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垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用 被引量:2
1
作者 常玉春 崔洪峰 +4 位作者 王金忠 宋俊峰 HailinLuo Y.Wang 杜国同 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期624-627,共4页
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词 垂直发射极 HBT 异质结双极晶体管 镇流电阻 电流集边效应
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1.2~1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管 被引量:1
2
作者 王因生 丁晓明 +5 位作者 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期356-360,397,共6页
介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2~1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功... 介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2~1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。 展开更多
关键词 微波 功率管 镇流电阻
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在-55-125℃范围内误差小于±0.3℃硅基温度传感器 被引量:1
3
作者 冯晓星 王新安 +2 位作者 封君 葛彬杰 张兴 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1972-1978,共7页
提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果,利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开关-电容电路实现的寄生电阻校正方法,消除了基区电阻非线... 提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果,利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开关-电容电路实现的寄生电阻校正方法,消除了基区电阻非线性对温度测量的影响,提高了测量精度,电路仿真结果显示,系统测温误差在-55℃-125℃范围内仅为±0.3℃。 展开更多
关键词 温度传感器 误差自校准 基区电阻消除 CMOS衬底三极管
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基于多β晶体管和新颖电阻网络的高速D/A转换器 被引量:2
4
作者 吴训威 周选昌 《电路与系统学报》 CSCD 1999年第3期43-46,共4页
本文通过对D/A转换器权电阻网络和T型电阻网络的分析,提出了一种新颖的电阻转换网络。该网络比T型电阻网络节省四分之一电阻数量,可保证较高的转换精度。该网络结合多β晶体管构成的电压型模拟开关实现了超高速D/A转换器的新设计,... 本文通过对D/A转换器权电阻网络和T型电阻网络的分析,提出了一种新颖的电阻转换网络。该网络比T型电阻网络节省四分之一电阻数量,可保证较高的转换精度。该网络结合多β晶体管构成的电压型模拟开关实现了超高速D/A转换器的新设计,计算机模拟表明该D/A转换器具有正确的逻辑功能,工作速度极快。 展开更多
关键词 多Β晶体管 电阻网络 D/A转换器
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Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN ICs 被引量:1
5
作者 Xiangdong Li Karen Geens +6 位作者 Nooshin Amirifar Ming Zhao Shuzhen You Niels Posthuma Hu Liang Guido Groeseneken Stefaan Decoutere 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2021年第2期113-116,共4页
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this work.The fundamental inverters in the comparator consist of a p-GaN gate HEMT and a 2DEG resistor... We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this work.The fundamental inverters in the comparator consist of a p-GaN gate HEMT and a 2DEG resistor as the load.The function of the RTL comparators is finally verified by a undervoltage lockout(UVLO)circuit.The compatibility of this circuit with the current p-GaN technology paves the way for integrating logic ICs together with the power devices. 展开更多
关键词 P-GAN resistor-transistor logic(RTL) comparator undervoltage lockout(UVLO) GaN ICs
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一种消除体效应的纳瓦量级全CMOS基准电压源 被引量:1
6
作者 段吉海 邓东宇 +1 位作者 徐卫林 韦保林 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2015年第7期152-156,共5页
提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应... 提出了一种全部采用MOSFET构成的极低功耗基准电压源.电路由一个结构新颖的纳安量级基准电流源和温度补偿电路构成;利用CMOS源极耦合差分对代替了传统带隙电压源中所采用的电阻和Bipolar晶体管,减小了功耗和芯片面积,消除了MOS管体效应对电路的影响.采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计和仿真,结果表明,电路的温度系数为90,芯片面积0.006,功耗仅为54nW.该电路适用于低功耗移动电子设备. 展开更多
关键词 电压基准 极低功耗 无电阻 无Bipolar晶体管
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射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化 被引量:1
7
作者 金冬月 张万荣 +2 位作者 谢红云 沈珮 王扬 《北京工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期141-144,149,共5页
为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入... 为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率. 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 热稳定 镇流电阻
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基于BJT的ESD保护器件中维持电压的建模与分析 被引量:1
8
作者 梁海莲 杨兵 +2 位作者 顾晓峰 柯逸辰 高国平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期446-450,共5页
基于双极晶体管(BJT)结构的静电放电(ESD)保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效应下维持电压的产生机理和建模方面的研究较少,提出了一种维持电压的数学建模方法。首先分析了多种... 基于双极晶体管(BJT)结构的静电放电(ESD)保护器件具有双向导通特性和良好的保护性能,在ESD保护中应用广泛。鉴于该类器件在负阻效应下维持电压的产生机理和建模方面的研究较少,提出了一种维持电压的数学建模方法。首先分析了多种调制效应对维持电压的影响,优化了模型参数;其次,基于0.6μm BiCMOS工艺对NPN型BJT的结构及电学性能进行了仿真分析,通过数据拟合得到了维持电压的估算模型;最后,制备了两种不同结构的样品并进行了测试,实测数据与估算值的相对误差范围约12%-15%,表明建立的维持电压模型具有较高的可靠性。 展开更多
关键词 静电放电 双极晶体管 负阻效应 调制效应 维持电压 仿真 建模
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S波段100W硅脉冲功率晶体管 被引量:2
9
作者 傅义珠 李相光 +4 位作者 张树丹 王佃利 王因生 康小虎 姚长军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期123-127,共5页
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4~ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 ... 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4~ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。 展开更多
关键词 微波功率晶体管 S波段
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IGBT变电阻开通策略的研究 被引量:3
10
作者 李武杰 程善美 孙得金 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2014年第11期70-72,共3页
提出了一种新的驱动策略来改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开通特性。将短路检测与变电阻开通结合,根据实际情况选择两级变电阻或三级变电阻开通IGBT,同时研究了不同变电阻方式下门极电阻切换的时刻。实验结果验证了该策略既有三级变电... 提出了一种新的驱动策略来改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开通特性。将短路检测与变电阻开通结合,根据实际情况选择两级变电阻或三级变电阻开通IGBT,同时研究了不同变电阻方式下门极电阻切换的时刻。实验结果验证了该策略既有三级变电阻开通的优势,又能保证在Ⅰ类短路的情况下集电极电流的变化率不至于过大而损坏IGBT。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 变电阻开通 短路检测
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基于功能仿真的电路节点翻转信息提取
11
作者 李杰 毕宗军 +1 位作者 杨军 王超 《电子器件》 EI CAS 2006年第4期1338-1341,共4页
在基于功能仿真进行集成电路低功耗设计和研究中,往往需要通过获取电路节点的翻转信息来评估设计电路的功耗并指导相应的优化工作,论文采用PLI(programming Language Interface)编程来扩展仿真工具的功能直接获取设计电路中各个节点的... 在基于功能仿真进行集成电路低功耗设计和研究中,往往需要通过获取电路节点的翻转信息来评估设计电路的功耗并指导相应的优化工作,论文采用PLI(programming Language Interface)编程来扩展仿真工具的功能直接获取设计电路中各个节点的工作状态,实现在仿真过程中节点翻转信息的提取,结果表明该方案不仅具有很大的灵活性而且对仿真效率的影响也最小。 展开更多
关键词 PLI RTL 电路节点 可编程语言接口 寄存器传输级 功耗
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基于JFET的高精度可程控放大电路设计 被引量:3
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作者 刘红俐 李辉 +1 位作者 朱其新 杨辉 《自动化与仪表》 北大核心 2010年第7期42-46,共5页
微弱信号常常伴随大量的噪声且驱动能力较弱,给精确测量带来很大难度。基于结型场效应管的程控放大器以压控放大电路为核心,通过单片机C8051F020控制12位D/A输出,改变工作在可变电阻区的结型场效应管的栅极电压以改变反馈电阻,从而实现... 微弱信号常常伴随大量的噪声且驱动能力较弱,给精确测量带来很大难度。基于结型场效应管的程控放大器以压控放大电路为核心,通过单片机C8051F020控制12位D/A输出,改变工作在可变电阻区的结型场效应管的栅极电压以改变反馈电阻,从而实现放大倍数精确调节,使整个系统操作起来更加简单、方便。系统实现对信号1到1000倍放大并可程控,通过液晶显示输入、输出值和放大倍数。测试结果显示系统能够对最小1mv的输入信号进行预定放大且具有较高的精度;以JFET为核心的压控电阻工作速度快、可靠性好、控制灵敏度高,无机械触点使其噪声较低;系统12位A/D、D/A均集成在单片机内部,缩减了复杂的外围电路,可靠性高;系统还具有输入电阻大、共模抑制比高等特点。因此在数据采集系统、自动增益控制、动态范围扩展、远程仪表测试等微弱信号测量方面使用尤为适宜。 展开更多
关键词 压控电阻 结型场效应管 高精度 程控 低噪声
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GTR实现的电子型负电阻的原理及其应用实验 被引量:1
13
作者 陆继明 张俊峰 +1 位作者 毛承雄 王丹 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2006年第4期53-57,共5页
在电力系统动态物理模拟中,为使模拟同步发电机的励磁绕组的时间常数等于原型同步发电机励磁绕组的时间常数,需要通过串接负电阻来进行补偿。借鉴线性稳压电源的工作原理,设计了利用功率三极管GTR实现的大功率电子型负阻器,并详细介绍... 在电力系统动态物理模拟中,为使模拟同步发电机的励磁绕组的时间常数等于原型同步发电机励磁绕组的时间常数,需要通过串接负电阻来进行补偿。借鉴线性稳压电源的工作原理,设计了利用功率三极管GTR实现的大功率电子型负阻器,并详细介绍了其设计电路和工作原理。通过实验,研究了其静态和动态特性。结果表明所研制的电子型负阻器线性度好,动态响应快。励磁系统动态特性模拟的应用实验进一步表明,所研制的负阻器的阻值可调范围大,运行稳定性高,尤其在高补偿度工况下不会产生自激现象等。 展开更多
关键词 动态模拟 时间常数补偿 负电阻 电流控制电压源 功率晶体管
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高精度片上电阻在高速发射器电路中的应用
14
作者 何乐年 奚剑雄 严晓浪 《电路与系统学报》 CSCD 2004年第5期12-14,共3页
本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法。该片上电阻器由三个 NMOS 管组成。通过控制各MOS 管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器。用 Cadence 公司的 SPECTRE 软件及 TSMC 公司的0.25μm CMOS 混合信号工艺库... 本论文提出了一种新颖的高精度片上电阻的设计方法。该片上电阻器由三个 NMOS 管组成。通过控制各MOS 管的栅电压和宽长比可得到线形度较好的高精度电阻器。用 Cadence 公司的 SPECTRE 软件及 TSMC 公司的0.25μm CMOS 混合信号工艺库进行了电路仿真,结果表明有源电阻器能满足 USB2.0 规范对发射器电路输出阻抗45±10%?的要求。 展开更多
关键词 高精度片上电阻 传输线特征阻抗 发射器 纯MOS管电阻
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触摸、光线双控多点高亮LED台灯的研究 被引量:1
15
作者 罗树军 《价值工程》 2010年第33期267-267,共1页
采用光敏电阻、三级管、可控硅、等器件实现对家用高亮LED台灯光照强度智能感知和对启动开关的智能控制,以低成本完成既定功能,同时对LED节能优势方面作了大量的研究。
关键词 光敏电阻 三极管 可控硅 LED发光管 智能光控电路 节能优势
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西门子6SE48系列变频器的常见故障及处理 被引量:1
16
作者 张玉梅 《变频器世界》 2008年第7期99-101,共3页
本文介绍了西门子变频器的结构组成,对变频器在使用中经常发生的故障现象进行了分析和说明,并给出了对变频器的不同故障的处理方法。这是在实践中逐步总结出来的经验,有很强的操作性,对于工厂的西门子变频器维修有一定的指导意义。
关键词 变频器 IGBT 脉冲电阻 电磁干扰
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从收音机组装实训中试析电子元件的检测方法
17
作者 贾宇向 张宏亮 《科技信息》 2008年第23期92-93,共2页
收音机组装实训是大中专院校电工电子学的重要实训,而在收音机组装前对电子元件的检测至关重要。本文主要分析了用万用表如何检测实训中所需的电阻器、电容器、电感器和晶体管。
关键词 万用表 电阻器 电容器 电感器 晶体管
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有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管工作状态的一种判断方法
18
作者 骆最芬 《电子世界》 2012年第19期58-59,共2页
本文给出含有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管(BJT)工作状态的一种判断方法。对于有射极电阻的基本电路,如果只知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,可以先假设其中的BJT处于放大状态,求出BJT在放大状... 本文给出含有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管(BJT)工作状态的一种判断方法。对于有射极电阻的基本电路,如果只知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,可以先假设其中的BJT处于放大状态,求出BJT在放大状态下的集电极电流IC或基极电流IB,然后与临界饱和状态下的集电极电流ICS或基极电流IBS比较,如果IC<ICS(或IB<IBS),则BJT处于放大状态;否则BJT处于饱和状态。由于IC、ICS、IB、IBS只与直流电源的电压值和电路结构有关,因此,只要知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,就可以判断该电路中BJT的工作状态。 展开更多
关键词 射极电阻 基本电路 双极型晶体三极管 工作状态 方法
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绝缘栅双极晶体管串联关键技术 被引量:5
19
作者 余琳 黄康 +2 位作者 王海军 王剑平 盖玲 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1315-1319,共5页
为实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的多级串联,以电阻/电容/二极管(RCD)缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器(DSP)控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的... 为实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的多级串联,以电阻/电容/二极管(RCD)缓冲电路为动态均压电路,通过数学分析及PSpice仿真验证,建立了RCD缓冲电路参数选择模型;设计了基于数字信号处理器(DSP)控制、光纤隔离传输,以M57962L为IGBT驱动器的驱动电路及故障反馈电路,能驱动32只串联IGBT并对其进行过流和短路保护,32只IGBT的最大导通时间不超过90ns,短路保护响应时间约为6μs;设计了8路独立输出的50kV隔离的高压隔离电源,实现IGBT串联电路各部分的供电及电隔离。基于以上IGBT串联方法,实现了32只1200VIGBT的串联,串联电路可稳定工作在20kV电压下。 展开更多
关键词 IGBT串联 RCD缓冲电路 IGBT驱动 短路保护 高电压隔离
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Flash IP核的版图设计技术
20
作者 黄义定 李鉴 +1 位作者 臧佳峰 石振岩 《科技信息》 2007年第36期75-76,132,共3页
本文首先论述了版图设计的必要性,接着对分别介绍了Flash IP核中出现的大尺寸晶体管、电容、电阻、灵敏放大器、和减小噪声的版图设计技术。利用在Candece工具版图设计通过了DRC和LVS验证。
关键词 版图 晶体管 电容 电阻 灵敏放大器 噪声
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