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题名sol-gel法制备多孔纳米SiO_2薄膜
被引量:6
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作者
李智
姚熹
张良莹
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机构
西安交通大学电子材料研究所
同济大学功能材料研究所
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期32-34,37,共4页
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基金
国家重点基础研究发展计划(No.2002CB613304)
上海市重点学科项目资助
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文摘
以NH3·H2O为催化剂,用正硅酸乙酯(TEOS)溶胶–凝胶工艺制备纳米多孔二氧化硅薄膜.强碱催化使二氧化硅胶粒溶解度增大并增大了体系的离子强度;丙三醇的加入,与水解中间体结合,有效抑制了二氧化硅溶胶胶粒的长大;PVA(聚乙烯醇)对二氧化硅胶粒有强的吸附作用,使胶粒聚联成大的网络结构,增加了成膜性能.通过改变反应物的剂量,调节添加剂的用量,可以制得折射率1.18~1.42,对应孔率60.50%~7.75%并且孔径小于100 nm的纳米多孔二氧化硅薄膜,.单层薄膜厚度在3 μm以内精确可控.
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关键词
无机非金属材料
多孔纳米二氧化硅薄膜
溶胶-凝胶工艺
孔率
厚度控制
SOL-gel法
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Keywords
inorganic non-metallic materials
nano-porous silica films
sol-gel technique
porousity: the adjustment of thick
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分类号
TN25
[电子电信—物理电子学]
TN2
[电子电信—物理电子学]
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