一种CMOS过热保护电路

提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路 .采用 0 .6 μm n阱互补金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的spectre仿真结果表明 ,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力 .

应用于TCXO的高性能温度传感器设计

介绍了一款基于0.4μm Bi CMOS工艺应用于温度补偿晶体振荡器的高性能温度传感器的设计。该温度传感器利用基极-发射极电压(VBE)减去与绝对温度成正比(PTAT)电流在电阻上的压降的原理,产生了与温度成线性的输出电压。采用包含两个串联发射结电压和低失调运算放大器的PTAT电流产生器,实现了高精度的PTAT电流;采用具有负温度系数的电阻,补偿了VBE的高阶温度特性;采用共源共栅结构,提高了输出电压的电源抑制。后仿真结果表明,当电源电压为3.3 V,温度范围为-40~85℃时,温度传感器的输出电压范围为0.964~1.490V,输出电压的斜率范围为-4.245×10-3^-4.160×10-3,斜率变化范围为8.5×10-5,表明该温度传感器具有非常高的线性度。

一种BiCMOS过温保护电路

在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μmBiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。

用于OLED驱动电路的振荡器设计

有机发光二极管(OLED)在不同的工作温度下发光亮度不同,严重影响显示效果。为解决这一问题,需要在驱动芯片中设计温度传感器,实时采样温度信息来调整光亮度。利用带隙基准原理设计了一种输出信号的频率与绝对温度成线性关系的振荡器。通过带隙基准电源产生与绝对温度成正比例的电流,使用该电流对电容充放电以实现信号的振荡。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺对电路仿真,电源电压设置为1.8 V,TT标准工艺角,仿真温度设置为0℃时,输出信号频率为3.447 MHz。温度每升高1℃,输出信号的频率增加16 k Hz,可以为OLED驱动电路提供精确的温度信息。

一种通用的DC-DC过温保护电路

设计了一种通用的过温保护电路。该电路是利用晶体管的BE结具有负温度系数的原理,转化成随温度升高而降低的BE结电压,控制晶体管的通断来达到过温保护的目的。仿真结果表明,该过温保护电路具有良好的稳定性,可以通用于大多数DC-DC转换器芯片中。

LCD驱动中的带隙基准电压源的设计与实现

介绍一种用于LCD驱动中的带隙基准电压源,采用Chartered 3.3V 0.35μm18V高压CMOS工艺,产生5个不同的负温度系数,以便于LCDpanel的选择。电源工作范围2.4V～3.6V,工作温度范围-40℃～85℃。

模拟集成温度传感器设计

介绍了一种模拟集成温度传感器的电路设计。该电路利用双极性晶体管基极-发射极结压降与热力学温度T成比例的关系来实现温度的测量,并在6μm双极工艺线上投片成功。该电路在常温25℃下输出298.2μA的电流,在-55℃～150℃的工作温度范围内的误差不超过±3℃,非线性度误差不超过±0.4℃。