TZM合金与纯Mo性能对比研究

利用拉伸力学性能测试、硬度测试、OM、SEM及EDS等分析测试手段,研究了TZM合金和纯Mo的微观组织、室温与高温力学性能以及再结晶行为。结果表明:TZM合金比纯Mo具有更高的室温与高温强度;TZM合金的起始再结晶温度为1 350℃,终了再结晶温度为1 700℃,分别比纯Mo的起始再结晶温度与终了再结晶温度提高了500℃与450℃。TZM合金的强度与再结晶温度的提高主要归因于细小弥散分布的第二相TiC、ZrC。

La_2O_3对镦粗Mo棒的横向组织和塑性的影响

利用锻造镦粗工艺制备了高横向塑性的纯Mo和Mo-La2O3棒,检测了其在不同温度退火后的横向弯曲性能并观察了其组织结构。结果表明:纯Mo棒经锻造镦粗变形85%后横向具有较好的塑性,延伸率达到了5%;而同状态下的Mo-La2O3棒只有2%。这是因为此状态下纯Mo棒中的位错可动性要好。随着退火温度的升高,纯Mo棒和Mo-La2O3棒的横向塑性都逐渐升高,Mo-La2O3棒的最大横向延伸率大于纯Mo棒(超过10%)。Mo-La2O3棒横向塑性的提高与La2O3粒子钝化微裂纹有关。在退火过程中,镦粗纯Mo棒和Mo-La2O3棒都发生了回复再结晶过程,位错组态变化一致,镦粗过程中产生了大量位错胞,随着退火温度的升高而逐步消失。

纯Mo双道次压缩高温变形和静态再结晶

采用MMS-200热模拟机对烧结密度为9.7~9.8g/cm3的纯Mo(简称PM7)进行双道次压缩实验，研究变形温度、变形速率和道次间隔时间对PM7静态再结晶行为的影响，分析其静态再结晶发生的条件，求解静态再结晶激活能。结果表明：PM7静态软化率曲线成S型；随着双道次变形温度的升高、道次间隔时间的延长，PM7的静态再结晶软化率增大；PM7的静态再结晶激活能为456.032kJ/mol。

U-Mo合金与Al扩散反应特征研究

采用扩散偶方法研究了U-Mo合金与Al扩散反应特征。扩散偶以热压方式实现持续贴合。实验在真空热压炉中完成,热压温度550~570℃,时间5~21 h。结果表明：U-Mo/Al扩散层界面形貌和成分与扩散层厚度有关;在扩散层界面处U、Mo和Al的含量突变;U-Mo侧扩散层产物主要为（U,Mo）Al3,Al侧产物为（U,Mo）Al4和UMo2Al20。U-Mo/Al扩散反应是Al越过U-Mo/Al原始界面向U-Mo侧扩散并发生固体反应和扩散层向Al层生长的过程。

工业纯铁表面离子W、Mo、Co多元共渗扩散行为

采用双层辉光离子渗金属技术在工业纯铁表面进行W、Mo、Co多元共渗,分别采用0.5、1、2和3h等渗金属时间,研究了合金层中W、Mo、Co含量随渗金属时间的变化规律。研究表明:渗金属初期,合金层中W含量>Co含量>Mo含量;渗金属后期,合金层中Co含量>W含量>Mo含量。理论分析认为:在渗金属初期,W、Mo、Co扩散主要受各元素原子与空位交换难易程度以及基体表面各元素活性原子量的控制;在渗金属后期,W、Mo、Co扩散主要受各元素在基体中的溶解度的控制。

纯钼骨架熔渗Mo-Cu合金工艺研究

研究了利用纯钼骨架熔渗法制备Mo70Cu30、Mo60Cu40(质量分数)合金的相关工艺。结果表明:试验原料可选取经高温预处理及筛分后费氏粒度为5.2μm,粒度分布范围较窄及C、O含量低的纯钼粉,不添加诱导Cu粉。利用限位法压制成型的钼素坯经H2气氛在1200～1300℃预烧结出孔隙率ε(%)为33.5%、45.2%的纯钼骨架,在H2气氛熔融态Cu中经1 200～1 350℃熔渗60～120 min可制得Cu含量为31.3%、40.7%的Mo70Cu30、Mo60Cu40合金。利用纯钼骨架熔渗法制备的Mo-Cu合金相对密度可达到98%以上,微观形貌可见Mo、Cu两相均匀分布。

纯钛Mo-N共渗改性层在H_2SO_4溶液中的腐蚀行为研究

采用等离子表面合金化技术对纯钛进行Mo-N共渗。利用电化学腐蚀系统对改性层及基体在0.5mol/L的H2SO4溶液中进行电化学对比实验。实验结果表明,纯钛表面Mo-N共渗可以得到致密、均匀的表面改性层,改性层由沉积层和扩散层组成,厚度为4μm;改性层表面由钼氮化合物Mo16N7组成;Mo-N改性层提高了纯钛在0.5mol/L的H2SO4溶液中的耐蚀性,并对改性层在稀硫酸介质中腐蚀机理进行了初步探讨。

工作于亚阈区的纯MOS管基准电压源的研究设计

本文旨在设计一种无三极管无大电阻无运放的纯MOS电压基准源,采用的方法是利用工作在亚阈值区的NMOS和自偏置的共源共栅NMOS组合。采用CSMC(华润上华)0.5 umBiCMOS工艺,在MOS工艺角sf、27℃,得到输出基准电压为1.520 V,电路功耗仅200 nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.33 ppm/℃.

工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence spice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.

化学镀Ni-Mo-P合金耐腐蚀性能的研究

对化学镀Ni-Mo-P合金耐腐蚀性能的进行研究,主要探究在适当浓度下镀态和不同温度下热处理对合金腐蚀性的影响,通过极化曲线测定结果表明,热处理温度达200℃以上时,最有利于镀层耐腐蚀性能的提高.

纯钛表面辉光放电W-Mo共渗层的耐磨及耐蚀性能(英文)

采用等电位空心阴极辉光放电技术对纯钛进行W-Mo二元共渗,通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、显微硬度计对试样的结构形貌、渗层成分分布及相组成、硬度进行研究。利用摩擦磨损试验仪对试样的摩擦学性能进行研究,利用电化学腐蚀工作站,研究了W-Mo合金渗层在常温静态条件下,在3.5%Na Cl腐蚀介质中的耐蚀性能。结果表明,经W-Mo共渗处理后纯钛表面形成了一层均匀致密的W-Mo改性层,渗层最大厚度达到16.6μm,最大硬度达到1196HV0.1,是基体的6.85倍。W-Mo共渗后改性层主要由W、Mo、Mo Ti、TixW1-x相组成。由于表面硬度的大幅提升,试样表面的耐磨性也显著提高,最低摩擦系数仅为0.23,较原始试样的0.516明显减小。测得的试样最低腐蚀速率为0.0016 mm/a,是原始试样的1/230,耐蚀性能也显著提高。

纯钛表面辉光放电W-Mo共渗层的显微结构及力学性能

利用空心阴极等离子放电表面合金化技术,在低于纯钛相变温度(882℃)下,在纯Ti表面进行W-Mo二元共渗。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)分析了合金渗层的显微结构及物相组成,利用HMV-1T型显微硬度计测试了试样的表面和截面硬度,并用静拉伸试验分析了W-Mo共渗前后试样的力学性能。结果表明,纯Ti在经过辉光放电W-Mo共渗处理后,在其表面形成了厚度为15μm的WMo合金层,合金渗层致密,无显微裂纹,并与基体结合良好。处理后的试样中最大的抗拉强度为546 MPa,比原始试样提升了49%,表面最大的显微硬度为1 196HV0.1,较原始试样增加了6.85倍。纯Ti经过WMo二元共渗后,其表面硬度增加,抗拉强度增加,表面的力学性能得到改善。

纯钼微观断裂过程的扫描电镜原位观察

借助扫描电镜(SEM)原位拉伸观察了纯钼退火态纤维状组织断裂过程中裂纹萌生与扩展的动态变化过程,对其微观断裂特征进行了研究。结果表明:加载初期,裂纹在与最大主应力平面成45°的位置萌生,随后逐渐张开并钝化;加载中期,新的裂纹在钝化的主裂纹前方某处萌生。随着载荷增加,裂纹呈“Z”字形相互连接;加载末期,裂纹失稳扩展,试样断裂。在裂尖应力场作用下,裂纹扩展遵循钝化-萌生-钝化的循环方式。纯钼试样断裂后,沿厚度方向有明显的颈缩,断口表面呈薄层状纤维撕裂,并伴有剪切唇和韧窝的出现,呈延性断裂特征。

钼粉物理性能对纯钼板组织和力学性能的影响

用两种不同物理性能的钼粉作为原材料,通过冷等静压、中频感应烧结和交叉轧制的方法制备出了厚度为1.8 mm的纯钼板,总变形量90%。研究了钼粉质量对纯钼板组织和力学性能的影响。结果表明,采用团聚程度低、分散性好、粒度相对均匀的钼粉制备的纯钼板,其组织、密度、硬度、抗拉强度与延伸率均优于用不均匀粒径、有团聚现象的钼粉制备的纯钼板。

可压缩纯钼粉末烧结材料的塑性变形行为及影响因素

基于单轴压缩实验,研究纯钼粉末烧结材料的塑性变形行为及其影响因素。结果表明:可压缩纯钼粉末烧结材料的塑性变形行为对初始相对密度、温度和应变速率的变化相当敏感,其流动应力随应变速率的增加而增加,随温度的升高而减小;高温条件下材料对应变速率不太敏感,但初始相对密度在低温状况下对流动应力的影响更甚;对压缩后试样的微观组织分析显示:初始平均粒径为44.0μm的粗大等轴晶组织经过约35%的单轴压缩后,其中心主变形区域得到平均粒径为1.45μm完全致密的超细晶组织;初始相对密度越大,材料屈服强度越低,出现破裂的时间越早;其硬度增加速率对温度变化不敏感,而提高温度则有利于降低屈服强度。

纯钼粉末包套等径角挤压致密化行为

在500℃等温条件下采用包套等径角挤压(PITS ECAP)工艺将纯钼粉末颗粒直接固结成高致密、块体细晶材料。结果表明,PITS ECAP工艺对粉末材料具有强烈的致密化效果。1道次PITS ECAP使粉末之间发生颗粒重排、弹塑性变形等行为,材料头部区域和尾部区域的致密情况较差,试样整体相对密度约为87%,比初始预装粉致密度提高了33.85%;经过2道次C路径ECAP变形后,试样X、Y面均受到剧烈剪切作用,促使颗粒破碎、熔融、细化,近圆形孔隙被挤扁、焊合,组织均匀,试样的各变形区域的致密化进程加快,整体相对密度达96%,且主变形区域相对密度为99%,近全致密;同时显微硬度提高了137.93%。在PITS-ECAP工艺变形过程中,剧烈塑性剪切变形、较高静水压力和有效应变积累是粉末材料致密化的主要动驱因素。

纯钼粉末烧结体材料单轴压缩成形的流变应力和致密影响因素

基于单轴压缩试验,研究了不同因素对99.95%钼粉末烧结体材料成形致密的影响规律。结果表明:初始相对密度、温度和应变速率等因素对纯钼粉末烧结材料成形致密的影响很大,其塑性流动应力随应变率的增加而增加,随温度的升高而减小,但高温条件下材料对应变率影响不大;初始相对密度越大,材料屈服强度越低,出现破裂的时间越早。显微观察结果表明,提高变形温度,降低应变率,有利于晶粒细化,提高材料塑性能力。

冷轧纯钼板的织构研究

用 Schulz反射技术研究了纯钼 30 %～ 90 %冷轧变形的织构变化规律 ,即 30 %～ 60 %变形时形成α线织构 ,主要织构组分有 {0 0 1 }<1 1 0 >和 {1 1 2 }<1 1 0 >;70 %～ 80 %变形时形成γ线织构 ,织构组分有 {1 1 1 }<1 1 2 >和 {1 1 1 }<1 1 0 >。在各变形期间 ,随着变形量的增加织构强度上升。达到 90 %变形时 ,平行轧面的 ( 0 0 1 )取向急剧减弱 ,而平行轧面的 ( 1 1 1 )取向被强化。同时讨论了织构形成机制 ,为深冲钼板的加工和研究提供了依据。

ICP-AES法同时测定纯铁中八种杂质元素

本文研究了用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定纯铁中８种杂质元素：Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ的分析方法。研究了铁基体元素对被测元素光谱线的光谱干扰与物理干扰，采用背景扣除法与基体匹配法进行校正。被测元素的检出限为０．４－３．０μｇ／Ｌ，合成试样的回收率为９１％－１１０％，杂质元素含量为０．０００３％－０．０５％时，测量的相对标准偏差＜９％。方法简便、准确、结果满意。

高精度片上电阻在高速发射器电路中的应用

本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法。该片上电阻器由三个 NMOS 管组成。通过控制各MOS 管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器。用 Cadence 公司的 SPECTRE 软件及 TSMC 公司的0.25μm CMOS 混合信号工艺库进行了电路仿真,结果表明有源电阻器能满足 USB2.0 规范对发射器电路输出阻抗45±10%?的要求。