n-HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究

利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．

基于非接触霍尔测量的定量迁移率谱分析

针对范德堡霍尔样品复杂的制作工艺会引入较大误差,造成定量迁移率谱分析(QMSA)结果不准确,利用非接触霍尔测量采集的功率数据作为定量迁移率谱分析的输入数据,并通过数据点平滑外插扩展最大磁场范围,以获得更全面的载流子种类信息和消除不具物理意义的映像峰,进而得到多载流子半导体材料体系中单一载流子的迁移率和密度。对InGaP/GaAs HBT和InP PHEMT外延材料的测量分析结果表明,此表征技术相比非接触霍尔测量系统嵌入的混合电导分析软件,能够提供更加全面的载流子种类以及更加准确的载流子迁移率和密度值。

最大熵迁移率谱分析的发展与应用

最大熵迁移率谱分析方法是用于研究和获得材料电学参数一种测试手段。它克服了传统的固定磁场霍尔测量方法的缺点,可以获得更多更准确的电学信息。本文介绍了最大熵迁移率谱分析方法的基本原理和特点,论述了最大熵迁移率谱分析方法的发展与应用,最后展望了最大熵迁移率谱分析方法的应用前景。