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Improved blue quantum dot light-emitting diodes via chlorine passivated ZnO nanoparticle layer 被引量:2
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作者 Xiangwei Qu Jingrui Ma +4 位作者 Siqi Jia Zhenghui Wu Pai Liu Kai Wang Xiao-Wei Sun 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第11期141-145,共5页
In blue quantum dot light emitting diodes(QLEDs),electron injection is insufficient,which would degrade device efficiency and stability.Herein,we employ chlorine passivated ZnO nanoparticles as electron transport laye... In blue quantum dot light emitting diodes(QLEDs),electron injection is insufficient,which would degrade device efficiency and stability.Herein,we employ chlorine passivated ZnO nanoparticles as electron transport layer to facilitate electron injection into QDs effectively.Moreover,it suppresses exciton quenching at the QD/ZnO interface by blocking charge transfer channel.As a result,the maximum external quantum efficiency of blue QLED was increased from 2.55%to 4.60%,and the operation lifetime of blue QLED was nearly 4 times longer than that of the control device.Our work indicates that election injection plays an important role in blue QLED efficiency and stability. 展开更多
关键词 quantum dot light emitting diodes(qleds) chlorine passivation electron injection
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ZnSe基蓝光量子点的中间壳层结构调控及其发光性能研究
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作者 伍仕停 余春燕 +2 位作者 方佳庆 徐阳 翟光美 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第7期1160-1169,共10页
ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将... ZnSe作为一种不含重金属的宽带隙量子点(QDs),近年来在蓝光量子点及其发光二极管器件领域受到广泛关注。然而,ZnSe基核壳结构蓝光量子点的核壳界面处通常存在较大的晶格失配,易于形成缺陷态捕获载流子,从而影响其光学性能。本文通过将均质的单层ZnSeS合金层替换为具有组分渐变结构的ZnSeS合金层,合成了具有径向方向Se/S浓度渐变梯度的ZnSeS合金中间壳层的ZnSeTe/ZnSe/ZnSeS/ZnS量子点,并利用X射线衍射谱、稳态光致发光光谱、时间分辨发光光谱、透射电镜和电致发光测试等表征手段研究了不同合金中间壳层对量子点结构、形貌和光学性能的影响。结果表明,所合成的具有组分梯度ZnSeS壳层的量子点的发射波长均为深蓝色(444.5 nm),发射线宽窄(<18 nm),尺寸均一,具有闪锌矿结构,结晶度高;随着ZnSeS合金中间壳层沿量子点径向方向组分渐变平滑度的不断提高,量子点的荧光量子效率(PLQY)和色纯度等光学性质依次改善,其中通过S原子扩散形成的具有线性缓变ZnSeS壳层的量子点具有最窄的发射线宽(15.8 nm)和最高的PLQY(20.7%)。利用这种具有最优荧光性能的量子点作为发光材料制备的发光二极管器件的最大外量子效率为1.8%,最高亮度为750 cd/m^(2)。本研究提出的量子点合成方案和结构优化策略有助于促进高质量无毒蓝光ZnSe基核/壳量子点的发展。 展开更多
关键词 无毒蓝光量子点 核/壳结构 梯度合金壳 ZNSE 量子点发光二极管 发光性能
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褶皱衍射光栅提升绿光量子点发光二极管的光耦合输出效率
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作者 戚辉 陈铃 +5 位作者 郭鹏 袁佩玲 臧帅普 丁星星 张莹 曾灏宪 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第10期1572-1577,共6页
为了解决绿光量子点发光二极管(QLED)基底模式陷入光问题,首先通过在柔性聚二甲基硅氧烷基底上蒸镀铝层,自发形成了准周期褶皱结构。这种简单、有效的方法可以制作大面积的褶皱结构,所制作的褶皱结构具有随机取向和宽周期分布的特点。然... 为了解决绿光量子点发光二极管(QLED)基底模式陷入光问题,首先通过在柔性聚二甲基硅氧烷基底上蒸镀铝层,自发形成了准周期褶皱结构。这种简单、有效的方法可以制作大面积的褶皱结构,所制作的褶皱结构具有随机取向和宽周期分布的特点。然后,将褶皱结构作为外结构引入到QLED中,构筑了高效的绿光QLED。与参考QLED相比,褶皱QLED的外量子效率(EQE)从12.09%增加到16.06%,提升了32.8%;最大亮度从184600cd·m^(-2)增加到226500cd·m^(-2),在不改变发光峰位的情况下实现了基底模式陷入光的高效提取,为提升绿光QLED性能提供了一种新的选择。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 褶皱结构 衍射光栅 柔性材料 光耦合输出效率 基底模式陷入光
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利用ZnCl_(2)原位钝化电子传输层提高量子点发光二极管性能 被引量:1
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作者 王北恒 高懿韦 +3 位作者 王艳林 曹松 余春燕 翟光美 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第12期1928-1936,共9页
在量子点发光二极管(QLED)中,电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此,采用金属卤化物(ZnCl_(2))原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位,同时有效钝化其表面不饱... 在量子点发光二极管(QLED)中,电子-空穴注入不平衡和量子点层/电子传输层间界面的荧光猝灭限制着QLED效率的提升。基于此,采用金属卤化物(ZnCl_(2))原位处理电子传输层方法来减少氧化锌(ZnO)电子传输层的氧空位,同时有效钝化其表面不饱和键,因此在一定程度上实现抑制量子点/电子传输层界面的荧光猝灭和提高QLED中的电子-空穴注入平衡的目的,最终得到了高亮度、高效率的QLED。原位钝化处理后的ZnO基QLED的最大亮度、峰值电流效率、峰值功率效率和峰值外量子效率(EQE)分别从未处理QLED的176800 cd/m^(2)、9.86 cd/A、8.38 lm/W和7.42%提高到219200 cd/m^(2)、15.14 cd/A、12.66 lm/W和11.65%。结果表明,ZnCl_(2)原位钝化ZnO电子传输层对QLED性能的提升起到重要的作用。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) ZNO 原位钝化 ZnCl_(2) 电子传输层
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基于有机-无机混合配体置换的蓝光量子点发光二极管性能
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作者 高懿韦 翟光美 +6 位作者 王北恒 王艳林 曹松 余春燕 苗艳勤 王华 许并社 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1393-1404,共12页
相较于红光和绿光量子点发光二极管(QLED),制备高效蓝光QLED仍然具有挑战性。比较研究了有机配体(辛硫醇,OT)、无机配体(ZnCl_(2))和有机-无机混合配体(OT和ZnCl_(2))置换原始油酸配体对量子点(QD)的光致和电致发光性能的影响规律及机... 相较于红光和绿光量子点发光二极管(QLED),制备高效蓝光QLED仍然具有挑战性。比较研究了有机配体(辛硫醇,OT)、无机配体(ZnCl_(2))和有机-无机混合配体(OT和ZnCl_(2))置换原始油酸配体对量子点(QD)的光致和电致发光性能的影响规律及机制。实验结果表明,有机-无机混合配体置换对蓝光QLED的发光性能的提升效果最佳,ZnCl_(2)配体次之,辛硫醇配体最小,这主要归因于三种配体置换后量子点表面缺陷钝化以及量子点价带顶能级上移程度方面的差异。相较于原始油酸配体置换QLED,基于有机-无机混合配体置换量子点蓝光QLED的峰值功率效率和最高外量子效率分别约提高了2.08倍和1.89倍,最高亮度从2413 cd/m^(2)提高到了6994 cd/m^(2)。该研究为调控量子点表面化学性质和提高蓝光QLED性能提供了一种有效策略。 展开更多
关键词 蓝光量子点发光二极管(qled) 辛硫醇(OT) 氯化锌(ZnCl_(2)) 配体置换 有机-无机混合配体
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基于WO_(3)作为空穴注入层的量子点发光二极管的构筑
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作者 张翼东 董振伟 关会娟 《化学研究》 CAS 2021年第3期211-216,共6页
以W粉和H 2O 2为前驱体,采用简单的溶胶-凝胶法制备了WO_(3)纳米晶,然后在ITO玻璃上旋涂成膜,并在420℃下煅烧1 h,薄膜光滑致密。将制备的薄膜作为空穴注入层应用在绿光QLEDs中。QLEDs的亮度、电流效率和工作寿命分别为18560 cd·m^... 以W粉和H 2O 2为前驱体,采用简单的溶胶-凝胶法制备了WO_(3)纳米晶,然后在ITO玻璃上旋涂成膜,并在420℃下煅烧1 h,薄膜光滑致密。将制备的薄膜作为空穴注入层应用在绿光QLEDs中。QLEDs的亮度、电流效率和工作寿命分别为18560 cd·m^(-2)、11.8 cd·A^(-1)和11844 h。 展开更多
关键词 WO_(3)薄膜 纳米晶 空穴注入层 量子点发光二极管
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旋涂法制备量子点LED功能层材料的研究进展 被引量:2
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作者 崔贺凤 李晓云 郭美玲 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第4期225-233,共9页
综述了采用旋涂法制备的量子点发光二极管(QLED)中各功能层材料的研究进展,对可旋涂制备的多种载流子注入层和传输层材料的特性及应用进行了对比总结。多项研究表明:对于电子传输层(ETL),ZnO和TiO2等无机金属氧化物材料在电子迁移... 综述了采用旋涂法制备的量子点发光二极管(QLED)中各功能层材料的研究进展,对可旋涂制备的多种载流子注入层和传输层材料的特性及应用进行了对比总结。多项研究表明:对于电子传输层(ETL),ZnO和TiO2等无机金属氧化物材料在电子迁移率及器件可靠性方面都要优于有机材料;对于空穴传输层(HTL),则是具有较高空穴迁移率及成膜质量好的聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺](Poly-TPD)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK)等有机聚合物材料应用更为广泛;而MoOx和WOx等无机金属氧化物材料则由于其能级匹配和可靠性方面的优势更多用于空穴注入层。随着技术的成熟及QLED应用中对高效率和高可靠性的要求,无机金属氧化物材料在QLED中的应用将越来越广泛,结合成本低廉的旋涂法,将有力地推动QLED的商业化。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 旋涂法 电子传输层(ETL) 空穴传输层(HTL) 电子迁移率 空穴迁移率
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基于纳米氧化钛电子传输层的量子点发光二极管器件的制备与研究
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作者 张馨月 李芝 陈静 《电子器件》 CAS 北大核心 2015年第1期11-13,共3页
为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QLED),并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛(Ti O2)的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,Al为阴极,PEDOT为空穴注入层,TFB为空穴传输层,量子点(QD... 为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件(QLED),并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛(Ti O2)的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,Al为阴极,PEDOT为空穴注入层,TFB为空穴传输层,量子点(QD)作为发光层的结构。研究发现,QLED器件的开启电压为2.6 V,发光高度大于10 cd/m2。实验结果说明了Ti O2可以作为获得高效QLED器件以及其他光电器件的一种有效途径。 展开更多
关键词 量子点发光二极管 湿法旋涂技术 二氧化钛 电子传输层
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NiO为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能
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作者 郭起玲 李景灵 +1 位作者 何新华 徐雪青 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期556-563,共8页
采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/QDs/Zn O/Ag的量子点发光二极管(QLED)中。XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni3+离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺... 采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/QDs/Zn O/Ag的量子点发光二极管(QLED)中。XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni3+离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺,获得Ni3+离子含量增多且分布均匀的NiO薄膜。研究结果显示:随着旋涂NiO次数的增加,器件性能呈现出逐渐改善趋势,当旋涂4次时,器件获得最佳效果,其中最佳发光强度从184cd/m2提高到4775 cd/m2,最大电流效率为0.54 cd/A,最大外量子效率为0.22%,与未改善的单层NiO基QLED相比,均提高超过50倍。 展开更多
关键词 氧化镍 溶液法 空穴传输层 量子点发光二极管
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溶液法制备图案化量子点薄膜的研究进展 被引量:1
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作者 张敏 刘欢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期401-410,共10页
量子点发光二极管(QLED)由于具有显色性好,色纯度高和性能稳定等特点而受到广泛关注,可用于制备具有超薄结构和柔性结构的显示器件.量子点(QDs)层是QLED器件的核心发光层,制备高质量的图案化QD薄膜对于提高QLED器件性能至关重要.本文综... 量子点发光二极管(QLED)由于具有显色性好,色纯度高和性能稳定等特点而受到广泛关注,可用于制备具有超薄结构和柔性结构的显示器件.量子点(QDs)层是QLED器件的核心发光层,制备高质量的图案化QD薄膜对于提高QLED器件性能至关重要.本文综述了近年来溶液法制备QD薄膜的研究进展,探讨了目前主要使用的各种溶液法的优势和前景,并对最近新发展的纤维辅助的溶液可控转移制备QD薄膜方法的优势和发展前景进行了评述. 展开更多
关键词 溶液法 薄膜 量子点发光二极管器件
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基于In_(1−x)Ga_(x)P梯度合金核无镉量子点的制备及LED应用 被引量:1
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作者 叶海桥 曹璠 +1 位作者 窦永江 杨绪勇 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期846-855,共10页
低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot,InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料,已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力.然而,合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PL QY)的InP... 低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot,InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料,已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力.然而,合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PL QY)的InP QD仍然具有挑战性.因此,提出了以乙酰丙酮镓作为镓源,在高温下通过乙酰丙酮基对表面配体的活化作用,生成具有梯度合金核的In_(1−x)Ga_(x)P/ZnSe/ZnS量子点,有效解决了原有的InP与ZnSe之间晶格失配的问题;同时减少核壳界面缺陷,使量子点的荧光量子产率高达82%,所制备量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,QLED)的外量子效率(external quantum efficiency,EQE)达到3.1%.相比传统的InP/ZnSe/ZnS结构量子点,In_(1−x)Ga_(x)P/ZnSe/ZnS量子点荧光量子产率提高了25%,器件的外量子效率提高了近一倍.该方案为解决InP量子点荧光量子产率低、发光器件性能差等问题提供了新的思路. 展开更多
关键词 磷化铟量子点 梯度合金核 配体活化 量子点发光二极管
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现代显示技术发展与展望 被引量:16
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作者 魏文君 徐亨 +4 位作者 刘学清 尤庆亮 邹琳玲 刘继延 曹元成 《功能材料与器件学报》 CAS 2015年第5期99-106,共8页
依据显示技术的发展历程,分别介绍了阴极射线管显示技术(CRT)以及平板显示技术(FPD)的发展历史、分类及其工作原理,简述了各种显示技术当前存在的缺陷和挑战,并对现代量子点显示技术进行了展望。
关键词 阴极射线管(CRT) 液晶显示(LCD) 发光二极管显示(LED) 等离子体显示(PDP) 有机发光
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一种基于混合量子点的橙光量子点LED制备
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作者 陈雯柏 叶继兴 +1 位作者 李邓化 马航 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期951-956,共6页
为研究混合量子点(QD)发光二极管(QLED)的性能,利用红、绿量子点混合作为发光层,制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs(红、绿1∶1混合)/ZnO/Al的橙光QLED,并与结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs(红光)/ZnO/Al的红光QLED进行了对比... 为研究混合量子点(QD)发光二极管(QLED)的性能,利用红、绿量子点混合作为发光层,制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs(红、绿1∶1混合)/ZnO/Al的橙光QLED,并与结构为ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/QDs(红光)/ZnO/Al的红光QLED进行了对比。实验结果表明,基于红、绿QD混合的橙光QLED的制备方法是有效的,制备的橙光QLED电流密度和亮度均小于红光QLED,但电流效率远大于红光QLED。研究发现,器件性能与各功能层能级以及厚度密切相关,应通过选取适当能级的发光层材料,将注入的空穴以及电子同时限制在发光层内从而提高器件的电流效率,并调节各功能层厚度使得载流子注入平衡从而提高器件性能。 展开更多
关键词 量子点发光二极管(qled) 能级 载流子
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CsPbI_(3)钙钛矿量子点的精细纯化及其高效发光二极管的研究 被引量:3
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作者 李严 李金航 +2 位作者 许蕾梦 陈嘉伟 宋继中 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第1期126-132,共7页
钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)因其色纯度高、颜色控制精准、色域广以及溶液可加工等特点,在显示和照明等领域有着极大的应用前景.针对红光钙钛矿CsPbI_(3)量子点纯化过程中相变和表面配体损失造成的荧光退化问题,本工作发展了一种甲... 钙钛矿量子点发光二极管(QLEDs)因其色纯度高、颜色控制精准、色域广以及溶液可加工等特点,在显示和照明等领域有着极大的应用前景.针对红光钙钛矿CsPbI_(3)量子点纯化过程中相变和表面配体损失造成的荧光退化问题,本工作发展了一种甲苯和乙酸乙酯协同的混合溶剂纯化策略,能够避免纯化过程中的相变问题,获得了纯立方相的CsPbI_(3)量子点;此外,进一步提出了油胺碘(OAmI)调控量子点表面态的配体补偿工艺,解决了配体损失导致的荧光淬灭问题,发现在引入400μL的OAmI时,量子点兼具高的发光效率(PLQY为70%)和优异的电学性能,电驱动下的激子复合几率显著增加,最终实现了亮度为3090 cd/m2和外量子效率为15.67%的QLED.这种钙钛矿CsPbI_(3)量子点精细纯化的方案对开发高效量子点材料和实现高性能光电子器件具有重要的指导意义. 展开更多
关键词 无机钙钛矿量子点 纯化 配体补偿 量子点发光二极管 CsPbI_(3)
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