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Some Properties of Si,Ge,and α-Sn Using Pseudopotential Theory
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作者 P.S.Vyas B.Y.Thakore +1 位作者 P.N.Gajjar A.R.Jani 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第9期573-577,共5页
在有我们的很好确定的单身的参量的模型潜力的第二份订单以外的 pseudopotential 理论被采用计算全部的水晶精力,静态的体积模量,在Jones地区脸和 Si 的压力卷关系(在压力下面的状态的方程)上的点 X 的精力乐队差距,用 Nagy 的静态... 在有我们的很好确定的单身的参量的模型潜力的第二份订单以外的 pseudopotential 理论被采用计算全部的水晶精力,静态的体积模量,在Jones地区脸和 Si 的压力卷关系(在压力下面的状态的方程)上的点 X 的精力乐队差距,用 Nagy 的静态的本地域修正的 Ge 和 -Sn 工作。结果与那些相比使用很少获得另外的本地地修正功能。全部的精力的现在的结果在对试验性的数据的好同意。屏蔽功能完美地与 Ge 和 -Sn 的试验性的结果正在匹配的由 Nagy 的家计算的体积模量。一些偏差在精力乐队差距的价值被发现。 展开更多
关键词 势理论 属性 体积弹性模量 校正功能 实验数据
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