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快速火焰沉积法原位后退火制备防雾纳米纤维SiO_2和纳米SiO_2-TiO_2薄膜
被引量:
1
1
作者
周明敏
李坚
《中国现代医学杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期26-31,共6页
目的在透明玻璃基板上通过直接火焰气溶胶沉积和原位退火快速合成水稳定性、透明防雾SiO2,TiO2,SiO2-TiO2涂层。方法联合使用火焰喷雾热分解反应器与基片支架合成和涂层沉积TiO2,SiO2-TiO2和SiO2纳米结构于7.5 cm×2.5 cm的玻璃基...
目的在透明玻璃基板上通过直接火焰气溶胶沉积和原位退火快速合成水稳定性、透明防雾SiO2,TiO2,SiO2-TiO2涂层。方法联合使用火焰喷雾热分解反应器与基片支架合成和涂层沉积TiO2,SiO2-TiO2和SiO2纳米结构于7.5 cm×2.5 cm的玻璃基板上。结果在无预处理的情况下在玻璃基板用包含硅前体的HMDSO或TEOS等FSP溶液制备了直径为10~15 nm和长度为数十至数百纳米长的SiO2纳米纤维或纳米线。结论该制备工艺可行性好,质量控制方法简便、可靠。
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关键词
快速火焰沉积法原位后退火
二氧化硅纳米纤维
SiO2-TiO2纳米薄膜
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职称材料
HfO_(2)介质薄膜表面原位低温沉积石墨烯研究
2
作者
曹振勇
王伟
+1 位作者
刘姗
樊瑞祥
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期41-46,共6页
研究了高k介质HfO_(2)薄膜制备工艺和石墨烯原位沉积工艺的结合。采用真空电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上室温沉积HfO2薄膜,并对薄膜样品分别进行400、450、500℃的恒温90 s快速退火处理。AFM测试结果表明,退火处理后HfO2薄膜表面的均方根...
研究了高k介质HfO_(2)薄膜制备工艺和石墨烯原位沉积工艺的结合。采用真空电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上室温沉积HfO2薄膜,并对薄膜样品分别进行400、450、500℃的恒温90 s快速退火处理。AFM测试结果表明,退火处理后HfO2薄膜表面的均方根粗糙度均未高于0.30 nm,处于较低水平;XRD测试结果表明,不同温度的退火处理并未使HfO2薄膜结构发生改变,样品均为无定形结构;阻抗测试结果显示,三组薄膜样品的相对介电常数均大于21且介电损耗水平均较低,介电性能良好。以室温电子束蒸镀制备的HfO_(2)薄膜为基底,利用PECVD在400、450、500℃低温条件下原位生长石墨烯。AFM和拉曼测试结果表明,500℃下沉积的石墨烯样品表面平坦度最高且层数在10层以内,实现了石墨烯器件绝缘介质层与有源层制备工艺的良好结合。
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关键词
石墨烯
HfO_(2)薄膜
真空电子束蒸镀
快速退火
原位低温沉积
PECVD
工艺结合
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职称材料
题名
快速火焰沉积法原位后退火制备防雾纳米纤维SiO_2和纳米SiO_2-TiO_2薄膜
被引量:
1
1
作者
周明敏
李坚
机构
中南大学湘雅医院眼科
中南大学卫生部肝胆肠外科研究中心
出处
《中国现代医学杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期26-31,共6页
文摘
目的在透明玻璃基板上通过直接火焰气溶胶沉积和原位退火快速合成水稳定性、透明防雾SiO2,TiO2,SiO2-TiO2涂层。方法联合使用火焰喷雾热分解反应器与基片支架合成和涂层沉积TiO2,SiO2-TiO2和SiO2纳米结构于7.5 cm×2.5 cm的玻璃基板上。结果在无预处理的情况下在玻璃基板用包含硅前体的HMDSO或TEOS等FSP溶液制备了直径为10~15 nm和长度为数十至数百纳米长的SiO2纳米纤维或纳米线。结论该制备工艺可行性好,质量控制方法简便、可靠。
关键词
快速火焰沉积法原位后退火
二氧化硅纳米纤维
SiO2-TiO2纳米薄膜
Keywords
rapid flame deposition and in situ annealing
nano-fibrous SiO2
SiO2-TiO2 coat
in
gs
分类号
R318 [医药卫生—生物医学工程]
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职称材料
题名
HfO_(2)介质薄膜表面原位低温沉积石墨烯研究
2
作者
曹振勇
王伟
刘姗
樊瑞祥
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期41-46,共6页
基金
河北省自然科学基金项目(F2019202377)。
文摘
研究了高k介质HfO_(2)薄膜制备工艺和石墨烯原位沉积工艺的结合。采用真空电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上室温沉积HfO2薄膜,并对薄膜样品分别进行400、450、500℃的恒温90 s快速退火处理。AFM测试结果表明,退火处理后HfO2薄膜表面的均方根粗糙度均未高于0.30 nm,处于较低水平;XRD测试结果表明,不同温度的退火处理并未使HfO2薄膜结构发生改变,样品均为无定形结构;阻抗测试结果显示,三组薄膜样品的相对介电常数均大于21且介电损耗水平均较低,介电性能良好。以室温电子束蒸镀制备的HfO_(2)薄膜为基底,利用PECVD在400、450、500℃低温条件下原位生长石墨烯。AFM和拉曼测试结果表明,500℃下沉积的石墨烯样品表面平坦度最高且层数在10层以内,实现了石墨烯器件绝缘介质层与有源层制备工艺的良好结合。
关键词
石墨烯
HfO_(2)薄膜
真空电子束蒸镀
快速退火
原位低温沉积
PECVD
工艺结合
Keywords
graphene
HfO_(2) film
vacuum electron beam evaporation
rapid
annealing
in
-
situ
low-temperature
deposition
PECVD
process comb
in
ation
分类号
TN304.18 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快速火焰沉积法原位后退火制备防雾纳米纤维SiO_2和纳米SiO_2-TiO_2薄膜
周明敏
李坚
《中国现代医学杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
下载PDF
职称材料
2
HfO_(2)介质薄膜表面原位低温沉积石墨烯研究
曹振勇
王伟
刘姗
樊瑞祥
《稀有金属与硬质合金》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
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职称材料
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