不同宽长比的柔性LTPS TFT的电应力可靠性

为了研究不同宽长比的柔性低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的电应力可靠性,测试了器件的I-V特性,以表征器件在强电场直流应力下由于自热效应和热载流子效应带来的电学性能退化。通过瞬态电流法表征了器件在强电场直流应力下的时间常数谱,并对其产生的新陷阱进行定位,分析了产生陷阱的内在机理。结果表明,在相同的强电场直流应力下宽长比为3/2.5的器件,其电学参数变化最大,自热效应以及热载流子效应带来的影响也最大。自热效应导致器件性能退化的主要原因是较大的栅源电压导致Si/SiO2界面处和栅氧化层中的陷阱增多,而热载流子效应导致器件性能退化的主要原因则是由于较大的漏源电压使得漏极晶界陷阱态密度急剧升高。

多晶硅TFT模型的研究进展

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范。虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够。最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等。

AMOLED像素电路的设计与仿真研究

为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流变化为0.01μA,小于一个灰阶对应的电流,满足显示的要求。

多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点。对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径。归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略。此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等。参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考。最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等。

多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望。