7MeV／u^（16）O^（6＋）离子在CR－39固体径迹探测器中投影射程的确定

采用与生物样品等效的ＣＲ－３９作为固体径迹探测器来测定７ＭｅＶ／ｕ１６Ｏ６＋离子注入该种材料中的投影射程，利用实验观测到的数据，采用蚀刻速率比和剩余射程统计分布规律的方法，分析和讨论了这种重离子在ＣＲ－３９中的投影射程（即离子注入深度）．两者符合较好，分别为３２．５±６．２μｍ和３０．５±６μｍ。本工作为重离子注入生物样品定点定位诱变研究提供数据。

硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)

提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.

牺牲层腐蚀平面二维模拟与仿真

介绍了影响氢氟酸溶液腐蚀牺牲层速率的主要因素,阐述了一二阶联合模型以及这个模型的极坐标推广。详细讨论了极坐标扩散方程的数值求解算法,并对算法进行了适当的优化,利用C语言进行了计算机编程实现了对腐蚀过程的仿真最后给出腐蚀单端开口结构腐蚀过程的仿真结果。