析SiGe Si异质结器件中的SiGe禁带宽度 .实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好 .

InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析

利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO_(2)复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析。结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(>60 mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导。并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×10^(15)~1×10^(16) cm^(−3)是优化的掺杂浓度。