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Quantum confinement effect in electroluminescent porous silicon
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作者 王荣秋 李经建 +4 位作者 陈泳 汤鸣 王宇 蔡生民 刘忠范 《Science China Chemistry》 SCIE EI CAS 1998年第4期337-344,共8页
The voltage\|tuned electroluminescence (EL) of n\|type porous silicon (PS) in a persulphate solution under cathodic polarization was studied. A blue shift with the increase of cathodic polarization and a time\|depende... The voltage\|tuned electroluminescence (EL) of n\|type porous silicon (PS) in a persulphate solution under cathodic polarization was studied. A blue shift with the increase of cathodic polarization and a time\|dependent red shift at constant potential of EL spectra have been observed. To investigate the voltage tuning mechanism and luminescence quenching mechanism for the electroluminescence of PS, FT\|IR, AFM and electrochemical methods were used. The results show that the voltage\|tuned electroluminescence can be attributed to the selective excitation of different sizes of PS crystallites, which agrees with the "quantum confinement model" in PS luminescence. 展开更多
关键词 porous silicon ELECTROluminescence voltage tuning luminescence red SHIFT quantum CONFINEMENT effect.
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Photoluminescence Studies on Ferric Oxide Ultrafine Particles
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作者 ZHANG Yan AI Xi-cheng +2 位作者 XIAO Liang-zhip FEI Hao-sheng and LI Tie-jin (Department of Chemistry , Department of Physics, Jilin University,Changchun, 130023 ) 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 1994年第2期146-148,共3页
PhotoluminescenceStudiesonFerricOxideUltrafineParticlesZHANGYan;AIXi-cheng;XIAOLiang-zhip;FEIHao-sheng;andLI... PhotoluminescenceStudiesonFerricOxideUltrafineParticlesZHANGYan;AIXi-cheng;XIAOLiang-zhip;FEIHao-sheng;andLITie-jin(Departmen... 展开更多
关键词 Ultrafine particles quantum size effect Surface modification PHOTO-luminescence
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Si基纳米结构的电子性质 被引量:1
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作者 彭英才 ZHAO Xin-wei +1 位作者 王英龙 马蕾 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期1-8,共8页
各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si... 各种Si基纳米发光材料在Si基光电子器件及其全Si光电子集成技术中具有潜在的应用前景,从理论和实验上对其电子结构进行研究,有助于我们深化对其发光机制的认识与理解。本文主要从量子限制效应发光这一角度,着重介绍了Si纳米晶粒、Ge/Si量子点,SiO2/Si超晶格和超小尺寸Si纳米团簇等不同Si基纳米结构的电子性质以及它们与发光特性之间的关系。还讨论了介质镶嵌和表面钝化对其电子结构的影响。 展开更多
关键词 si基纳米结构 电子性质 si基纳米发光材料 量子限制效应 电子结构 器件应用
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ZnO胶体的可见发射和表面修饰特性 被引量:9
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作者 吕树臣 宋国利 +2 位作者 张家骅 宋宏伟 黄世华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1049-1052,共4页
利用化学方法在常温下成功地制备了ZnO胶体,颗粒尺寸在5nm以下,其量子限域效应十分明显。通过跟踪测试样品的吸收谱,估价了带边吸收与胶体颗粒大小的关系,并研究了随着胶体颗粒的长大,可见发射强度的变化。通过添加表面活性剂,使粒子的... 利用化学方法在常温下成功地制备了ZnO胶体,颗粒尺寸在5nm以下,其量子限域效应十分明显。通过跟踪测试样品的吸收谱,估价了带边吸收与胶体颗粒大小的关系,并研究了随着胶体颗粒的长大,可见发射强度的变化。通过添加表面活性剂,使粒子的表面得到修饰,从而增强了紫外发射。同时对可见发射机制进行了探讨,指出绿带发射至少部分是来自表面浅陷阱(如单离子氧空位)电子到深陷阱空穴的跃迁。 展开更多
关键词 半导体 纳米氧化锌胶体 可见发射机制 可见发射特性 表面修饰特性 量子限域效应 带边吸收 胶体颗粒粒径 制备
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多孔硅发光与量子尺寸效应的实验研究 被引量:2
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作者 王惟彪 金长春 +2 位作者 王永珍 周永东 金亿鑫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期33-37,共5页
利用电化学阳极腐蚀的方法制备了多孔硅膜,实验发现多孔硅膜为多层结构,表面层为纳米结构,其余为微米结构,多孔硅的物理及化学结构的研究表明多孔硅是一种表面上含硅、氧、氢、氟元素组成的化合物包覆着的纳米晶硅粒和微米硅丝.多... 利用电化学阳极腐蚀的方法制备了多孔硅膜,实验发现多孔硅膜为多层结构,表面层为纳米结构,其余为微米结构,多孔硅的物理及化学结构的研究表明多孔硅是一种表面上含硅、氧、氢、氟元素组成的化合物包覆着的纳米晶硅粒和微米硅丝.多孔硅的发光主要来自表面纳米结构层,亚微米结构层并未见发光,从实验上证实了多孔硅的发光与量子尺寸效应紧密关联. 展开更多
关键词 多孔硅 发光 量子尺寸效应 实验
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纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究 被引量:3
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作者 林璇英 姚若河 +4 位作者 余楚迎 刘兴盛 林揆训 王洪 石旺舟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期175-177,187,共4页
用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜,经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒,室温下能发出可见光。实验表明,高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在SiO2的无序网络中,其晶粒尺寸减少,而发光强度增强,发光峰位置向... 用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜,经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒,室温下能发出可见光。实验表明,高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在SiO2的无序网络中,其晶粒尺寸减少,而发光强度增强,发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明,发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的SiO2层的发光中心。 展开更多
关键词 纳米晶 硅薄膜 表面发光中心 光致发光
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硫化锌量子点的水热-均相沉淀法制备与表征 被引量:1
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作者 张占辉 夏俊杰 +4 位作者 彭伟康 章政 桂亚运 李波 黄志良 《武汉工程大学学报》 CAS 2015年第4期36-39,共4页
为制备高品质、性质稳定的硫化锌量子点,采用硫代乙酰胺在水热条件下的均相沉淀法制备了硫化锌量子点,并采用X射线衍射、透射电子显微镜和荧光光谱仪分别表征了所制得量子点的物相、颗粒尺寸和发光性质,考察了反应时间对量子点物相、颗... 为制备高品质、性质稳定的硫化锌量子点,采用硫代乙酰胺在水热条件下的均相沉淀法制备了硫化锌量子点,并采用X射线衍射、透射电子显微镜和荧光光谱仪分别表征了所制得量子点的物相、颗粒尺寸和发光性质,考察了反应时间对量子点物相、颗粒尺寸和发光性质的影响.结果表明,在80℃水浴条件下,可以获得颗粒尺寸在20 nm以下,面心立方结构的硫化锌量子点.发光性能测试表明:制备的硫化锌量子点可被330 nm紫外光有效激发,产生位于430 nm附近的蓝光发射;随着反应时间的延长,量子点颗粒尺寸增大、发光性质减弱. 展开更多
关键词 量子点 均相沉淀 量子尺寸效应 发光性质
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p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池 被引量:8
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作者 胡志华 廖显伯 +4 位作者 刁宏伟 夏朝凤 曾湘波 郝会颖 孔光临 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期2945-2949,共5页
报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶... 报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应. 展开更多
关键词 氢化纳米硅 量子尺寸效应 硅氢薄膜太阳电池 不锈钢 磁控溅射
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Si(111)-7×7表面上Cd(0001)薄膜的透明性:原子尺度下的界面成像 被引量:1
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作者 肖华芳 郝少杰 +6 位作者 孙凯 陶敏龙 王亚利 谢正波 涂玉兵 叶娟 王俊忠 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2017年第6期94-99,共6页
界面结构对外延薄膜的生长和控制起着非常重要的作用.但是在原子尺度上观察薄膜的界面结构一直是一个挑战性的课题.原因是入射波穿越薄膜时会发生强烈的衰减和退相干,使得检测的界面信号非常微弱.扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Mic... 界面结构对外延薄膜的生长和控制起着非常重要的作用.但是在原子尺度上观察薄膜的界面结构一直是一个挑战性的课题.原因是入射波穿越薄膜时会发生强烈的衰减和退相干,使得检测的界面信号非常微弱.扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscopy,STM)的出现极大地促进了人们对薄膜界面结构方面的研究.早期的研究报道观察到了金属薄膜下的典型的Si(111)-7×7超结构.虽然7×7超结构清晰可见,但从中不能分辨出元胞中的12个Si原子,因此仍未实现原子尺度上的界面结构成像.本文在Si(111)-7×7表面上生长出高质量的Cd(0001)外延薄膜,并利用低温扫描隧道显微镜对Cd(0001)薄膜的界面结构实现了原子尺度成像.在较低的偏压下,清晰地观测到Si(111)-7×7结构的原子分辨像,这也说明了在Cd薄膜生长过程中,Si(111)-7×7的衬底结构得以完整保存.此外还发现,由于量子尺寸效应,偶数层薄膜和奇数层薄膜表现出明显不同的横向分辨率和表面粗糙度,而且这些性质的差异随扫描偏压的变化会发生逆转.把Cd(0001)薄膜的这种优异透明性归因于电子的垂直运动速度远大于面内运动速度,即电子具有高度各向异性的有效质量. 展开更多
关键词 Cd(0001)薄膜 扫描隧道显微镜 si(111)-7×7表面 界面成像 量子尺寸效应
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