颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制

以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果 ,同时讨论了该类电源的结构。

基于超声波清洗技术的太阳能多晶硅片清洗装置设计

基于超声波清洗技术设计了太阳能多晶硅片清洗装置,并通过实验进行了效果验证,结果表明,超声波清洗装置可高效清洗干净多晶硅片表面污染物,色泽光亮均衡统一,效果显著;清洗前,多晶硅片平均接触角较大,表面疏水性过强,清洗后,平均接触角显著下降,说明基于超声波作用,可有效清洗疏水性污染物,且符合多晶硅片清洗洁净要求;随超声波功率增加,清洗后多晶硅片表面接触角呈现为先逐渐缩小,后有所增大的趋势;超声波清洗装置清洗硅片,可获得更微小的表面粗糙度;清洗后硅片表面只包含硅原子,并未观察发现其他杂质元素污染,表面十分洁净。总之,太阳能多晶硅片超声波清洗装置,操作简洁便捷,清洗效果显著,清洗时间短暂,成本相对偏低,节能环保,环境污染较小。

基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文)

本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。

多晶硅薄膜晶体管kink效应的建模

从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义.

提高多晶电阻工艺稳定性

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

多晶硅电池生产含氮废水零排放工程案例介绍

采用预处理+反渗透工艺+蒸发结晶工艺结合,对多晶硅电池片生产含氮废水进行处理,使含氮废水形成闭路循环,实现废水零排放。实际工程运行结果表明:多晶硅电池片生产含氮废水经过零排放工艺处理,回用水质稳定,优于业主给定指标,回用于车间超纯水制备系统,水中溶解物质形成化学污泥及杂盐,委外处置,生产应用可行。

双管板换热器的设计与制造

根据双管板换热器的结构特点,从设计、制造、监造与使用维护方面全过程要点剖析,对主要重点进行系统性进行阐述,并与业内人士全方位交流与要点探讨。