BEPCⅡ正电子源物理设计

正电子产额是正电子源的一个重要物理量 ,它的高低直接关系到加速器性能的优劣 .此次BEPC(北京正负电子对撞机 )改进 ,要全面升级到BEPCⅡ ,正电子源系统的许多参数都要发生变化 ,必须对系统的各个部件参数重新优化设计 ,从而得到最大产额 .本文采用全新方法 ,将EGS4 (Electron GammaShower)程序包和PARMELA (PhaseandRadialMotioninElectronLinearAccelerator)程序紧密结合起来 ,完成正电子源优化设计工作 .首先使用程序包EGS4 ,对高能电子在介质中的电磁级联过程进行了模拟 ,优化了靶厚度 ,讨论了影响打靶产额的因素 .然后用PARMELA程序 ,接收EGS4的计算结果 ,对正电子在靶后的匹配、聚焦和加速系统中的运动逐个跟踪模拟 ,讨论了俘获节相位的选取 ,得到在正电源出口处的产额 .