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题名实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺
被引量:1
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作者
曾祥斌
徐重阳
王长安
饶瑞
赵伯芳
周雪梅
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
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出处
《光电子技术》
CAS
2000年第3期179-183,共5页
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文摘
根据多晶硅薄膜氢化的微观机理 ,提出改进氢化效果的工艺方法 ,在不增加设备投资的情况下 ,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果 ,从而提高薄膜晶体管的性能 ,ION/IOFF从 10 3量级增加到 10 5量级 ,氢化工艺的处理时间也相应缩短。
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关键词
多晶硅薄膜
氢化工艺
薄膜晶体管
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Keywords
polysi thin film, hydrogenation mechanism, tft, hydrogenation technique
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分类号
TN321.505
[电子电信—物理电子学]
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