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A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
1
作者
马龙
黄应龙
+2 位作者
张杨
杨富华
王良臣
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2006年第10期2422-2426,共5页
关键词
隧道二极管
光束外延
双边稳定性高电子迁移晶体管
分子自闭缩
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职称材料
题名
A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
1
作者
马龙
黄应龙
张杨
杨富华
王良臣
机构
Engineering Research Center for Semiconductor Integrated Technology
National Laboratory for Superlattices and Microstructures
Novel Semiconductor Materials Laboratory
出处
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2006年第10期2422-2426,共5页
关键词
隧道二极管
光束外延
双边稳定性高电子迁移晶体管
分子自闭缩
Keywords
resonant tunnelling diode (rtd) beam epitaxy (mbe)
,
bistability high electron mobility transistor (hemt)
,
molecular self-latching
分类号
O47 [理学—半导体物理]
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
出处
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1
A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
马龙
黄应龙
张杨
杨富华
王良臣
《Chinese Physics B》
SCIE
EI
CAS
CSCD
2006
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职称材料
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