期刊文献+
共找到22篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
A sparse matrix model-based optical proximity correction algorithm with model-based mapping between segments and control sites 被引量:4
1
作者 Bin LIN Xiao-lang YAN Zheng SHI Yi-wei YANG 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》 SCIE EI 2011年第5期436-442,共7页
Optical proximity correction (OPC) is a key step in modern integrated circuit (IC) manufacturing.The quality of model-based OPC (MB-OPC) is directly determined by segment offsets after OPC processing.However,in conven... Optical proximity correction (OPC) is a key step in modern integrated circuit (IC) manufacturing.The quality of model-based OPC (MB-OPC) is directly determined by segment offsets after OPC processing.However,in conventional MB-OPC,the intensity of a control site is adjusted only by the movement of its corresponding segment;this scheme is no longer accurate enough as the lithography process advances.On the other hand,matrix MB-OPC is too time-consuming to become practical.In this paper,we propose a new sparse matrix MB-OPC algorithm with model-based mapping between segments and control sites.We put forward the concept of 'sensitive area'.When the Jacobian matrix used in the matrix MB-OPC is evaluated,only the elements that correspond to the segments in the sensitive area of every control site need to be calculated,while the others can be set to 0.The new algorithm can effectively improve the sparsity of the Jacobian matrix,and hence reduce the computations.Both theoretical analysis and experiments show that the sparse matrix MB-OPC with model-based mapping is more accurate than conventional MB-OPC,and much faster than matrix MB-OPC while maintaining high accuracy. 展开更多
关键词 Matrix sparsity Optical proximity correction (opc) CONVERGENCE SEGMENT Sensitive area
原文传递
一种适于快速OPC的精确光刻胶剖面仿真算法 被引量:4
2
作者 王国雄 史峥 +2 位作者 付萍 陈志锦 严晓浪 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期168-171,共4页
光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片... 光刻仿真工具是描述实际工艺的有效工具。利用光刻仿真工具 ,能够准确地描述由掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸的变化。利用了改进的空间图像仿真及可变光强阈值模型来获得准确的硅片图形。改进的空间图像的基本思想是 ,用空间图像与一个高斯滤波器进行卷积 ,从而使图像较原来变得模糊 ,以此来模拟光刻胶的实际扩散效应。描述了一种适用于快速光学邻近校正 ( OPC) 展开更多
关键词 精确光刻胶剖面仿真算法 光学邻近校正 光刻仿真 高斯滤波器 集成电路
下载PDF
光刻、OPC与DFM 被引量:5
3
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第4期18-22,共5页
讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
关键词 芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术
下载PDF
一种OPC友好的迷宫布线算法
4
作者 张一帆 史峥 《电子器件》 CAS 2007年第2期567-571,共5页
超深亚微米集成电路制造中广泛应用OPC技术来减少掩模图形的光刻畸变,改善成像质量.然而在当前的设计流程中,版图设计者并没有考虑版图的OPC友好性问题,从而使一些图形由于原始形状限制无法进行充分的OPC校正处理.本文提出了一种OPC友... 超深亚微米集成电路制造中广泛应用OPC技术来减少掩模图形的光刻畸变,改善成像质量.然而在当前的设计流程中,版图设计者并没有考虑版图的OPC友好性问题,从而使一些图形由于原始形状限制无法进行充分的OPC校正处理.本文提出了一种OPC友好的迷宫布线算法:在布线的同时进行快速点光强计算,来预测走线对未来OPC的影响,避免可能导致OPC失败的布线结果,同时尽可能减少OPC需要做出的校正. 展开更多
关键词 可制造性设计 迷宫布线 光学邻近校正
下载PDF
先导光刻中的光学邻近效应修正 被引量:4
5
作者 韦亚一 粟雅娟 刘艳松 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期186-193,共8页
按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点... 按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。 展开更多
关键词 光学邻近效应修正(opc) 辅助图形 计算光刻 光源和掩模版的优化(SMO) 像素式光照 两次曝光技术
下载PDF
用于光刻模拟的快速计算稀疏空间点光强的方法 被引量:1
6
作者 王国雄 史峥 +3 位作者 严晓浪 陈志锦 高根生 熊军 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第7期783-786,794,共5页
使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模... 使用光刻仿真工具模拟掩模图形到硅圆片的转移成像结果 ,可以分析集成电路在工艺规则下产品的可靠性和部分电学特性 基于Gabor的“主波分解”方法 ,一个部分相干成像系统可以用相干成像系统的叠加来近似 ,再对空间图像进行高斯卷积来模拟光刻胶的实际扩散效应 ,从而获得一种精确、快速用于光刻模拟的稀疏空间点光强计算方法 根据光学系统的传输交叉系数的特性 。 展开更多
关键词 光刻仿真 集成电路 可靠性 电学特性 矩阵分解
下载PDF
用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 被引量:1
7
作者 王国雄 史峥 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 付萍 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期634-637,684,共5页
提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确... 提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具. 展开更多
关键词 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像
下载PDF
集成电路版图中的多边形匹配比较研究
8
作者 史峥 高晓莹 +1 位作者 任杰 施怡雯 《机电工程》 CAS 2007年第10期32-35,共4页
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提... 光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。 展开更多
关键词 可制造性设计 光学邻近校正 分辨率增强技术 多边形匹配比较
下载PDF
一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真 被引量:1
9
作者 宋之洋 郭沫然 +3 位作者 苏晓菁 刘艳松 粟雅娟 韦亚一 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期197-203,共7页
目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研... 目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。 展开更多
关键词 光刻 计算光刻 光学邻近效应校正(opc) 光学邻近效应匹配 工艺窗口控制
下载PDF
基于光刻模型的光学邻近校正切分优化方法 被引量:1
10
作者 沈泫 史峥 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第23期211-213,225,共4页
在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获... 在处理二维图形时需要耗费大量时间调试配方。为此,提出一种基于光刻模型的切分优化方法。采用纹波抑制的切分方法,并根据空间光强曲线的极值点分配切分片段,通过格点搜索选取方法参数,从而获得最优切分方案。实验结果表明,该方法能获得稳定的配方调试时间,且与参考配方结果相比,具有较好的光学邻近校正精度,可使边位置误差平均降低5%。 展开更多
关键词 光学邻近校正 基于模型的切分 纹波抑制 格点搜索
下载PDF
用于光刻系统仿真的多边形处理算法
11
作者 吕楠 史峥 +1 位作者 罗凯升 耿臻 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2014年第9期124-127,共4页
为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,... 为提高光刻仿真效率,通过对光刻原理进行研究,提出了2种多边形处理算法,将掩模上的多边形图案进行切分优化,将其划分成若干矩形或三角形。在Linux环境下应用C语言设计出一个完整的光刻仿真系统,设计的具体光学参数为:光源波长为193nm,数值孔径为0.3~0.8,部分相干系数可调范围为0.2~0.8,可一次性仿真1μm×1μm到10μm×10μm范围内的45 nm^0.18μm工艺的复杂版图,并通过多次实验进行验证。实验结果表明:原版图图像的边缘细节得到保留,且该算法有效地减少了光刻模拟的计算复杂度与计算时间,整体效率提升20%以上,为当前智能传感器系统芯片的制造节省了宝贵时间。 展开更多
关键词 传感器 多边形切分 光刻仿真 光学邻近效应 部分相干系数
下载PDF
使用测试图形法优化亚分辨率辅助图形
12
作者 齐晶 史峥 +1 位作者 林斌 罗凯升 《华东理工大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期365-369,共5页
在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合... 在亚波长光刻领域,基于规则插入亚分辨率辅助图形是一种重要的技术。现有的方法需要利用经验改善亚分辨率辅助图形,且不考虑光学邻近校正的效果。提出了一种新的利用测试图形优化亚分辨率辅助图形的方法。与一般的光学邻近校正流程结合,该方法能解决工艺窗口过小和亚分辨率辅助图形刻出等问题。通过对标准电路版图的测试,对边放置误差和工艺窗口进行了测量。边放置误差相比传统方法减小了10%,同时,不同工艺窗条件下的边放置误差也有改善。 展开更多
关键词 可制造性设计 光刻 亚分辨率辅助图形 光学邻近校正
下载PDF
亚分辨率辅助图形对28纳米密集线条光刻成像的影响 被引量:1
13
作者 陈权 段力 毛智彪 《中国集成电路》 2016年第5期53-58,共6页
亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution-Assist-Feature,SRAF)是光刻工艺图形增强技术(Resolution Enhancement Technology,RET)中广泛应用的一种方法。本文设计实验在密集图形(线宽/距离比约1:1)外侧放置不同的SRAF,研究了SRAF对于密集图形... 亚分辨率辅助图形(Sub-Resolution-Assist-Feature,SRAF)是光刻工艺图形增强技术(Resolution Enhancement Technology,RET)中广泛应用的一种方法。本文设计实验在密集图形(线宽/距离比约1:1)外侧放置不同的SRAF,研究了SRAF对于密集图形内部线条成像的影响,通过实验数据总结和理论分析,提出了最佳的SRAF放置位置。此外,本文还设计了一种与设计图形线宽一样大小的SRAF,并比较了其与传统尺寸SRAF对密集图形内侧线条成像的影响。 展开更多
关键词 亚分辨率辅助图形 SRAF 光学邻近效应修正 opc 分辨率
下载PDF
一种新型双重图形技术拆分方法
14
作者 于丽贤 粟雅娟 韦亚一 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第4期259-264,共6页
基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于... 基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于未在设计阶段考虑兼容DPT的设计版图,能够对版图顺利完成包含更改设计和引入切割的图形拆分过程;采用新方法拆分实际版图,进一步证明了该方法能够同时减少剩余冲突和引入切割数目;采用EDA工具模拟了拆分之后进行光源掩膜优化(SMO)和光学临近效应修正(OPC)的光刻分辨率增强流程,验证了DPT能够提高分辨率、增大光刻工艺窗口。 展开更多
关键词 光刻 双重图形技术(DPT) 图形拆分 光学临近效应修正(opc) 奇数周期
下载PDF
集成电路光刻过程中的ECO技术
15
作者 张宏博 史峥 《机电工程》 CAS 2007年第12期59-62,共4页
在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所... 在现阶段深亚微米化的集成电路产业中,设计与制造已经出现日益严重的脱节,生产加工过程带来的重修正问题使得设计-生产周期大大加长,为了克服这个弊端,随之而来的反馈修正技术(ECO技术)应运而生。以光刻过程中光学临近矫正(OPC)技术所涉及到的反向修正技术为例,介绍了几种目前产业界所主要采用(或即将采用)的方法,并为此提出了几个目前所亟待解决的问题。 展开更多
关键词 集成电路 反馈修正 光学临近矫正 分辨率增强技术 光刻过程
下载PDF
双重图形技术的优化设计
16
作者 潘意杰 陈晔 《机电工程》 CAS 2008年第12期35-38,共4页
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解... 作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。 展开更多
关键词 可制造性设计 双重图形技术 光学邻近校正 分辨率增强技术 重用
下载PDF
一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法
17
作者 付萍 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第7期137-139,共3页
光学邻近效应校正(OPC)是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中,为了寻找合适的掩模补偿图形,必须迭代计算大量的空间稀疏分布的试探点成像。在这里提出了一种基于卷积核的快速稀疏空间光强的光刻仿真计算方法。一个双线性... 光学邻近效应校正(OPC)是下一代集成电路设计和生产的重要工具。但是在OPC中,为了寻找合适的掩模补偿图形,必须迭代计算大量的空间稀疏分布的试探点成像。在这里提出了一种基于卷积核的快速稀疏空间光强的光刻仿真计算方法。一个双线性光学系统分解成为一组空间域卷积核,并通过对版图的空间域卷积来计算空间光强。与采用Hopkins公式的SPLAT相比,这种方法能快速地计算空间光强。尤其对于大面积计算显得更为有效。 展开更多
关键词 超深亚微米 光刻 光学邻近效应 主波 卷积核
下载PDF
用于先进半导体制程的光刻反向计算技术(ILT)(英文) 被引量:1
18
作者 庞琳勇 刘永 Dan Abrams 《实验力学》 CSCD 北大核心 2007年第3期295-304,共10页
此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT)。在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT,以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面... 此篇论文将介绍一个用于半导体光罩上图样设计以及可用于实际生产的光刻反向计算技术(ILT)。在论文中将讨论有关ILT的最新发展,包括在超成像极限协助图样(SRAF)的生成,可增加制程宽容度的ILT,以及如何生成满足光罩生产标准的图样等方面。从内部的研究结果和客户的使用结果可以看出,ILT已经不再只是一种用于研究的工具,而是已经可以用于先进半导体制程的大规模生产。在对各个环节优化之后,ILT可以增加制程的宽容度,同时将光罩的成本控制在可以接受的水平。 展开更多
关键词 光刻 光刻反向计算技术(ILT) 光学成像校正(opc) 分辨率增强技术(RET) 超成像极限协助图样(SRAF) 光罩
下载PDF
掩模曝光剂量的精细控制工艺设计
19
作者 胡广荣 李文石 《中国集成电路》 2007年第11期88-91,共4页
本文从光学邻近效应的机理出发,基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。
关键词 光学邻近效应校正 特征线条区域划分 图形畸变率
下载PDF
Study of Inverse Lithography Approaches based on Deep Learning
20
作者 Xianqiang Zheng Xu Ma +2 位作者 Shengen Zhang Yihua Pan Gonzalo RArce 《Journal of Microelectronic Manufacturing》 2020年第3期1-7,共7页
Computational lithography(CL)has become an indispensable technology to improve imaging resolution and fidelity of deep sub-wavelength lithography.The state-of-the-art CL approaches are capable of optimizing pixel-base... Computational lithography(CL)has become an indispensable technology to improve imaging resolution and fidelity of deep sub-wavelength lithography.The state-of-the-art CL approaches are capable of optimizing pixel-based mask patterns to effectively improve the degrees of optimization freedom.However,as the growth of data volume of photomask layouts,computational complexity has become a challenging problem that prohibits the applications of advanced CL algorithms.In the past,a number of innovative methods have been developed to improve the computational efficiency of CL algorithms,such as machine learning and deep learning methods.Based on the brief introduction of optical lithography,this paper reviews some recent advances of fast CL approaches based on deep learning.At the end,this paper briefly discusses some potential developments in future work. 展开更多
关键词 Computational lithography inverse lithography technology(ILT) optical proximity correction(opc) deep learning
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部