多势垒结构中的共振能量和量子能级的差异分析

利用ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式和传输矩阵方法解析推导出多量子阱（ＭＱＷ）系统的束缚电子能级公式，并定量分析了多势垒结构中的共振能量和相应ＭＱＷ系统量子能级的差异。结果表明，当势垒个数Ｎ＝２时共振能量和量子能级严格相等，而当Ｎ≥３时只有在阱间是弱耦合的情况下，这两种能量才近似相等。如果阱间是强耦合的，则只有较低的共振能量才与相应的量子能级接近，较高能量相差比较明显。

论振动体电动力学(Ⅲ)—共振隧道效应与引力量子化

提出了两个粒子共振相互作用有一共振势垒,一个粒子辐射的电磁场是否被另一个粒子吸收,辐射的频率与能吸收辐射的粒子产生的辐射频率必须满足共振条件,即频率相同或频率之比是整数倍。共振势垒具有隧道效应,辐射不能穿透的,两个粒子形成共振稳定状态,辐射能穿透的两个粒子之间没有共振相互作用。当两个粒子共振辐射的交集φ1∩φ2→1时,粒子间是的强相互作用,当共振辐射的交集φ1∩φ2→0时,表示两个粒子没有共振频率,两个粒子产生最低的共振相互作用—万有引力。没有共振辐射的费米子粒子的集合体,仍然产生费米子性质,两个费米子集合体辐射出没有共振频率的辐射,在空间仍满足能量守恒原理,必须满足共振内敛性原理,两个费米子集合体辐射产生一个最低的共振态-宏观物体的万有引力。光线在万有引力的弱共振场中保持直线性运动。

电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展

文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。

粒子在n个一维方势垒中的共振隧穿

通过对粒子在单个、两个及三个一维方势垒中的隧穿公式的推导，归纳出粒子在ｎ个一维方势垒中的隧穿公式。

量子环的共振遂穿效应

利用非平衡格林函数研究了一维量子环的电子输运特性,在外部电压(阶梯电压)的激励下单端导线与环间有含时的隧穿电流,提出了一种数值法计算有阶梯电压体系的电流,结果表明遂穿电流特性能够反映量子环中电子能谱结构.

选择共振遂穿模型对核反应^(11)B(p,α)2α的反应截面的计算

分析了理论计算11B(p,α)2α核反应截面的重要意义.利用选择共振遂穿模型对11B(p,α)2α的核反应截面进行计算.调出了核势的实部和虚部分别为-54.6Mev和-257.4kev.理论计算和实验测量值在一定程度上符合的很好,进一步说明选择共振遂穿模型是计算有明显峰值的核反应截面的有效方法.

200kev-500kev能区范围内^(15)N(p,α)^(12)C的反应截面的理论计算

对于一个确定的核反应,实验上容易测量到峰值处的截面值,利用选择共振隧穿模型把15N(p,α,)12C的峰值处的反应截面值外推到200kev-500kev.理论计算值和实验结果在一定程度上符合的很好,这说明了选择共振隧穿模型是计算有明显共振峰的核反应截面的有利工具.

一维对称双方势与对称双δ势的透射系数

分析了自由粒子在一维对称双方势垒和对称双δ势垒中散射问题,严格导出了相应的透射系数.

由薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构

介绍一个通过薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构的方法。给薄层金属加一个垂直表面的电场,由于量子隧穿效应,电子可以越过金属的逸出势垒发射出,称为金属电子的冷发射[1]。根据金属电子的冷发射电流可以确定隧穿电子数目,得出隧穿概率和透射系数,由透射系数和逸出势垒的关系,可得金属表面逸出功。由逸出势垒、势垒宽度和金属电子能级的关系可以研究金属的表面结构。