脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究

对MBE生长的InGaAs量子阱(QW)激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAs QW脊波导结构的激光器,通过控制脊的腐蚀深度,得到阈值电流密度为300 A/cm2的激光器,且激光器在常温下工作稳定,输出功率较大,其阈值电流附近3 dB带宽超过2 GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应,结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽。

1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构.