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4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究
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作者 吕红亮 张义门 张玉明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期2541-2546,共6页
基于 4H SiC材料特性 ,建立了 4H SiCpn结型二极管的击穿模型 .该模型在碳化硅器件中引入雪崩倍增效应和隧穿效应 .利用该模型 ,分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响 ;解释了不同的温度和掺杂条件下 ,器件的击穿机理 .
关键词 4H-SIC pn结型二极管 击穿特性 隧穿效应 碳化硅器件 雪崩倍增效应
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