LDD后热处理工艺对28 nm PMOSFET短沟道效应的影响

Si MOSFET作为大规模集成电路的基础,沟道长度是决定其运行速度和集成度的重要参数。随着Si MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应(即器件阈值电压随沟道长度减小不断降低的现象)越来越严重。基于28 nm低功耗逻辑平台,研究了LDD后热处理工艺对PMOSFET器件短沟道效应的影响及物理机制。实验结果表明,通过优化热处理温度,可以显著改善PMOSFET器件短沟道效应,实现在较低pocket离子注入剂量下达到同样阈值电压的目的。TCAD工艺及器件仿真结果表明,热处理温度调节器件短沟道效应的主要物理机制是其对pocket离子注入杂质激活率的影响。

28 nm PMOSFET器件短沟道效应机理研究与优化

随着MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应越来越严重。基于28 nm低功耗逻辑平台,针对PMOSFET器件短沟道效应严重的现象,借助半导体工艺及器件仿真工具TCAD,研究PMOSFET短沟道效应的产生机制。提出一种通过调整pocket离子注入工艺条件改善短沟道效应的方法。通过优化工艺条件,该方法可以在保证长沟道器件Vt不变的情况下,有效改善28 nm PMOSFET器件的短沟道效应。