美国专利的反等同性原则——PC Connector Solutions LLC 案评析

等同性原则（the Doctrine of Equivalents）是美国专利制度中的一项重要制度，是指在专利侵权诉讼中虽然被控侵权产品或方法没有被涉案专利的权利要求书的技术要素所完全覆盖，即被控产品或方法不构成字面侵权。但被控产品或方法与权利要求书的技术要素的区别是非实质性的，那么被控产品或方法电构成专利侵权。这一理论来源于约一个世纪前的Winans v．Denmad一案，最高法院及下级巡回法院一直采用这一原则，并且在适当的情况下继续适用，美国现代等同理论是1950年Graver Tank＆Mf g．Co．v．Lirde Air Products Co．案确立的。

ELECTROCHEMICAL AND OPTICAL STUDY ON C_(60) FILM IN LiClO_4 POLYPROPYENE CARBONATE (PC) SOLUTION

For the first time we observed the electrochromism of C_(60) film intercalated by lithium and obtained some amount of intercalate Li_3C_(60) with cyclic voltammetry. The optical absorption properties of this intercalate have been studied.

市域轨道交通全封闭声屏障的设计深化与难点解决

以浙江省某市域轨道交通声屏障项目为例,为减少新建轨道交通对沿线敏感点的影响,针对声屏障的选型、PC隔声板构造设计、弯弧段错位解决、基础的锚固优化以及安全功能等重点、难点进行设计深化。在实践案例中达到竣工和环评验收双合格的满意结果,为类似设计深化提供参考经验。

具备吸收雷达波功能的三叶型碳化硅纤维研制

以聚碳硅烷 (PCS)为原料 ,采用熔融纺丝制备三叶型 PCS纤维后 ,经不熔化和烧成制得三叶型碳化硅纤维。研究了纺丝温度、收丝速度等对纤维异形度的影响 ,并对预氧化和烧成工艺以及吸波性能等进行了研究。研究表明 ,较低的纺丝温度、适当高的纺丝压力和较低的转速有利于提高纤维的异形度。与相同当量直径的圆形纤维相比 ,三叶型碳化硅纤维的抗拉强度平均提高约 30 % ,三叶型碳化硅纤维在 8～

活性填料钨在聚碳硅烷转化陶瓷中的应用

研究了活性填料钨（Ｗ）在聚碳硅烷（ＰＣＳ）先驱体转化陶瓷中的应用。研究表明，Ｗ能有效降低陶瓷素坯的气孔率。Ｗ可与ＰＣＳ气态裂解产物、游离碳和Ｎ_２气氛反应生成新的化合物，提高ＰＣＳ的陶瓷产率。Ｗ还能提高烧成体的强度。当■（Ｗ）＝１５％时，烧成体的三点弯曲强度为 １０１ ＭＰａ，为不含活性填料的陶瓷烧成体的１．５倍。但是在先驱体中引入Ｗ不能抑制坯体在裂解过程中的收缩。Ｗ含量越高，陶瓷烧成体的线收缩越大。

聚二甲基硅烷高温高压合成聚碳硅烷工艺研究

以聚二甲基硅烷 (PDMS)为原料 ,在高压釜内高温高压反应制备了聚碳硅烷 (PCS)先驱体 ,研究了合成条件对反应终压、 Si- H键含量、产物产率、软化点、分子量及其分布及可纺性的影响。研究表明 ,随着反应温度的提高 ,反应时间的延长 ,反应终压逐渐增大 ,产物的分子量与软化点增高 ,但同时分子量的分散性增大使可纺性变差。当 PDMS在高压釜内 4 6 0℃下反应 4～ 6 h,或 4 5 0℃下反应 6～ 7h时 ,可以制得软化点约为 2 0 0～ 2 2 0℃的 PCS,其高分子部分含量约 5 %～ 10 % (质量分数 ) ,Si- H键含量大于 0 .9,可纺性较好 ,适合于制备 Si C纤维。

泥对掺聚羧酸减水剂的水泥浆体分散性的影响

为了揭示含泥量对聚羧酸减水剂分散能力的影响,试验选择净浆流动度和黏度两个指标,研究泥对掺聚羧酸减水剂水泥浆体流变性质的影响,并利用IR、UV手段分析确定了泥的滤液对聚羧酸减水剂分子结构的影响及碱性环境中聚羧酸减水剂在泥颗粒表面的吸附规律。结果表明:当泥取代水泥质量的15%时,聚羧酸减水剂由于泥的存在已无分散效果;增大聚羧酸减水剂掺量可以提高含泥水泥浆体的分散性;泥的滤液不会改变聚羧酸减水剂的分子结构、对聚羧酸减水剂的分散能力无不利影响;在饱和石灰水模拟的碱性环境中,泥对减水剂的吸附很快,初始时间里(6min内)泥就已经充分吸附了聚羧酸减水剂,泥对聚羧酸减水剂的吸附量为水泥的4倍左右。

不同陶瓷先驱体的裂解过程及粘接性能

研究了三种陶瓷先驱体聚硅氮烷(PSZ)、聚硅氧烷(PSO)、聚碳硅烷(PCS)的裂解过程,并对其裂解产物进行了物相分析,在此基础上分别采用这三种先驱体为粘接剂连接碳化硅陶瓷。结果表明,PSZ、PSO在裂解过程中发生了交联反应,获得了较高的陶瓷产率;PCS交联性能较差,陶瓷产率较低;由XRD分析得出,在1200℃～1400℃温度范围内,随着温度的升高,三种先驱体的裂解产物均发生了由非晶态向晶态的转变。连接实验表明,采用PSZ、PSO为粘接材料均能获得较好的连接效果,连接件剪切强度分别达38.6MPa和33.2MPa,连接层厚度小于5μm,其结构较为均匀致密,与基体间界面接合良好;采用PCS为粘接材料时,不能获得有效的连接强度。

异型(三叶型)截面碳化硅纤维制备工艺研究

以聚碳硅烷 (PCS)为原料 ,经不熔化和烧成制得三叶型碳化硅纤维。研究了纺丝温度、压力、收丝速度对纤维异形度和当量直径的影响。研究表明 ,较低的纺丝温度、适当高的纺丝压力和较低的转速有利于提高纤维的异形度 ,抗拉强度平均提高约 30 %。

活性填料钼在聚碳硅烷转化陶瓷中的应用

研究了活性填料钼 (Mo)在聚碳硅烷 (PCS)先驱体转化陶瓷中的应用。研究表明 ,活性填料Mo能有效降低陶瓷素坯的气孔率。Mo可与PCS气态裂解碳氢产物、游离碳和N2气氛反应生成新的化合物 ,可明显提高PCS的陶瓷产率。当Mo/PCS为 2 5% (vol)时 ,坯体的陶瓷产率为 10 0 %。

活性填料在聚碳硅烷先驱体转化陶瓷中的应用

比较了铝 (Al)、铬 (Cr)、二氢化钛 (TiH2 )和锆 (Zr)等活性填料在聚碳硅烷 (PCS)先驱体转化陶瓷中的应用。研究表明 ,在先驱体中加入活性填料能有效降低陶瓷素坯的气孔率 ,可与PCS气态裂解产物、游离碳和 (或 )N2 气氛反应生成新的化合物 ,提高PCS的陶瓷产率。活性填料的种类与含量对陶瓷烧成体的线收缩有较大的影响 ,Al、Cr能抑制烧成体的线收缩 ,其含量越高 ,线收缩越小。但是TiH2和Zr并不能抑制陶瓷烧成体的线收缩 ,其含量越高 ,线收缩越大。此外 ,活性填料的种类及含量对陶瓷烧成体的三点弯曲强度也有较大的影响。Al、Zr的含量越高 ,材料的强度也越大。但Cr和TiH2 的加入却使材料强度下降。认为Al是较好的活性填料。用X -衍射法 (XRD)分析了烧成产物的物相组成 ,扫描电子显微镜 (SEM)观察了陶瓷烧成体的断口形貌。

低氧含量液态超支化聚碳硅烷的合成与陶瓷化研究

以甲醇对氯甲基三氯硅烷(Cl3SiCH2Cl)进行烷氧化反应,然后经过格氏偶联反应和还原反应,制备了低氧含量液态超支化聚碳硅烷(HBPCS)。通过凝胶渗透色谱法(GPC)、核磁共振(NMR)以及元素分析对由此制备的HBPCS进行表征。结果表明,提高烷氧化比例,可以有效抑制溶剂四氢呋喃开环的副反应,降低先驱体氧含量。通过热失重分析(TGA)和X射线衍射(XRD)分别对HBPCS的热性能及相应陶瓷在高温下的结晶行为进行研究。

干法纺丝法制备低氧含量SiC纤维

降低SiC纤维中的氧含量是提高其耐温性能的主要途径之一。本文以高分子量聚碳硅烷(PCS)为原料,通过干法纺丝、高温烧成等工艺,制得了氧含量为3.41%(质量分数)的SiC纤维。通过TG-DTA,IR等手段分析了干纺PCS纤维的无机化过程,并通过元素分析、XRD和SEM等手段,对纤维的结构、组成和耐高温性能进行了分析。结果表明:干纺PCS纤维烧成时,存在着二甲苯残留溶剂的挥发、自交联反应和无机化等复杂的过程,制备的SiC纤维在1000℃的空气中灼烧1 h后强度保持率约为91%。

活性填料铬在聚碳硅烷裂解陶瓷中的应用

研究了活性填料铬 (Cr)在聚碳硅烷 (PCS)先驱体裂解陶瓷中的应用。研究表明 ,活性填料 Cr能有效降低陶瓷素坯的气孔率。 Cr可与 PCS气态裂解产物和 N2 气氛反应生成新的化合物 ,可明显提高 PCS的陶瓷产率。当 Cr/ PCS为 3 5% vol时 ,坯体的陶瓷产率为 1 0 0 %。在先驱体中引入 Cr能有效地抑制坯体在裂解过程中的收缩。Cr含量越高 ,素坯裂解后的收缩越小。当 Cr/PCS为 4 6% vol时 ,素坯在裂解前后线收缩率为 0 ;由于生成产物的体积效应较大 ,以及与 Si C热膨胀系数的不匹配性 ,导致陶瓷烧成体强度有所下降。用 X-衍射法 (XRD)分析了烧成产物的物相组成 ,扫描电子显微镜 (SEM)观察了陶瓷烧成体的断口形貌。

活性填料在制备陶瓷基复合材料中的应用

研究了 Ｔｉ、ＴｉＨ２等活性填料在聚碳硅烷先驱体裂解制备 ＳｉＣ陶瓷材料中的应用．Ｔｉ、 ＴｉＨ２等可增加聚碳硅烷的裂解陶瓷产率，可与Ｎ２气氛反应生成氮化物，导致体积膨胀而降低陶瓷的气 孔率。

低分子量聚碳硅烷制备3D-Cf/SiC复合材料

研究了低分子量聚碳硅烷(PCS)通过先驱体浸渍裂解(PIP)工艺制备Cf/SiC复合材料.分析表明:PCS的数均分子量为400,活性较强,陶瓷化产率为70%左右,在1200℃基本转化为微晶态的β-SiC.分别通过3种不同升温速率制备了3D-Cf/SiC复合材料试样,其弯曲强度分别为745.2 MPa、686.7 MPa和762.5 MPa,明显高于文献报道3D-Cf/SiC复合材料弯曲强度300～500 MPa的水平.试样断口的SEM照片均显示长的纤维拔出,有良好的增韧效果,低分子量PCS裂解得到的基体比较致密.实验结果说明,低分子量PCS适合于制备3D-Cf/SiC复合材料,并且提高升温裂解速率对材料性能影响很小.

钛粉在裂解聚碳硅烷制备陶瓷材料中的应用

以聚碳硅烷为先驱体 ,Ti粉为活性填料 ,研究了Ti粉对聚碳硅烷裂解反应及先驱体转化法制备的块体复相陶瓷的性能的影响 ,并表征了其晶相组成。结果表明 ,Ti粉可促进PCS的裂解反应 ,增加先驱体的陶瓷产率 ,能降低先驱体在裂解过程中的线性收缩率和气孔率 。

SiC先驱体——聚碳硅烷的应用研究进展

碳化硅(SiC)陶瓷涂层和碳化硅(SiC)基陶瓷复合材料具有抗氧化、耐高温、耐磨、耐腐蚀等优异的综合性能,已在宇航领域得到广泛应用。聚合物先驱体——聚碳硅烷经高温裂解可制备碳化硅陶瓷涂层或碳化硅基体。综述了聚碳硅烷的合成、结构与性能以及其用于制备SiC纤维、SiC表面/界面抗氧化涂层和SiC基陶瓷复合材料的情况。对C/C材料进行SiC涂层,提高了复合材料的抗氧化烧蚀性能,延长了C/C材料的使用寿命。采用"CVI+PIP"工艺研制的C/SiC复合材料弯曲强度高达643 MPa,断裂韧性高达20.94 MPa·m1/2。

静电纺丝制备连续SiC亚微米/纳米纤维

高性能SiC纤维在耐高温、抗氧化领域有着重要的应用前景,而纤维直径是影响纤维力学性能的主要因素之一。随着纤维直径降低,纤维强度显著升高。利用静电纺丝工艺,结合先驱体热解转化法制备SiC,探索了一种简单、易行的制备亚微米/纳米SiC纤维的方法。由聚碳硅烷(PCS)出发,研究了PCS溶液静电纺丝的工艺参数对纺丝性的影响,PCS原纤维经不熔化、N2中1200℃热处理1h,成功的制备了纤维直径在0.5原2μm之间分布均匀的SiC纤维。

聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究

以聚碳硅烷（PCS）为先驱体，通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜，并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜。用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌，通过红外光谱（FTIR）分析氧化交联后薄膜的结构，通过拉曼光谱（Raman spectroscopy）、X射线衍射（XRD）与场发射高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对薄膜进行微观分析。结果表明，熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜，其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制，薄膜的厚度大约在10～30μm。