数据中心供配电技术分析

数据中心供配电系统尤为重要,良好的供配电系统能保证数据中心的正常运转。基于供配电系统运行需求,如可靠性、安全性、灵活性、节能性、稳定性、可维护性、可用性等,结合供配电设备设施产品性能以及当前发展现状,阐述数据中心不同的供配技术路线并对比分析其优劣,为数据中心供配电系统工程设计及设备选型提供参考。

功率半导体发展与测试技术研究

以GaN、SiC新材料功率半导体为代表的高性能功率器件和功率模块的出现,在太阳能光伏、风能、新能源汽车、高性能电源、储能、家电等领域广泛应用,其电压电流能力的提升,开关速度和功率密度的提升,对功率半导体的性能和可靠性提出了新的要求,对制造过程各阶段的测试要求也提出了新的挑战。通过分析新材料技术特点和生产工艺要求的研究,研究相关参数测试方法和测试流程,提出了降低功率模块制造成本、提高模块可靠性的基本要求和方法。

厂房建筑光伏项目开发、设计与施工探讨

以某厂房项目为例,详尽对比分析了厂房建筑光伏发电的不同开发设计形式、系统构成、安装工艺以及关键节点控制,对光伏发电量进行仿真计算并与实测数据对比分析,为厂房建筑光伏发电项目应用和研究提供参考与借鉴。

大功率半导体模块封装进展与展望

大功率半导体模块的发展进化是电力电子系统升级和产业发展的最关键因素。文章根据功率模块的主要应用领域分类,综述了其产品和封装技术的最新进展,分析了新型模块产品的结构和技术特点;然后提出了当前模块封装面临的技术、成本以及新型应用系统要求等方面的挑战,讨论了向高频、高温、高可靠性、模块化等方向发展的挑战;最后对大功率半导体模块的互连及连接技术、集成化和灌封材料、紧凑封装结构的中长期趋势进行了探讨和展望。

基于光伏逆变器的飞跨Boost电路参数设计方法研究

针对1500 V电压等级的组串光伏逆变器升压环节,文章开展基于飞跨Boost电路的最优参数计算研究。基于主流光伏电池板的规格要求,确定所设计飞跨Boost电路的输入输出参数。根据飞跨Boost工作原理,首先开展功率半导体模块的选型与校核计算;然后在电路工作极限点分别计算最小输入滤波电感、输入滤波电容和飞跨电容等参数,并提出动态控制策略;最后通过仿真表明基于飞跨Boost主电路参数设计方法的有效性和准确性,为1500 V电压等级的组串式逆变器提供了一种升压电路的设计方法。

数字微波通信技术在风电并网发电通信中的应用

由于传统方法在风电并网发电通信中的应用效果不佳,提出数字微波通信技术在风电并网发电通信中的应用。结合风电并网发电通信的需求,确定通信天线数量、信号发射端与接收端的距离以及传输视距,完成风电并网发电的通信物理配置。利用微波通信技术对风电并网发电通信的信道进行编码、频道扩展处理,采用二进制相移键控方法对基带信号进行载波调制,在信号接收端通过对通信信号解码处理实现对发电信号传输,进而实现基于数字微波通信技术的风电并网发电通信。经实验证明,设计方法的信号传输时间在1 s以内,数据丢失量占总量的比例较小,数字微波通信技术在风电并网发电通信中具有良好的应用前景。

倒装芯片集成电力电子模块

倒装芯片(Flip Chip,FC)技术广泛应用于微电子封装中,将该技术引入到三维的集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM)的封装中,可以构成倒装芯片集成电力电子模块(FC-IPEM)。该文详细介绍FC-IPEM的结构和组装程序。在实验室完成由两只MOSFET和驱动、保护等电路构成的半桥FC-IPEM,并采用它构成同步整流Buck变换器,对半桥FC-IPEM进行电气性能测试,最后给出测试结果。

混合封装电力电子集成模块内电磁干扰的屏蔽

混合封装有源电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。然而,IGBT与控制和驱动电路高密度地集成在一起,电磁干扰是非常重要的问题。研究发现,在IGBT开关瞬态,一个仅仅在直流母线和开关器件之间流动的高频环流是功率电路对控制和驱动电路产生电磁干扰的主要原因。为了抑制这个高频环流的影响,研究了在模块内施加平面电磁屏蔽层的作用和实际效果。结果证明,在模块内设计屏蔽层是改善模块内EMC,提高模块可靠性的有效和必要手段。

集成电力电子模块封装的关键技术

封装技术直接影响到集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM)的电气性能、EMI特性和热性能等,被公认为未来电力电子技术发展的核心推动力。介绍了IPEM封装的结构与互连和基板技术等关键技术及研究现状,分析了已存在的薄膜覆盖封装技术等三维IPEM封装技术,讨论了IPEM封装的发展趋势,最后指出我国IPEM封装技术研究的限制因素与对策。

LCL型并网逆变器的改进数字单环控制技术

建立逆变侧电流单环反馈控制LCL型并网逆变器数学模型,研究数字控制延时对系统稳定性的影响,得出系统稳定控制下的约束延时区间.为减小数字控制延时,通过前移脉宽调制比较寄存器装载时刻的方法,在未提高采样频率的情况下将采样延时减小为采样周期的1/2,使系统达到临界稳定状态;对比分析结果表明,采用参数优化的方法对传统相位补偿算法进行改进,在提高系统相位裕度的同时能降低系统高频增益,提高系统稳定性.仿真和实验结果验证了改进方法的有效性.

倒装芯片集成电力电子模块寄生参数的建模

采用球栅阵列芯片尺寸封装技术和倒装芯片(Flip Chip,FC)技术构建了半桥集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM),半桥FC-IPEM实现三维封装结构。采用阻抗测量法提取模块寄生电感和寄生电容,建立模块的寄生参数模型,对模块进行电气性能测试。结果表明:半桥FC-IPEM构成的同步整流Buck变换器输出滤波电感中的电流波动幅度小于0.6A。

高功率半导体激光通信系统的调制技术研究

通信技术的快速发展,导致对高功率半导体激光通信系统的调制技术要求也越来越高,高功率半导体激光调制源是通信系统中最主要的部分。针对当前社会在激光通信系统中面临调制响应时间过长、成本消耗较高、完成时间较慢等问题。提出一种基于高功率半导体激光通信系统直接调制方法。通过对高功率半导体激光器结构和应用进行分析,为了降低通信系统成本消耗及复杂度,采用直接调制的方法进行调制,根据通信系统信号调制规律去改变通信系统震荡参数,从而实现系统调制。实验结果表明,本文方法调制响应时间较短、成本消耗较低、完成时间较快。

一种直流并联电源的输出纹波抑制技术研究

直流电源可以通过并联有效提高输出电压电流的可靠性,但在提高可靠性的同时,也会存在输出电流电压纹波相较单个直流电源增加的问题,针对此问题,文中以直流降压斩波电路为例,对其在并联工作模式下输出电压与电流纹波进行分析,提出采用双脉宽调制方式对输出的电流电压纹波进行抑制,并给出了理论抑制效果计算值,最后通过实验,对工作在该调制模式下的并联直流电源输出电流电压纹波进行了数据采集,通过与常规单脉宽调制方式下的输出纹波进行比较,结果表明双脉宽调制方式可有效对并联电源的输出电流电压纹波进行抑制。

低功耗植入微系统自适应时钟数据恢复电路(英文)

设计一种超低功耗、适用于脉冲位置调制的时钟数据恢复电路.通过对电荷积分,将窄脉冲的时间间距转化为电压,可便捷地恢复精确同步的时钟和数据信号.为扩大可工作的数据率范围,数据恢复所需阈值电压根据输入信号自适应产生.采用CMOS 0.25μm工艺实现所设计的电路,通过仿真验证了其性能.该设计在输入数据率为45.5 kbit/s时,电路功耗仅为13μW.

银烧结技术在功率模块封装中的应用

银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用正受到越来越多的关注。作为传统软钎焊技术的替代方案,银烧结技术在宽禁带半导体封装中具有良好的应用前景。阐述了银烧结技术原理,介绍了目前银烧结技术在功率模块中的应用情况,总结了影响银烧结层质量的因素,并从检测手段、材料成本及专利方面对银烧结技术的应用前景进行了展望。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

轨道交通用功率半导体器件应用技术的研究

大功率变流技术发展的核心在于功率半导体技术,传统硅基功率半导体器件不断迭代优化以及新型宽禁带材料半导体器件逐渐成熟,持续为轨道交通产业的发展贡献"源动力"。文章围绕功率半导体芯片技术,系统性地分析了模块封装、组件集成、冷却散热和电磁兼容等变流应用技术的最新发展成果。功率半导体器件应用技术研究的不断深入是促进轨道交通牵引装备朝着更大功率密度、更高能量转换效率和更高可靠性等方向发展的关键。

基于BPA计算模型和SVG的大电网实时仿真方法

分析了电力系统各级调度现有数据资源及数据管理方法,在此基础上,提出了一种以BPA计算模型为数据载体的大电网实时仿真方法。该方法以BPA文件格式统一构建大电网计算模型,基于SVG(可缩放矢量图形)技术对BPA计算模型进行二次图形化建模,与国产BPA计算软件相结合后,可实现图、模一体化在线编辑及实时仿真分析,实际系统的应用验证了所提方法的有效性。该方法可为电网研究、规划和实际操作提供理论依据。

基于埋入元器件基板技术的功率模块浅析

随着小型化和高集成度发展趋势成为主流，模块化已经成为行业发展的关键。为满足市场对微型多功能功率管理模块的新兴需求，各厂商纷纷向市场投放功率模块，其除、功率IC外还将输入、输出电容器及输出电感器集成在一个封装内的功率模块。但传统模块的封装形式局限于二维平面内，封装集成度的二维延伸已经到了关键转折点，先进的封装技术要求更高的集成、厚度减薄及成本效益。芯片埋入式技术为在3D结构中集成异质芯片提供了有效解决途径，成为实现三维封装解决方案更具吸引力的集成手段。如今，行业内先进公司纷纷推出采用芯片埋入式技术的新型功率模块，并得到市场的认可。我司凭借自主研发的芯片埋入式技术ECiS（Embedded Componentin bstrate），开发出新型埋入式功率模块，为客户提供高集成度、小型化和低成本解决方案。

通信室外一体化机柜市电引入施工细则探讨

文中论述了通信室外一体化机柜市电引入施工规范要求,如电力电缆选择、敷设方式、防雷接地、安装等,提出了具体的施工建议,可供运营商的通信室外一体化机柜市电引入工程施工指导和规范的参考。