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Resistive switching characteristics of Ti/ZrO_2/Pt RRAM device 被引量:1
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作者 雷晓艺 刘红侠 +5 位作者 高海霞 杨哈妮 王国明 龙世兵 马晓华 刘明 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期507-511,共5页
In this paper, the bipolar resistive switching characteristic is reported in Ti/ZrO2/Pt resistive switching memory de- vices. The dominant mechanism of resistive switching is the formation and rupture of the conductiv... In this paper, the bipolar resistive switching characteristic is reported in Ti/ZrO2/Pt resistive switching memory de- vices. The dominant mechanism of resistive switching is the formation and rupture of the conductive filament composed of oxygen vacancies. The conduction mechanisms for low and high resistance states are dominated by the ohmic conduc- tion and the trap-controlled space charge limited current (SCLC) mechanism, respectively. The effect of a set compliance current on the switching parameters is also studied: the low resistance and reset current are linearly dependent on the set compliance current in the log-log scale coordinate; and the set and reset voltage increase slightly with the increase of the set compliance current. A series circuit model is proposed to explain the effect of the set compliance current on the resistive switching behaviors. 展开更多
关键词 resistive random access memory (rram resistive switching (rs conductive filament (cf compliance current
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Resistive switching effects in oxide sandwiched structures 被引量:6
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作者 Xiao-Jian ZHU Jie SHANG Run-Wei LI 《Frontiers of Materials Science》 SCIE CSCD 2012年第3期183-206,共24页
抵抗切换(RS ) 行为为数据存储由于他们的有希望的潜力吸引了大兴趣。在各种各样的材料之中,基于氧化物的设备看起来就他们有互补金属氧化物半导体技术的方便制造和相容性而言更有益,尽管内在的机制由于 RS 行为的差异仍然是争论的。... 抵抗切换(RS ) 行为为数据存储由于他们的有希望的潜力吸引了大兴趣。在各种各样的材料之中,基于氧化物的设备看起来就他们有互补金属氧化物半导体技术的方便制造和相容性而言更有益,尽管内在的机制由于 RS 行为的差异仍然是争论的。在这评论,我们集中于基于氧化物的 RS 记忆,工作机制能根据一个所谓的细丝模型的意见基本上在被理解。细丝形成 / 破裂进程,途径发展了检测并且描绘细丝,在基于氧化物的抵抗随机改进 RS 和量传导力行为的表演的几次有效尝试存取存储器(RRAM ) 设备分别地被探讨。 展开更多
关键词 氧化物系 电阻式 开关效应 随机存取存储器 结构 CMOS技术 工作机制 数据存储
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阻变存储器研究进展 被引量:12
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作者 龙世兵 刘琦 +1 位作者 吕杭炳 刘明 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2016年第10期138-164,共27页
阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势,本文对RRAM技术进行了综述.首先简单介绍了阻变存储... 阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势,本文对RRAM技术进行了综述.首先简单介绍了阻变存储器的工作原理、技术优势、发展历程和面临的基础科学问题.然后深入总结了RRAM的材料体系,包括固态电解质、多元金属氧化物、二元金属氧化物3类传统的阻变介质材料,总结了纳米线、二维材料等低维纳米材料在RRAM运用方面的近期研究进展,分析了绝缘/导电的低维材料分别用作阻变介质、平面电极层/纳米电极/侧边电极、界面插层所带来的微缩性、阻变性能和稳定性等的改善效果.总结和分析了细丝型电阻转变的3类物理机制:热化学机制(Thermochemical Mechanism,TCM)、电化学金属化(Electrochemical Metallization,ECM)机制、化合价变化机制(Valence Change Mechanism,VCM),详细分析了3种机制的SET/RESET转变原理和基本电学特性、透射电镜观测关键实验验证、对阻变机制的认识发展过程等.在阻变机制分析的基础上,接着阐述了RRAM电阻转变过程中由于纳米尺度下材料微观结构和能带结构的变化导致的一些新奇的物理现象,包括量子效应、磁电效应、光电效应等.最后针对RRAM实现应用的关键——集成技术,总结分析了存储阵列架构、二维/三维集成等关键问题及其研究进展. 展开更多
关键词 阻变存储器 阻变材料 阻变机制 导电细丝 三维集成 选通管
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