NAND闪存编程干扰错误研究

编程干扰错误是3D-TLC NAND闪存的主要错误之一,了解3D-TLC NAND闪存编程干扰错误模式是设计可靠方案的前提和基础。以实际的FPGA测试平台为基础对3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误的出错模式进行了测试研究,分析发现:3D-TLC NAND闪存的编程干扰错误会使单元状态转移比例具有不平衡的关系;MSB页、CSB页和LSB页具有不平衡的比特错误比例和比特错误率分布。这些测试发现为设计可靠的方案提供了重要技术参考信息。