ESD的物理失效分析及放电路径的研究

本文将IC电过力失效机理划分为EOS和ESD分别进行阐述,EOS和ESD2种失效模式的相似使得对它们失效机理的判断变得困难,但借助SEM和FIB等先进的成像设备可以揭示2种失效机理的重要差别。本文先通过实例分析揭示了2种失效机理的差别,其中从理论角度突出对ESD失效机理和失效位置的研究;然后,借助仪器分析的结果对ESD失效案例的ESD放电路径做了合理推断,这种通过失效分析推断放电路径的方法对于改善ESD保护电路性能和提高ESD防护等级有着重要参考作用。

激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应

研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响.