SiC BJT的新型高速低损驱动电路设计

SiC BJT新型器件是IGBT器件的有力竞争对手,由于SiC BJT是电流型器件,设计适应于SiC BJT的电流型驱动电路非常重要。针对传统双电源阻容RC(resistance-capacitance)驱动电路的不足,设计了一种双电源阻性时序驱动电路。该驱动电路由开通支路、稳态支路和关断支路3个支路组成,通过延时电路产生不同的驱动信号,分别控制3个驱动支路。该结构可以解决传统RC驱动电路的占空比问题和驱动振荡问题,和传统RC驱动电路相比较,其驱动损耗减小很多。为了验证新驱动电路的优势,对两种驱动电路分别进行LTSPICE仿真,并制作了对应的驱动样板,仿真和实验结果验证了所提出方案的良好驱动性能。