功率半导体器件频域热流模型及特性

功率半导体器件的热应力是导致其失效的主要原因之一,因此近年来针对器件的热建模越来越受到关注。由于工况的复杂性,功率半导体器件承受的暂态电热行为通常呈现多时间尺度特性。为了解决这一问题,学者们做出了许多努力,而频域建模相对而言是一个较为简单且实用的方法。但是,目前大多数方法只针对器件的温度频域特性进行研究,而忽略了热流特性,导致器件热模型与外部散热条件相连时温度预测的不准确。文中从频域建模出发,分析功率半导体器件的热流在频域下呈现的低通滤波特性,并提出一种多阶三频率的低通滤波器的热流频域建模方法。该方法还原功率半导体器件全频段的热流特性,提升器件热应力描述的准确性,解决了器件模型与外部散热条件相连的难题,并通过有限元仿真和实验进行验证。

FP-FLR结终端结构的模拟分析

用边界元素法开发成功了高压结终端通用模拟器ＢＲＥＡＫ，利用该软件对浮置金属场板与浮置场限环的复合终端结构进行了仿真计算，并与用ＴＭＡＭＥＤＩＣＩ４．０的仿真结果进行了比较，仿真结果与实验符合较好。

FP-JTE 平面结终端的特性分析

采用边界元法对非穿通情况ＦＰＪＴＥ结构的特性进行了分析计算，发现击穿电压与注入剂量及界面电荷呈线性关系，场板对界面电荷敏感性有抑制作用。