立方星伞状天线展开过程运动误差分析

立方星伞状天线由金属丝网、双折辐射肋、中心轮毂等结构组成,其辐射肋的间隙误差影响展开过程与展开后的位置精度。针对0.5m口径Ka频段立方星伞状天线辐射肋间隙误差对展开过程的影响,基于有效杆长理论,建立了铰链间隙误差对辐射肋运动过程影响的数学模型,分析了双折辐射肋在展开过程中运动性能的数字特征,得到在4种常见的轴孔配合铰链约束情况下,根肋顶点的位置误差小于0.08mm,天线尖肋顶点的位置误差小于0.14mm,可以为天线根肋、尖肋铰链间隙误差的选择提供理论依据。

多天线干涉处理的窄带雷达空间旋转目标三维成像

借鉴干涉式逆合成孔径雷达中多天线干涉处理的思想,采用L型三天线成像结构,提出了一种基于多天线干涉处理的窄带雷达空间旋转目标三维成像方法。推导了窄带条件下空间旋转目标回波干涉处理的原理,分析了短时傅里叶变换对回波干涉相位信息的影响,在对各天线回波进行短时傅里叶变换的基础上,在时频平面上有效区分了各散射点对应的回波曲线,获得了不同散射点对应的干涉相位信息,实现了对空间旋转目标的干涉式三维成像。与已有方法相比,该方法仅需利用单部多天线雷达即可获得目标的真实三维信息。仿真结果验证了所提方法的有效性。

自适应调零天线对抗效能层次分析评估方法

针对自适应调零天线对抗中的干扰效能评估问题,提出了层次分析评估法.首先,选取对抗效能评估指标,建立评估层次结构模型;其次,利用层次分析法给出对抗效能的评估方案;最后,利用3种经典自适应调零算法在不同空域干扰下的性能指标进行评估实验.实验结果表明,所提方法能够在不同自适应调零天线对抗实验方案中进行合理、有效的评估,具有较强的适应性.该研究不仅可用于调零天线对抗方案的优化及其干扰效能评估,而且也可指导调零天线抗干扰技术的改进.

深亚微米VLSI物理设计中天线效应的预防及修复

深亚微米超大规模集成电路(VLSI)中金属互连线的天线效应(PAE)将会严重影响芯片物理设计的结果,甚至造成设计的失败。因此详细分析了天线效应的产生、危害和计算方法,重点讨论了深亚微米VLSI芯片物理设计中的PAE预防和修复方法,并且针对面积和时序要求苛刻的复杂芯片设计提出了优化的迭代流程。上述方法和流程成功应用于本研究室协作承担的"风芯Ⅱ号"H.264/AVC-AVS视频解码SoC芯片的后端物理设计过程中,极大地提高了天线效应的预防和修复效率,消除了版图中全部潜在高危PAE问题且节省了18.18%的迭代次数,节约了17.39%的芯片管芯面积,确保并实现了芯片流片的一次成功。

宽带相控阵测向技术研究

相控阵天线要实现宽带处理一直是一个难题,带宽宽天线波束指向会发生偏移,由于孔径渡越会引起信号发生畸变。通过对带宽影响的机理分析和无源测向机理的分析,提出了一种宽带有源相控阵测向实现方法。利用该方法可以在一定工程可实现的边界约束条件下完成宽带相控阵测向。

超深亚微米物理设计中天线效应的消除

分析了超深亚微米物理设计中天线效应的产生机理以及基于超深亚微米工艺阐述了计算天线比率的具体方法。同时,根据天线效应的产生机理并结合时钟树综合提出了消除天线效应的新方法。此方法通过设置合理的约束进行时钟树综合,使得天线效应对时钟延时和时钟偏斜的影响降到最低,从而对芯片时序的影响降到最低。最后结合一款芯片的物理设计,该设计采用台积电(TSMC)65 nm低功耗(LP)工艺,在布局布线中运用所述的方法进行时钟树综合并且使得时钟网络布线具有最大的优先权。此方法有效地消除了设计中存在的天线效应,并且使得天线效应对时钟树的影响降到最低以及对时序的影响降到最小。

超深亚微米IC设计中的天线效应分析

天线效应(PAE)是超深亚微米IC设计后端设计流程中的一个关键问题。该文具体分析了在芯片制造过程中产生天线效应的原因和影响因素,根据其产生机理提出了四种消除天线效应的方法,同时还给出了设计中的天线规则和天线比率的具体计算方法。在真实的设计实例中,运用该方法解决了设计中存在的天线效应问题,证明了它的切实可行性。

基于模糊理论的卫星天线双轴驱动机构效能评估

根据卫星双轴驱动机构的组成及功能,建立了双轴驱动机构综合效能评价指标体系,以某型卫星天线双轴驱动机构为研究对象,运用层次分析法和基于模糊理论的定性与定量相结合评估指标量化的方法,建立了多级模糊综合评价模型,并利用实例说明了评估方法和过程,结果表明该机构的综合效能良好。

航天器缠绕肋天线缠绕过程动力学建模与仿真

航天器缠绕肋天线缠绕过程,涉及柔性大变形与大范围运动的耦合、阻尼因素影响,以及缠绕肋条与中心毂接触碰撞等动力学问题,是获取缠绕肋天线展开特性的重要输入。文章应用空间绝对节点坐标法对缠绕肋天线建模,基于比例阻尼模型推导了阻尼力对绝对坐标列阵的雅克比矩阵,建立了缠绕肋条与中心毂的刚柔耦合系统接触碰撞检测模型。通过对缠绕肋条缠绕过程进行仿真,获得了缠绕肋条缠绕过程的动力学响应,分析了阻尼系数选取对缠绕速度、中心毂接触力的影响,结果可为缠绕肋天线展开过程的动力学分析提供输入,并为缠绕肋天线研制过程中缠绕、展开试验提供参考。

大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应

等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据不同介质层沉积对器件的影响,确定了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是大马士革工艺中易造成等离子体损伤的薄弱环节之一。实验结果表明,同种工艺满足相同的天线扩散效应,此时工艺参数的改变不会影响天线扩散系数。对带有不同天线结构的PMOS器件进行可靠性分析,得知与密齿状天线相比,疏齿状天线对器件的损伤更严重,确定了结构面积和间距是影响PECVD工艺可靠性水平的关键参数。

深亚微米SOI工艺SoC设计中天线效应的消除

深亚微米SOI片上系统芯片(SoC)因其工艺特性,按照常规的布局布线(PNR)流程,出现了约一万个天线效应违规。介绍了一种在布局布线阶段不插入反偏二极管就可以消除大量天线效应违规的优化迭代流程。通过对天线效应的产生以及天线比率公式的分析,从线长和栅面积角度考虑天线效应的修复,结合自动布局布线设计工具SoC Encounter对这些因素的控制,可以在布局布线阶段消除天线效应的违规,并能与版图验证的结果保持一致。在一款通用抗辐照SoC芯片的设计中,应用该优化流程在布局布线阶段消除了设计中的天线效应违规,有效节约了芯片整体设计时间。

基于BL0939的天线效应分析

随着半导体工艺技术的发展,栅的特征尺寸越来越小,然而金属走线却越来越长,这就造成了与之相关的天线效应(PAE)越来越显著。分析在芯片制造过程中产生天线效应的原因,并在此基础上提出了四种消除天线效应的方法。其方法应用于BL0939的后端设计,证明了它的切实可行性。