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四层插入层量子垒AlGaN深紫外LED研究
1
作者
方文浚
万垂铭
+2 位作者
李深海
谢子敬
谭礼军
《赣南师范大学学报》
2024年第3期90-94,共5页
本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率...
本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率在200 mA下分别提升了31.04%和21.62%.这主要是因为四层插入层量子垒结构可有效增加有源区内量子垒的能带势垒高度,提升量子阱对载流子的束缚能力.
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关键词
AlGaN深紫外LED
量子垒
插入层
内量子效率
辐射复合率
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职称材料
超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响
2
作者
刘举
曹一伟
+4 位作者
吕全江
杨天鹏
米亭亭
王小文
刘军林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第12期393-401,共9页
在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的...
在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的光输出功率(LOP)、外量子效率(EQE)和电光转换效率(WPE)均呈先上升后下降的趋势,同时泄漏电流减小,可靠性提升.当周期数为7时(厚度为28 nm),DUV-LEDs裸芯的EQE和WPE均达到最大值,在7.5 mA注入电流下分别为3.5%和3.2%.能带模拟结果证明了增加SL-EBL周期数可以有效提升电子势垒高度,而几乎不改变空穴势垒高度.然而,当SL-EBL超过一定厚度时,抑制了空穴向有源区的注入,导致EQE和WPE随SL-EBL周期数变化出现拐点.研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs载流子复合机制的影响,发现增加SL-EBL周期数可以有效地降低有源区内载流子非辐射复合.
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关键词
深紫外发光二极管
电子阻挡层
可靠性
外量子效率
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职称材料
基于GO电子阻挡层的量子点发光二极管优化
3
作者
丁磊
张芹
+3 位作者
闫珍珍
孙娟
谢亮生
潘琛
《南昌航空大学学报(自然科学版)》
CAS
2023年第1期29-36,共8页
量子点发光二极管高性能的关键是实现空穴与电子之间的电荷平衡。本文将氧化石墨烯(Graphene oxide,GO)引入到量子点发光层和电子传输层之间作为电子阻挡层,通过调节GO的厚度,使器件的亮度提高了96.7%,电流效率提高146%。光电性能的改...
量子点发光二极管高性能的关键是实现空穴与电子之间的电荷平衡。本文将氧化石墨烯(Graphene oxide,GO)引入到量子点发光层和电子传输层之间作为电子阻挡层,通过调节GO的厚度,使器件的亮度提高了96.7%,电流效率提高146%。光电性能的改善主要归因于加入电子阻挡层的能带结构,增大了电子传输层与量子点层之间的能级势垒。研究结果表明,引入GO层能够减少电子的注入数目,从而提高器件性能。
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关键词
量子点
电子阻挡层
电荷平衡
氧化石墨烯
能级势垒
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职称材料
一维单势垒光量子阱中多通道特性分析
4
作者
刘文莉
何修军
唐婷婷
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期544-547,共4页
用传输矩阵法研究了形式为(AB)m(CD)n(BA)m的一维单势垒光量子阱结构的隧穿通道特性。研究结果表明,阱层周期数决定了光量子阱中隧穿通道个数。垒层周期数对通道位置、个数、间距无调控作用。晶格常数变大,能明显调节隧穿通道的位置及间...
用传输矩阵法研究了形式为(AB)m(CD)n(BA)m的一维单势垒光量子阱结构的隧穿通道特性。研究结果表明,阱层周期数决定了光量子阱中隧穿通道个数。垒层周期数对通道位置、个数、间距无调控作用。晶格常数变大,能明显调节隧穿通道的位置及间距,且晶格常数越小,通道越精细。入射角变化可对通道的位置、间距进行微调,且角度越大,通道越精细。该特性可为设计可调多通道光学滤波器等量子光学器件提供指导。
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关键词
材料
光量子阱
隧穿通道
阱层
垒层
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职称材料
量子点膜技术发展现状
被引量:
4
5
作者
宣玉凤
刘墨宁
+2 位作者
刘晓昊
宋鑫
赵伟涛
《信息记录材料》
2017年第10期1-3,共3页
近年来量子点显示技术在大尺寸电视,中小尺寸智能手机、平板电脑等产品中得到快速发展,量子点显示呈现出更高的分辨率、更宽的色域和更亮的饱和度。量子点显示技术的核心是量子点膜,量子点膜的结构为包夹式结构,即扩散层//高阻隔膜//量...
近年来量子点显示技术在大尺寸电视,中小尺寸智能手机、平板电脑等产品中得到快速发展,量子点显示呈现出更高的分辨率、更宽的色域和更亮的饱和度。量子点显示技术的核心是量子点膜,量子点膜的结构为包夹式结构,即扩散层//高阻隔膜//量子点发光层//高阻隔膜//扩散层,因而高阻隔膜、量子点发光层、扩散层构成了量子点膜的三个关键组成部分。
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关键词
量子点膜
高阻隔膜
量子点发光层
扩散层
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职称材料
AlGaN紫外激光器量子垒层和n型波导层设计优化
6
作者
刘璐
李书平
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023年第5期161-165,共5页
为提高紫外激光器的光电性能,降低阈值电流,提出采用Al组分渐变的量子垒层(QBs)以及Al组分渐变的n型波导层(n-WG)优化标准结构——参考实验样品设计的AlGaN基紫外激光器结构,使用PICS3D仿真软件,对3种不同的新结构及标准结构进行构建和...
为提高紫外激光器的光电性能,降低阈值电流,提出采用Al组分渐变的量子垒层(QBs)以及Al组分渐变的n型波导层(n-WG)优化标准结构——参考实验样品设计的AlGaN基紫外激光器结构,使用PICS3D仿真软件,对3种不同的新结构及标准结构进行构建和数值分析。比较了4种结构的L-I-V特性曲线、能带结构、载流子电流密度分布等性质,结果表明,同时采用Al组分渐变的QBs以及Al组分渐变的n-WG的紫外激光器具有更优异的性能:在800 mA注入电流下光输出功率可达775 mW,与标准结构相比提高了35.7%;阈值电流为62.3 mA,与标准结构相比降低了73.6%。
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关键词
激光器与激光光学
ALGAN
紫外激光器
量子垒层
n型波导层
PICS3D
原文传递
超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数
7
作者
王林
许伟伟
+3 位作者
翟计全
李晓虎
孙国柱
吴培亨
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第27期2728-2733,共6页
超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚...
超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚度与平整度关系分析,选取60 nm作为隧道结底层Al厚度,增加蒸发源到样品衬底间的距离,提高了Al薄膜平整度,降低了隧道结漏电流.通过透射电子显微镜分析,观测到Al隧道结三层结构,并得到了势垒层厚度和氧分压的关系.
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关键词
超导磁通量子比特
Al/AlOx/Al超导隧道结
静态氧化
透射电子显微镜分析
势垒层厚度
薄膜平整度
漏电比
原文传递
题名
四层插入层量子垒AlGaN深紫外LED研究
1
作者
方文浚
万垂铭
李深海
谢子敬
谭礼军
机构
赣南师范大学物理与电子信息学院
广东晶科电子股份有限公司
华南理工大学微电子学院
出处
《赣南师范大学学报》
2024年第3期90-94,共5页
基金
江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ211436)
赣南师范大学博士科研启动基金(BSJJ202134)。
文摘
本文通过对不同量子垒结构的AlGaN深紫外LED进行数值研究,对比分析了量子垒结构与其发光性能之间的关联.结果表明,相较于传统量子垒结构的样品A,四层插入层量子垒结构的样品B和样品C,内量子效率峰值分别提升了27.04%和18.8%,光输出功率在200 mA下分别提升了31.04%和21.62%.这主要是因为四层插入层量子垒结构可有效增加有源区内量子垒的能带势垒高度,提升量子阱对载流子的束缚能力.
关键词
AlGaN深紫外LED
量子垒
插入层
内量子效率
辐射复合率
Keywords
AlGaN deep ultraviolet LED
quantum
barrier
s
insertion
layer
s
internal
quantum
efficiency
radiative recombination rate
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响
2
作者
刘举
曹一伟
吕全江
杨天鹏
米亭亭
王小文
刘军林
机构
江苏大学材料科学与工程学院
圆融光电科技股份有限公司
马鞍山杰生半导体有限公司
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第12期393-401,共9页
基金
国家自然科学基金(批准号:62374076,62104085)
江苏省双创团队项目(批准号:JSSCTD202146)资助的课题。
文摘
在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的光输出功率(LOP)、外量子效率(EQE)和电光转换效率(WPE)均呈先上升后下降的趋势,同时泄漏电流减小,可靠性提升.当周期数为7时(厚度为28 nm),DUV-LEDs裸芯的EQE和WPE均达到最大值,在7.5 mA注入电流下分别为3.5%和3.2%.能带模拟结果证明了增加SL-EBL周期数可以有效提升电子势垒高度,而几乎不改变空穴势垒高度.然而,当SL-EBL超过一定厚度时,抑制了空穴向有源区的注入,导致EQE和WPE随SL-EBL周期数变化出现拐点.研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs载流子复合机制的影响,发现增加SL-EBL周期数可以有效地降低有源区内载流子非辐射复合.
关键词
深紫外发光二极管
电子阻挡层
可靠性
外量子效率
Keywords
deep ultraviolet light emitting diodes
electron
barrier
layer
reliability
external
quantum
efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
基于GO电子阻挡层的量子点发光二极管优化
3
作者
丁磊
张芹
闫珍珍
孙娟
谢亮生
潘琛
机构
南昌航空大学测试与光电工程学院
出处
《南昌航空大学学报(自然科学版)》
CAS
2023年第1期29-36,共8页
基金
国家自然科学基金(12164928)。
文摘
量子点发光二极管高性能的关键是实现空穴与电子之间的电荷平衡。本文将氧化石墨烯(Graphene oxide,GO)引入到量子点发光层和电子传输层之间作为电子阻挡层,通过调节GO的厚度,使器件的亮度提高了96.7%,电流效率提高146%。光电性能的改善主要归因于加入电子阻挡层的能带结构,增大了电子传输层与量子点层之间的能级势垒。研究结果表明,引入GO层能够减少电子的注入数目,从而提高器件性能。
关键词
量子点
电子阻挡层
电荷平衡
氧化石墨烯
能级势垒
Keywords
quantum
dots
electron
barrier
layer
charge balance
graphene oxide
energy level
barrier
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一维单势垒光量子阱中多通道特性分析
4
作者
刘文莉
何修军
唐婷婷
机构
成都信息工程学院光电技术学院
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期544-547,共4页
基金
四川省科技厅基金资助项目(2014ZR0044)
四川省教育厅基金资助项目(13Z200)
文摘
用传输矩阵法研究了形式为(AB)m(CD)n(BA)m的一维单势垒光量子阱结构的隧穿通道特性。研究结果表明,阱层周期数决定了光量子阱中隧穿通道个数。垒层周期数对通道位置、个数、间距无调控作用。晶格常数变大,能明显调节隧穿通道的位置及间距,且晶格常数越小,通道越精细。入射角变化可对通道的位置、间距进行微调,且角度越大,通道越精细。该特性可为设计可调多通道光学滤波器等量子光学器件提供指导。
关键词
材料
光量子阱
隧穿通道
阱层
垒层
Keywords
material
photonic
quantum
well
tunneling channel
well
layer
barrier
layer
分类号
TN25 [电子电信—物理电子学]
O731 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
量子点膜技术发展现状
被引量:
4
5
作者
宣玉凤
刘墨宁
刘晓昊
宋鑫
赵伟涛
机构
中国乐凯集团有限公司
出处
《信息记录材料》
2017年第10期1-3,共3页
文摘
近年来量子点显示技术在大尺寸电视,中小尺寸智能手机、平板电脑等产品中得到快速发展,量子点显示呈现出更高的分辨率、更宽的色域和更亮的饱和度。量子点显示技术的核心是量子点膜,量子点膜的结构为包夹式结构,即扩散层//高阻隔膜//量子点发光层//高阻隔膜//扩散层,因而高阻隔膜、量子点发光层、扩散层构成了量子点膜的三个关键组成部分。
关键词
量子点膜
高阻隔膜
量子点发光层
扩散层
Keywords
quantum
dot film
High
barrier
film
quantum
dot luminous
layer
Diffusion
layer
分类号
O649.4 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
AlGaN紫外激光器量子垒层和n型波导层设计优化
6
作者
刘璐
李书平
机构
厦门大学物理科学与技术学院
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023年第5期161-165,共5页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0400801,2016YFB0400800)。
文摘
为提高紫外激光器的光电性能,降低阈值电流,提出采用Al组分渐变的量子垒层(QBs)以及Al组分渐变的n型波导层(n-WG)优化标准结构——参考实验样品设计的AlGaN基紫外激光器结构,使用PICS3D仿真软件,对3种不同的新结构及标准结构进行构建和数值分析。比较了4种结构的L-I-V特性曲线、能带结构、载流子电流密度分布等性质,结果表明,同时采用Al组分渐变的QBs以及Al组分渐变的n-WG的紫外激光器具有更优异的性能:在800 mA注入电流下光输出功率可达775 mW,与标准结构相比提高了35.7%;阈值电流为62.3 mA,与标准结构相比降低了73.6%。
关键词
激光器与激光光学
ALGAN
紫外激光器
量子垒层
n型波导层
PICS3D
Keywords
laser and laser optics
AlGaN
ultraviolet laser diode
quantum barrier layer
ntype waveguide
layer
PICS3D
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数
7
作者
王林
许伟伟
翟计全
李晓虎
孙国柱
吴培亨
机构
南京大学电子科学与工程学院
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第27期2728-2733,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00107
2011CBA00202)
+4 种基金
国家自然科学基金(61371036
11234006
11227904)
江苏省自然科学基金(BK2012013)
中国工程物理研究院太赫兹重点实验室基金(CAEPTHZ201206)资助
文摘
超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一,具有易集成、易与外界耦合等优点.用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构,Al作为超导材料,采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品.通过对Al薄膜厚度与平整度关系分析,选取60 nm作为隧道结底层Al厚度,增加蒸发源到样品衬底间的距离,提高了Al薄膜平整度,降低了隧道结漏电流.通过透射电子显微镜分析,观测到Al隧道结三层结构,并得到了势垒层厚度和氧分压的关系.
关键词
超导磁通量子比特
Al/AlOx/Al超导隧道结
静态氧化
透射电子显微镜分析
势垒层厚度
薄膜平整度
漏电比
Keywords
superconducting flux
quantum
bits
Al/AlOx /Al tunnel junctions
static oxidization
TEM analysis
barrier
layer
thickness
film flatness
sub-gap leakage current ratio
分类号
O413.1 [理学—理论物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
四层插入层量子垒AlGaN深紫外LED研究
方文浚
万垂铭
李深海
谢子敬
谭礼军
《赣南师范大学学报》
2024
0
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职称材料
2
超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响
刘举
曹一伟
吕全江
杨天鹏
米亭亭
王小文
刘军林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
3
基于GO电子阻挡层的量子点发光二极管优化
丁磊
张芹
闫珍珍
孙娟
谢亮生
潘琛
《南昌航空大学学报(自然科学版)》
CAS
2023
0
下载PDF
职称材料
4
一维单势垒光量子阱中多通道特性分析
刘文莉
何修军
唐婷婷
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
5
量子点膜技术发展现状
宣玉凤
刘墨宁
刘晓昊
宋鑫
赵伟涛
《信息记录材料》
2017
4
下载PDF
职称材料
6
AlGaN紫外激光器量子垒层和n型波导层设计优化
刘璐
李书平
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2023
0
原文传递
7
超导磁通量子比特的制备及Al/AlO_x/Al隧道结特性参数
王林
许伟伟
翟计全
李晓虎
孙国柱
吴培亨
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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