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Experimental Investigations on Trigger Characteristics of Pseudospark Switch Based on Surface Flashover Technology 被引量:1
1
作者 姚学玲 陈景亮 曾正中 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第4期496-499,共4页
A trigger device and a triggered pseudospark switch (TPSS) were designed based on surface flashover technology, in order to meet the requirements from present pulse power technology and pulse current test technology... A trigger device and a triggered pseudospark switch (TPSS) were designed based on surface flashover technology, in order to meet the requirements from present pulse power technology and pulse current test technology such as a long lifetime, reliability in a wide voltage range, a short delay time, as well as small delay jitters. The trigger devices were made from different dielectric materials, with their permittivities from tens to thousands. The trigger characteristics of TPSS were investigated. The results indicate that the high-dielectric trigger device shows better performance and higher emitted charge of the electron emission within all adjusted parameters including the gas pressure and applied voltage. For the dielectric material with relative permittivity εr of 3460, when the gas pressure is 7 Pa, the hold-off voltage of TPSS is 28 kV, the minimum trigger switch voltage drops to 128 V, the minimum discharging delay time and delay jitter are less than 35ns and 6ns, respectively, and the reliable operation can be reached within a very large range of charging voltage, between 0.46% and 99% of its self-breakdown voltage. 展开更多
关键词 Tpss (triggered pseudospark switch trigger characteristics surface fiashover discharge
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Zinc Oxide Surface Flashover Triggering of Pseudospark Switch
2
作者 谢建民 邱毓昌 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第3期1811-1814,共4页
Accurate and reliable triggering is one of the most important issues with high power pseudospark switch, because it not only has an impact on the design of discharge chamber of switch, but also has an influence on the... Accurate and reliable triggering is one of the most important issues with high power pseudospark switch, because it not only has an impact on the design of discharge chamber of switch, but also has an influence on the dynamic range of operation voltage, repetition frequencies and lifetime of switch. The unique feature of pseudospark switch is its hollow cathode geometry. The hollow cathode effect produced by the hollow cathode provides the protection of the switch for the triggering unit from erosion by high discharge plasma. In this paper, a zinc oxide (ZnO) surface flashover triggering is presented. This trigger unit possesses an excellent time delay (80 ns - 360 ns) and jitter (20 ns - 50 ns) at the switch voltage of 30 kV - 2 kV. The emitted plasma electron density is high enough to trigger switch reliably down to switch voltage of 440 V. 展开更多
关键词 pseudospark switch(pss) pulsed power technology semiconductor (ZnO) surface flashover triggering hollow cathode effect
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辉光放电触发重频伪火花开关研究
3
作者 丁闻婧 冯进军 +1 位作者 张明 杨鸿飞 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期80-85,共6页
伪火花开关是工作在帕邢曲线左支的低气压开关,具有纳秒级击穿时间、百千安级脉冲电流、工作寿命长等特点。具有高重频性能的伪火花开关民用领域以及军事领域均有广泛的应用需求。基于双脉冲辉光放电触发结构,设计出一种具有重频能力的... 伪火花开关是工作在帕邢曲线左支的低气压开关,具有纳秒级击穿时间、百千安级脉冲电流、工作寿命长等特点。具有高重频性能的伪火花开关民用领域以及军事领域均有广泛的应用需求。基于双脉冲辉光放电触发结构,设计出一种具有重频能力的伪火花开关;在10 kV阳极电压下进行了整管测试,观察不同气压,预、主触发电压对重频性能以及触发性能的影响;结合仿真软件计算不同气压与触发电压下,触发电流的变化,最终总结了两个脉冲对触发过程的影响。测试结果表明,最低仅100 V触发电压,开关重复频率即可从沿面放电触发的100 Hz提升至400 Hz。 展开更多
关键词 伪火花开关 重复频率 辉光放电触发 双脉冲触发
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空中目标动态HRRP特征可重构模拟方法
4
作者 徐勇 冯德军 +2 位作者 王俊杰 徐志明 隋冉 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 北大核心 2024年第4期1135-1142,共8页
针对目前无源模拟技术无法实现目标动态电磁特征模拟的问题,提出了一种利用相位调制表面(phase-switched screen, PSS)进行空中目标动态高分辨距离像(high resolution range profile, HRRP)特征可重构的模拟方法。以无人直升机旋翼为例... 针对目前无源模拟技术无法实现目标动态电磁特征模拟的问题,提出了一种利用相位调制表面(phase-switched screen, PSS)进行空中目标动态高分辨距离像(high resolution range profile, HRRP)特征可重构的模拟方法。以无人直升机旋翼为例,对旋翼的运动状态进行了建模,并详细分析了其动态HRRP特征。另外,通过建立PSS的周期调制信号模型,详细分析了PSS对雷达入射波的调控效果。在此基础上,提出了一种调制频率时变的PSS可重构模拟方法,该方法能够生成随时间变化的可控谐波分量,模拟产生的谐波分量与无人直升机旋翼的动态HRRP特征变化规律相似。通过仿真数据对比分析,调制频率时变的PSS可重构模拟方法能够实现无人直升机旋翼的动态HRRP特征模拟效果。 展开更多
关键词 动态特征模拟 相位调制表面 调制频率时变 高分辨距离像
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A Novel Crowbar Impulse Current Circuit for Testing the Switch-Type SPD 被引量:1
5
作者 姚学玲 陈景亮 孙伟 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第2期221-226,共6页
A crowbar impulse current circuit for testing the switch-type surge protective device (SPD) is presented. The crowbar circuit consists of a computer control circuit, a trigger voltage pulse generator, a main dischar... A crowbar impulse current circuit for testing the switch-type surge protective device (SPD) is presented. The crowbar circuit consists of a computer control circuit, a trigger voltage pulse generator, a main discharging switch, and a crowbar pseudospark switch. The active trigger technology was studied in the crowbar impulse current circuit. The circuit monitors the main discharging current and generates a trigger signal at a proper time for the crowbar pseudospark switch operation. The trigger characteristics of the main discharge switch and the crowbar pseu- dospark switch were investigated. By monitoring the preset applied capacitor voltage, the gap distance of the main discharging switch could be adjusted to ensure a discharging delay time less than 2 μs. Equipped with a surface ttashover trigger device made of high relative perimittivity dielectric material BaTiO3 (εr = 3460), the discharge delay time of the crowbar pseudospark switch is less than 85 ns, and the minimum operating voltage is less than 1% of its self-breakdown voltage. With a storage capacitor of 9 μF , an inductor of 18 μH and a crowbar pseudospark switch, a load of 30 mΩ and an applied capacitor voltage of 40 kV, an impulse current waveform of maximum 25 kA was generated with a rise time and time to half peak value of 17.2 μs and 336μs respectively. 展开更多
关键词 crowbar impulse current circuit triggered crowbar pseudospark switch activetrigger technology switch-type surge protective device
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一步共沉积法制备ZSM-5/PANI/PSS电活性膜及其电控选择性分离重金属Pb^(2+)的动力学特性
6
作者 乔文磊 杜晓 +3 位作者 高凤凤 郑君兰 李莎莎 郝晓刚 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期143-153,共11页
本文采用双脉冲一步共沉积法制备了ZSM-5/聚苯胺/聚苯乙烯磺酸钠(ZSM-5/PANI/PSS)电活性膜,通过FT-IR、XRD和SEM对ZSM-5/PANI/PSS电活性膜进行了表征.由水热法合成纳米级ZSM-5颗粒,经超声处理将ZSM-5分散,有利于合成均匀的ZSM-5/PANI/PS... 本文采用双脉冲一步共沉积法制备了ZSM-5/聚苯胺/聚苯乙烯磺酸钠(ZSM-5/PANI/PSS)电活性膜,通过FT-IR、XRD和SEM对ZSM-5/PANI/PSS电活性膜进行了表征.由水热法合成纳米级ZSM-5颗粒,经超声处理将ZSM-5分散,有利于合成均匀的ZSM-5/PANI/PSS电活性膜.实验结果表明该电活性膜对Pb^(2+)具有优良的选择分离性能,在10 mg·L-1的Pb^(2+)溶液中电控离子交换法对Pb^(2+)的去除率是传统离子交换法的2.3倍,且前者的平衡吸附量是后者的2.5倍.吸附过程满足Langmuir等温吸附方程,ZSM-5/PANI/PSS电活性膜对Pb^(2+)的交换量高达235 mg·g^(-1).吸附过程为准一级动力学吸附,电控离子交换过程的准一级吸附速率常数(0.0227 g·mg^(-1)·min^(-1))明显高于传统离子交换(0.0117 g·mg^(-1)·min^(-1)).该电活性膜在电控离子交换处理废水领域具有很好的应用前景. 展开更多
关键词 电控离子交换 ZSM-5/PANI/pss 吸附选择性 PB^2+ 吸附动力学
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大功率伪火花放电开关触发电路的设计 被引量:6
7
作者 谢建民 邱毓昌 +1 位作者 姜惟 曾建成 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期16-19,共4页
伪火花放电开关的触发技术是伪火花开关研究中的一项重要内容。因为触发方案的选择不仅关系到开关放电室的设计,而且对开关的工作电压范围,工作频率和使用寿命有很大影响。伪火花开关及其触发设计的最主要特征在于它的空心阴极结构,空... 伪火花放电开关的触发技术是伪火花开关研究中的一项重要内容。因为触发方案的选择不仅关系到开关放电室的设计,而且对开关的工作电压范围,工作频率和使用寿命有很大影响。伪火花开关及其触发设计的最主要特征在于它的空心阴极结构,空心阴极的存在既是伪火花间隙放电的先决条件,又为开关的触发单元提供必要的空间和可靠的保护屏障,使得触发部件不受主放电等离子体电流的冲击和烧蚀。笔者提出了伪火花开关触发设计的技术要求,总结了现有伪火花放电开关的触发方法,并对它们的触发效果进行了比较,重点介绍了脉冲辉光放电(脉冲空心阴极)触发和表面放电触发及其发展。 展开更多
关键词 大功率 伪火花放电开关 触发电路 脉冲功率技术 空心阴极效应
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多通道伪火花开关及其触发技术 被引量:12
8
作者 谢建民 邱毓昌 张磬兰 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期9-11,共3页
总结了多通道伪火花开关的优点 ,对直线、同轴和径向型多通道伪火花开关的结构和特点作了综述。采用多通道结构后 ,伪火花开关的触发问题较单通道时更为复杂 ,分析了多通道开关对其触发电路的特别要求 ,并介绍了国外的研究成果。
关键词 多通道伪火花开关 触发技术 脉冲功率 电极
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伪火花放电开关的陶瓷表面放电触发研究 被引量:6
9
作者 谢建民 邱毓昌 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期199-202,共4页
设计了伪火花开关的陶瓷材料表面放电触发器 ,该触发器体积小 ,结构简单 ,可焙烧。经大量实验 (>10 5次 )表明 ,较传统的表面放电触发器可靠性提高 ,寿命延长 ,用它触发的伪火花开关 (放电电压 30~ 2kV)具有稳定的放电时延 (5 0~ 3... 设计了伪火花开关的陶瓷材料表面放电触发器 ,该触发器体积小 ,结构简单 ,可焙烧。经大量实验 (>10 5次 )表明 ,较传统的表面放电触发器可靠性提高 ,寿命延长 ,用它触发的伪火花开关 (放电电压 30~ 2kV)具有稳定的放电时延 (5 0~ 340ns)和时延抖动 (15~ 4 0ns)。由于触发电流大 ,因此可在极低的开关电压下触发开关 ,对耐受电压 30kV的伪火花开关 ,其最低可触发开关电压可至 6 0 0V。 展开更多
关键词 伪火花放电开关 pss 脉冲功率技术 陶瓷表面放电触发器 空心阴极效应
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伪火花放电开关电压跌落过程实验研究 被引量:2
10
作者 谢建民 邱毓昌 孙岩洲 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期513-516,共4页
 设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的电压特性实验,给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线;测量了产生伪火花放电的气压范围(1~29Pa)和单间隙伪火花放电开关耐受电压的最大值(40kV),测得了伪火花放电与辉...  设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的电压特性实验,给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线;测量了产生伪火花放电的气压范围(1~29Pa)和单间隙伪火花放电开关耐受电压的最大值(40kV),测得了伪火花放电与辉光放电的转折点气压(29Pa),并对实验结果进行了理论分析。研究了伪火花放电开关电压跌落时间与放电电压的关系,首次将开关电压跌落过程分为暂态阶段和稳态阶段,讨论了放电电路参数,气体压力,开关结构和放电电压对电压跌落时间的影响。实验表明,在气压和开关结构不变的条件下,暂态过程时间由放电电压决定,电压越高,则所需时间就越短;稳态过程时间由放电电路参数决定,不受放电电压影响。 展开更多
关键词 伪火花放电开关 脉冲功率技术 耐受电压 电压跌落
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伪火花开关自放电电压特性与电压跌落过程实验研究 被引量:1
11
作者 谢建民 邱毓昌 +2 位作者 陈景亮 孙成民 姜惟 《电工电能新技术》 CSCD 2003年第2期15-19,共5页
设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的电压特性实验,详细研究了气体压力,电极间隙距离,电极孔径和电极材料对伪火花开关耐受电压的影响;给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线;测量了产生伪火花放电的气压范围... 设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的电压特性实验,详细研究了气体压力,电极间隙距离,电极孔径和电极材料对伪火花开关耐受电压的影响;给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线;测量了产生伪火花放电的气压范围和单间隙伪火花开关耐受电压的最大值,测得了伪火花放电与辉光放电的转折点气压,并对实验结果进行了理论分析。研究了伪火花开关电压跌落时间与放电电压的关系,首次将开关电压跌落过程分为暂态阶段和稳态阶段,讨论了放电电路参数,气体压力,开关结构和放电电压对电压跌落时间的影响。实验表明,在气压和开关结构不变的条件下,暂态过程时间由放电电压决定,电压越高,则所需时间就越短;稳态过程时间由放电电路参数决定,而与放电电压无关。最后讨论了真空洁净程度和开关加工与装配工艺对伪火花开关耐受电压的影响。 展开更多
关键词 伪火花开关 自放电 电压特性 电压跌落过程 实验 耐受电压 脉冲功率
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伪火花放电开关的实验研究 被引量:10
12
作者 谢建民 陈景亮 +2 位作者 邱毓昌 孙成民 段乃欣 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1227-1231,共5页
设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的放电实验研究.测量了伪火花开关耐受电压与气压关系曲线,确定了产生伪火花放电的气压范围.研究表明,当间隙距离和孔径均为3mm时,开关的伪火花放电气压范围为4~29Pa.实验发现,在伪... 设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的放电实验研究.测量了伪火花开关耐受电压与气压关系曲线,确定了产生伪火花放电的气压范围.研究表明,当间隙距离和孔径均为3mm时,开关的伪火花放电气压范围为4~29Pa.实验发现,在伪火花放电和普通辉光放电之间存在一气压阈值,在本文实验条件下,该点的气压为29Pa,此时开关放电电压为2kV.测得了单间隙伪火花开关耐受电压的上限值(40kV),并对此现象进行了理论分析.计算了开关的放电电流密度和电流上升陡度,当导通电流为93kA时,其电流密度大于1 7×104A/cm2,电流上升陡度大于7 8×1010A/s,反峰系数为90%.最后,分析了伪火花开关的设计要点与性能影响因素. 展开更多
关键词 实验研究 伪火花放电开关 脉冲功率技术 放电曲线 气压范围 耐受电压
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假火花开关初始放电过程的理论计算 被引量:4
13
作者 祝大军 刘盛纲 +3 位作者 石金水 何毅 戴光森 邓建军 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第1期123-130,共8页
假火花开关具有耐压高、放电电流大及电流上升速率快的优点。本文利用流体模型及当地场近似,对其放电过程进行了理论计算。结果表明,在放电初始阶段,空心阴极效应起关键作用。同时,对不同初始条件(初始电子、离子密度不同)及不同... 假火花开关具有耐压高、放电电流大及电流上升速率快的优点。本文利用流体模型及当地场近似,对其放电过程进行了理论计算。结果表明,在放电初始阶段,空心阴极效应起关键作用。同时,对不同初始条件(初始电子、离子密度不同)及不同边界条件(开关结构尺寸不同)的放电过程进行了计算。给出了放电时间、放电电流、最佳阴阳极距离和阴极孔尺寸大小。 展开更多
关键词 假火花 空心阴极 开关 流体模型 等离子体
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同轴式三通道伪火花放电开关实验研究 被引量:1
14
作者 谢建民 邱毓昌 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期40-43,共4页
设计了典型参数下的三通道伪火花放电开关及其陶瓷表面放电触发器,进行了空气介质下的放电实验,测得了伪火花放电的气压范围,给出了开关的耐受电压曲线,计算了开关的电流上升陡度,比较了相同尺寸下的单通道伪火花开关。试验结果表明,采... 设计了典型参数下的三通道伪火花放电开关及其陶瓷表面放电触发器,进行了空气介质下的放电实验,测得了伪火花放电的气压范围,给出了开关的耐受电压曲线,计算了开关的电流上升陡度,比较了相同尺寸下的单通道伪火花开关。试验结果表明,采用多通道结构后,开关的通流能力由单通道的40kA提高到120 kA,电路的电流上升陡度提高约20%,而电极烧损则大大降低。此开关具有良好的触发性能,在2~30 kV的放电电压下,放电电流的时延及其抖动分别为50~340 ns和15~40 ns,其最低可触发开关电压为600V. 展开更多
关键词 同轴式三通道伪火花放电开关 实验 冲击大电流 脉冲功率 触发器
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辉光放电触发赝火花开关的时延及抖动特性 被引量:4
15
作者 秦风 常安碧 +2 位作者 丁恩燕 金晓 罗敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1402-1406,共5页
设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35~0.60 mA时,随辉光放电电流... 设计了一种辉光放电触发赝火花开关,对其时延和抖动特性进行系统研究。研究了开关时延、抖动与辉光放电电流、气压、触发电压及阳极电压的关系。当辉光放电电流小于0.30 mA时,开关无法触发导通;当电流为0.35~0.60 mA时,随辉光放电电流的增大,开关时延、抖动减小;当辉光放电电流为0.60 mA时,开关时延、抖动基本不变,出现饱和。当氦气气压低于6 Pa,开关难以触通,与理论计算值6.95 Pa吻合;当氦气气压为6~12 Pa时,开关的时延、抖动随气压的升高而减小;气压为12~30 Pa时,开关工作在比较稳定的状态。当触发电压小于3 kV,开关难以触通;随着触发电压的增大,开关时延、抖动减小;当触发电压大于5.3kV,开关时延、抖动基本保持不变。开关在稳定工作条件下,阳极电压在8~25 kV范围内变化时;开关时延基本不变。 展开更多
关键词 赝火花开关 时延 抖动 辉光放电电流 触发电压 阳极电压
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半导体碳化硅在伪火花放电高能开关中的应用 被引量:7
16
作者 谢建民 邱毓昌 +1 位作者 姜唯 曾建成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期26-28,共3页
伪火花放电开关 (PSS)的寿命主要由大电流下的电极烧损决定 ,其机理为金属电极产生的蒸汽电弧改变了原有均匀辉光放电所致。半导体碳化硅 (Si C)可以维持伪火花开关电极表面的均匀辉光放电 ,抑制电弧产生 ,使电极烧损大大减小 ,还解决... 伪火花放电开关 (PSS)的寿命主要由大电流下的电极烧损决定 ,其机理为金属电极产生的蒸汽电弧改变了原有均匀辉光放电所致。半导体碳化硅 (Si C)可以维持伪火花开关电极表面的均匀辉光放电 ,抑制电弧产生 ,使电极烧损大大减小 ,还解决了开关在小电流下奇异放电问题 (电流猝灭和暂态阻抗降低 )。简述了金属钼电极与 Si C电极的放电过程和特点后简要分析了 Si C电极抑制电弧的原理 。 展开更多
关键词 半导体碳化硅 伪火花放电高能开关 脉冲功率开关 高电压
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铁电体触发赝火花开关实验研究 被引量:3
17
作者 丁恩燕 李爱萍 +3 位作者 范植开 金晓 杨周炳 高凤琴 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2008年第4期73-76,共4页
本文阐述了铁电体触发开关的工作原理,进行了铁电体触发开关的实验研究。得出了气压与开关导通时间和延时的关系,并对此实验结果进行了分析。在开关间距为3mm、真空度为2.5Pa、阴极腔的深度为19mm、小孔直径为4mm的条件下测得开关的抖... 本文阐述了铁电体触发开关的工作原理,进行了铁电体触发开关的实验研究。得出了气压与开关导通时间和延时的关系,并对此实验结果进行了分析。在开关间距为3mm、真空度为2.5Pa、阴极腔的深度为19mm、小孔直径为4mm的条件下测得开关的抖动小于3ns。实验结果表明触发电压的高低对开关抖动的影响很大,随着触发电压的升高开关的抖动越来越小。当触发电压达到6kV左右时,开关的抖动小于1ns。 展开更多
关键词 赝火花开关 空心阴极 铁电体触发极
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赝火花开关放电的蒙特卡罗粒子模拟 被引量:4
18
作者 秦风 常安碧 +1 位作者 丁恩燕 罗敏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期447-451,共5页
采用粒子模拟和蒙特卡罗相结合的方法,应用静电求解模型,对赝火花开关初始放电过程进行了模拟。赝火花开关初始放电过程主要由汤森放电过程、等离子体形成、空心阴极效应和场致发射引发主放电组成;等离子体形成和空心阴极效应对赝火花... 采用粒子模拟和蒙特卡罗相结合的方法,应用静电求解模型,对赝火花开关初始放电过程进行了模拟。赝火花开关初始放电过程主要由汤森放电过程、等离子体形成、空心阴极效应和场致发射引发主放电组成;等离子体形成和空心阴极效应对赝火花开关的发展导通具有至关重要的作用。改变赝火花开关工作参数,如气压、电极孔径、阳极电压和阴极腔中初始粒子密度,研究其对赝火花开关电子峰值电流形成时间的影响。结果表明:随着气压、电极孔径、阳极电压和初始粒子密度的增大,赝火花开关电子峰值电流形成时间减小。 展开更多
关键词 赝火花开关 粒子模拟 虚阳极 电子峰值电流
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环槽电极结构的伪火花开关耐压特性 被引量:7
19
作者 张国伟 曾正中 丛培天 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1016-1018,共3页
设计了一种具有环槽电极结构的新型伪火花开关,进行了空气介质下的耐压特性实验,并与传统的同轴多通道结构的伪火花开关耐压特性进行了对比。给出了伪火花开关工作的气压范围(1~100Pa)和两种伪火花开关的最大耐压。实验结果显示,... 设计了一种具有环槽电极结构的新型伪火花开关,进行了空气介质下的耐压特性实验,并与传统的同轴多通道结构的伪火花开关耐压特性进行了对比。给出了伪火花开关工作的气压范围(1~100Pa)和两种伪火花开关的最大耐压。实验结果显示,新型环槽结构伪火花开关最大耐压达到41V,而传统同轴多通道开关的最大高耐压只有28.4kV,新设计开关的最大耐压和耐压稳定性都明显高于同轴多通道开关。 展开更多
关键词 伪火花开关 耐受电压 环槽结构 同轴多通道结构
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伪火花放电开关的半导体氧化锌表面放电触发装置研究 被引量:7
20
作者 谢建民 陈景亮 邱毓昌 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第4期46-50,共5页
准确可靠的触发技术是伪火花开关研究中的一项重要内容。因为触发方案的选择不仅关系到开关电极的结构设计 ,而且对开关的工作电压范围 ,频率和寿命有很大影响。本文首次采用半导体氧化锌 (ZnO)为材料 ,设计了伪火花开关的表面放电触发... 准确可靠的触发技术是伪火花开关研究中的一项重要内容。因为触发方案的选择不仅关系到开关电极的结构设计 ,而且对开关的工作电压范围 ,频率和寿命有很大影响。本文首次采用半导体氧化锌 (ZnO)为材料 ,设计了伪火花开关的表面放电触发器 ,该触发器体积小 ,结构简单 ,可焙烧 ,大量实验 (>1 0 5次 )表明 ,其可靠性高 ,寿命长 ,用它触发的伪火花开关 (放电电压 30~ 2kV)具有稳定的放电时延 (80~ 4 0 0ns)和时延抖动 (2 0~ 5 0ns) ,由于触发电流大 ,因而可以在极低的开关电压下触发开关 ,对着火电压 30kV的伪火花开关 ,其最低可触发开关电压可至 4 40V。 展开更多
关键词 伪火花放电开关 脉冲功率技术 氧化锌表面放电触发 空心阴极效应
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