极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征

利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。

MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究

本文通过添加InGaN垫层,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaN(0001)上外延生长了InN薄膜,研究了InN薄膜的外延规律及光学性质。研究发现,相对于GaN表面,在InGaN垫层上可以获得更高质量的InN。通过在InGaN垫层中采用适当的In组分(在本工作中为In_(0.23)Ga_(0.77)N),可以完全抑制InN生长过程中铟滴的形成,获得的InN表面形貌连续平整。采用光学显微镜、高分辨率X射线衍射(HR-XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光吸收和室温光致发光等方法研究了InN的晶体结构和光学性质。HR-XRD的ω和ω-2θ扫描显示,InGaN垫层消除了In滴的衍射信号,并且ω扫描给出了150 nm的InN薄膜的(0002)半峰全宽为0.23°。TEM选区电子衍射发现,InN几乎是无应变的。室温下InN薄膜的光吸收和强光致发光结果表明,所制备的InN薄膜能带隙约为0.74 eV。本文还初步研究了InN的异常激发依赖性的光致发光行为,证明了InN材料的表面效应对辐射复合的强烈作用。

英国的pubs(小酒馆)

大多数英国人在工作之余,喜欢去pubs聚会、聊天,以松驰一下绷紧的神经。这与英国的传统有关,18、19世纪,疲劳已极的工人唯一的去处,唯一的消遣就是去肮脏拥挤的小酒馆,倾其所有,狂喝滥饮。现在,Pubs是同事、同学、朋友聚会,庆祝同事的升迁,庆祝同学顺利通过考试等的好去处。酒馆里面气氛热烈、友好、和谐,是社交的好场所。

渤海湾盆地南堡凹陷2号构造带油气地球化学特征与来源

渤海湾盆地南堡凹陷2号构造带具有多洼、多层系供烃的特征。为了揭示其复杂的油气来源,开展色谱-质谱等地化测试,分析原油地化特征,将原油分为3类,并确定每类原油的来源。结果表明:(1)Ⅰ类原油主要分布于西构造带沙三段储层中,原油中C27与C29规则甾烷相对含量接近,孕甾烷参数((孕甾烷+升孕甾烷)/规则甾烷)和甾烷异构化参数(C29甾烷20S/(20R+20S)、C29甾烷ββ/(αα+ββ))较高,具有水生生物和高等植物共同输入特征,原油成熟度高,来源于沙三段烃源岩;(2)Ⅱ类原油主要分布于西构造带东二段储层中,原油中C29规则甾烷含量具明显优势,孕甾烷参数和甾烷异构化参数均低,原油母质中高等植物具有明显优势,原油成熟度整体偏低,来源于沙一段—东三段烃源岩;(3)Ⅲ类原油主要分布于东构造带东三段和西构造带东一段和明化镇组储层中,原油中C29规则甾烷具有一定优势,孕甾烷参数较低,甾烷异构化参数较高,以高等植物输入为主,原油成熟度较高,为3套烃源岩的混合来源;(4)原油4-/1-MDBT和Ts/Tm指数具有沿断层向浅部层系减小的趋势,且原油甲基菲换算的镜质体反射率与下覆烃源岩镜质体反射率一致,表明研究区原油具有原地供烃的特点。本研究成果为研究区的浅层精细勘探及深层勘探提供理论指导。

基于Trumper-Hecht三维分析模型的杭州民宿语言景观英译研究

该文根据Trumper-Hecht三维分析模型,通过田野考察和访谈座谈等方法,对杭州民宿语言景观展开调查研究。研究发现:在实体维度,杭州民宿语言景观总体为多语符号,以多种语码和符号组合方式出现。民宿语言标牌总体以汉语和汉英双语为主,有单语、双语、多语等多种组合方式。在政治维度,国家及地方政策,游客的来源、人数和消费水平以及语言景观的文化资本,都对杭州民宿语言景观产生了一定的影响。在体验维度,居民、游客、外籍人士等语言使用者对杭州民宿的语言景观比较满意,但在标牌规划设计以及语言翻译、精准度以及人文维度等方面,有改善和提升空间。这些研究发现不仅有助于推动杭州城市国际化进程,助力杭州历史文化古都建设和国际化、数字化城市建设,也能为相关部门制定、修订或完善语言政策与规划提供依据。

无资料流域水文预报(PUB计划)研究进展

无资料流域水文预报,简称为PUB(PredictionsinUngaugedBasins),从 2003年 7月开始成为国际水文科学学会新的国际水文十年计划主题.文中首先简述了PUB计划的主要研究内容,然后回顾了国际和国内已有的PUB研究进展,最后展望了对水文学发展有重要意义的几个PUB前沿研究,包括不确定性研究、对水循环各个环节因素的预报和对无资料流域水文过程的预报.

Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.

InN材料及其应用

由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。

InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.

InN和GaN系衬底材料的研究和发展

InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料。虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要。本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景。

不同价态Mn掺杂InN电子结构、磁学和光学性质的第一性原理研究

采用密度泛函理论体系下的广义梯度近似GGA+U平面波超软赝势方法,在构建了纤锌矿结构的InN超胞及三种不同有序占位Mn^(2+),Mn^(3+)价态分别掺杂InN超胞模型,并进行几何优化的基础上,计算了掺杂前后体系的电子结构、能量以及光学性质.计算结果表明:Mn掺杂后体系总能量和形成能降低,稳定性增加,并在费米能级附近引入自旋极化杂质带,体系具有明显的自旋极化现象.掺杂不同价态的Mn元素对体系电子结构和磁学性质产生了不同的影响.电子结构和磁性分析表明掺杂体系的磁性来源于p-d交换机制和双交换机制的共同作用,Mn^(3+)价态掺杂有利于掺杂体系的居里温度达到室温以上.与未掺杂InN相比,不同价态Mn元素掺杂后体系的静态介电函数显著增大,掺杂体系介电函数虚部和吸收光谱在低能区域出现了较强的新峰,分析认为这些新峰主要来自与费米能级附近自旋极化杂质带相关的跃迁.

InN材料及器件的最新研究进展

InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。

InN纳米线材料的特性和制备技术

InN材料具有着巨大的应用潜力,伴随着本身特性的揭秘,已成为最近两年内最热门的研究材料之一．介绍了InN纳米线的基本特性,讨论了InN纳米线材料的制备技术及其应用．利用CVD法研制的GaN纳米线的直径已达到40-80 nm;长度可以达到1 000 nm;InN纳米线具有InN的六方纤锌矿结构,其PL谱具有宽的发射峰,谱峰中心位于1．85 eV．

在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。

影响InN材料带隙的几个关键问题

确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值。用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素。影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N∶In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同。

蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长

采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).

以教学大纲Pub/Sub双向互动模式为导向的课程探索——以河北工程大学《无线网络技术》课程为例

针对传统教学大纲编制存在的主要问题及局限性,本文从改革现行教学大纲的使用状况为切入点,将发布/订阅(Publish/Subscribe,Pub/Sub)消息传输模式创新性地引入到教学大纲编制中,建立了教学大纲Pub/Sub双向互动模式,有效解决了教学大纲编制过程中缺乏双向性、互动性、创造性、动态性的问题。为评价及验证该模式,本文采用了层次分析法,建立了教学大纲Pub/Sub双向互动模式评价指标体系,针对评价指标信息的灰色性问题,采用灰色理论建立了教学大纲Pub/Sub双向互动模式综合评价方法。在此基础上,结合河北工程大学通信工程专业《无线网络技术》课程的实际展开探索,本文给出了教学大纲Pub/Sub双向互动模式的实践路径。

MOOC平台下“Pub/Sub互动式”教学大纲设计的课程改革应用——以《果蔬保藏学》为例

文章分析了"互动式"教学大纲研究现状,阐述了MOOC(Massive Open Online Courses)平台的教学模式特性.以《果蔬保藏学》为例,从教学大纲的编制、"发布/订阅"、动态调整三个方面,研究MOOC平台下"Pub/Sub(Publish/Subscribe)互动式"教学大纲的设计与实施.

网络化条件下的态势信息分发与Pub/Sub通信范型

探讨了网络化条件下态势信息分发的概念和机制。首先介绍态势信息分发的现状并分析其存在的不足;其次将发布/订阅(Pub/Sub)通信范型引入网络化态势信息分发机制之中,提出基于Pub/Sub网络化态势信息分发机制,分析其合理性和有效性;最后根据未来网络化战争的发展方向,预测其发展趋势。